一种限压保护电路的制作方法

本技术涉及电路保护，尤其涉及一种限压保护电路。

背景技术：

1、随着我国电子技术的成熟，各种电路设备发展迅速，然而传统技术的光耦合保护电路的成本较高，而且其使用的电路元件器较多，故而造成电路复杂，一定程度上会影响使用稳定性，使用性受到限制，故此急需一种简洁的保护电路。

技术实现思路

1、有鉴于此，本实用新型的实施例提供了一种限压保护电路。

2、本实用新型的实施例提供的一种限压保护电路，包括：包括电压输入端v1、第一电容c1、稳压二极管d、光耦合器e和三极管q，其中稳压二极管d的负极连接所述电压输入端v1、正极连接在光耦合器中发光二极管的正极，光耦合器中发光二极管的负极接地，所述第一电容c1的两端分别与所述光耦合器e中发光二极管的正、负极连接，所述三极管q的集电极连接外部芯片电源的引脚上、发射极接地，所述光耦合器e中光敏三极管的发射极与所述三极管q基极之间连接有电阻r2，所述光耦合器e中光敏三极管的集电极连接基准电压。

3、进一步地，所述稳压二极管d的负极与所述电压输入端v1之间连接有电阻r1，所述第一电容c1与所述光耦合器e中发光二极管的正极连接的一端位于所述电阻r1和所述稳压二极管d的负极之间。

4、进一步地，所述三极管q基极与发射极之间连接有第二电容c2。

5、进一步地，还包括电阻r3，所述电阻r3的一端与所述光耦合器e中光敏三极管的发射极连接、另一端接地。

6、进一步地，所述三极管q为npn型三极管。

7、进一步地，所述基准电压与所述光耦合器e中光敏三极管的集电极之间连接有电阻r4。

8、本实用新型的实施例提供的技术方案带来的有益效果是：本实用新型的一种限压保护电路，结构设计合理，使用电子元器件较少，故而可有效降低制作成本，而且电路的简单设计意味着出现故障的几率减少，适用于普及。

技术特征：

1.一种限压保护电路，其特征在于：包括电压输入端v1、第一电容c1、稳压二极管d、光耦合器e和三极管q，其中所述稳压二极管d的负极连接所述电压输入端v1、正极连接在所述光耦合器中发光二极管的正极，所述光耦合器中发光二极管的负极接地，所述第一电容c1的两端分别与所述光耦合器e中发光二极管的正、负极连接，所述三极管q的集电极连接外部芯片电源的引脚上、发射极接地，所述光耦合器e中光敏三极管的发射极与所述三极管q基极之间连接有电阻r2，所述光耦合器e中光敏三极管的集电极连接基准电压。

2.如权利要求1所述的一种限压保护电路，其特征在于：所述稳压二极管d的负极与所述电压输入端v1之间连接有电阻r1，所述第一电容c1与所述光耦合器e中发光二极管的正极连接的一端位于所述电阻r1和所述稳压二极管d的负极之间。

3.如权利要求1所述的一种限压保护电路，其特征在于：所述三极管q基极与发射极之间连接有第二电容c2。

4.如权利要求1所述的一种限压保护电路，其特征在于：还包括电阻r3，所述电阻r3的一端与所述光耦合器e中光敏三极管的发射极连接、另一端接地。

5.如权利要求1所述的一种限压保护电路，其特征在于：所述三极管q为npn型三极管。

6.如权利要求1所述的一种限压保护电路，其特征在于：所述基准电压与所述光耦合器e中光敏三极管的集电极之间连接有电阻r4。

技术总结
本技术提供一种限压保护电路，包括电压输入端V1、第一电容C1、稳压二极管D、光耦合器E和三极管Q，其中稳压二极管D的负极连接所述输入电压端、正极连接在光耦合器中发光二极管的正极，光耦合器中发光二极管的负极接地，第一电容C1的两端分别与光耦合器E中发光二极管的正、负极连接，三极管Q的集电极连接外部芯片电源的引脚上、发射极接地，光耦合器E中光敏三极管的发射极与三极管Q基极之间连接有电阻R2，光耦合器E中光敏三极管的集电极连接基准电压。本技术中的电路不仅起到保护的作用，而且结构简单，进而出现故障的几率低，适合普及。

技术研发人员：黄志军,严勇刚,马浩文
受保护的技术使用者：际华三五零九纺织有限公司
技术研发日：20221130
技术公布日：2024/1/12