一种基于MEMS工艺高集成度的微型高压放电单元的制作方法

本技术属于脉冲功率，更具体地，涉及一种基于mems工艺高集成度的微型高压放电单元。

背景技术：

1、脉冲功率技术原理是通过高功率脉冲装置将低功率的能量储存起来，被储存起来的能量经过压缩变换之后，在极短的时间内释放给特别的负载。脉冲功率技术在军事、高能激光、电力电工等领域中起着至关重要的作用。

2、脉冲功率系统由三部分组成：储能系统、脉冲发生系统和负载及应用系统。电容储能是对电容器进行充电，通过脉冲发生系统进行放电而产生高脉冲电流。相比电感储能，电容器储能充放电速度快、功率高，技术成熟度高。储能和脉冲发生系统是脉冲功率装置的关键部件，其性能直接决定着脉冲功率系统的高功率输出、快脉冲放电的核心能力。

3、目前脉冲功率系统中经常用到的电气开关产品有真空开关、晶闸管、引燃管开关、气体开关等。除晶闸管外，其他均为气体开关，且晶闸管也是封装完成的成品，均不能采用mems工艺与电路其他部件进行集成；加之高压放电单元其本身工作在高电压等级、大电流的条件下，导致放电单元中器件体积较大，一般通过焊接连接在pcb基板上，分散的器件走线会在整个电路中产生较大的寄生参数，对整个电容放电单元的输出性能存在一定的影响。

技术实现思路

1、针对现有技术的缺陷，本实用新型的目的在于提供一种基于mems工艺高集成度的微型高压放电单元，旨在解决现有的高压放电单元的体积偏大，集成度低以及放电回路寄生参数高的技术性问题。

2、本发明提供了一种基于mems工艺高集成度的微型高压放电单元，包括：高压脉冲电容器chv、高压二极管d1、高压放电开关rbdt、第一采样电阻r1和第二采样电阻r2；所述高压放电开关rbdt的阳极与所述高压二极管d1的阴极连接；所述第一采样电阻r1和所述第二采样电阻r2依次串联连接至所述高压二极管d1的阳极与所述高压放电开关rbdt的阴极之间；所述高压脉冲电容器chv的一端连接至所述高压二极管d1的阳极，所述高压脉冲电容器chv的另一端连接负载电阻rload。

3、其中，高压脉冲电容器chv、所述高压二极管d1和所述高压放电开关rbdt经过mems工艺串联集成后焊接在pcb基板上。

4、更进一步地，高压放电开关rbdt可以采用双面电极高压开关；该双面电极高压开关只有两个电极，在芯片级易于实现系统堆叠集成。

5、更进一步地，高压脉冲电容器chv为储能器件，为高压放电提供能量。

6、更进一步地，高压脉冲电容器chv与第一采样电阻r1和第二采样电阻r2进行集成；高压脉冲电容器chv的一个引脚与高压二极管d1的阳极通过烧结工艺连接在一起；高压二极管d1的阴极和高压放电开关rbdt的阳极烧结成一体。

7、通过本实用新型所构思的以上技术方案，与现有技术相比，本实用新型可以有效减少pcb基板上的元器件，使得整个放电单元在pcb基板上的投影面积减少，pcb基板尺寸减小，同时各个器件以mems工艺连接在一起，减小了pcb上的走线带来的寄生参数，使得放电单元的输出特性得到了较大的提升。

技术特征：

1.一种基于mems工艺高集成度的微型高压放电单元，其特征在于，包括：高压脉冲电容器chv、高压二极管d1、高压放电开关rbdt、第一采样电阻r1和第二采样电阻r2；

2.如权利要求1所述的微型高压放电单元，其特征在于，所述高压脉冲电容器chv、所述高压二极管d1和所述高压放电开关rbdt经过mems工艺串联集成后焊接在pcb基板上。

3.如权利要求1所述的微型高压放电单元，其特征在于，所述高压放电开关rbdt采用双面电极高压开关。

4.如权利要求1所述的微型高压放电单元，其特征在于，所述高压脉冲电容器chv为储能器件，为高压放电提供能量。

5.如权利要求1所述的微型高压放电单元，其特征在于，所述高压脉冲电容器chv与第一采样电阻r1和第二采样电阻r2进行集成。

6.如权利要求5所述的微型高压放电单元，其特征在于，所述高压脉冲电容器chv的一个引脚与高压二极管d1的阳极通过烧结工艺连接在一起。

7.如权利要求5或6所述的微型高压放电单元，其特征在于，高压二极管d1的阴极和高压放电开关rbdt的阳极烧结成一体。

技术总结
本技术公开了一种基于MEMS工艺高集成度的微型高压放电单元，包括高压脉冲电容器、高压二极管、高压放电开关、第一采样电阻和第二采样电阻；高压放电开关的阳极与高压二极管的阴极连接；第一采样电阻和第二采样电阻串联连接至高压二极管的阳极与高压放电开关的阴极之间；高压脉冲电容器的一端连接至高压二极管的阳极，高压脉冲电容器的另一端连接负载电阻。高压脉冲电容器、高压二极管和高压放电开关经过MEMS工艺串联集成，焊接在PCB基板上。本技术有效减少了PCB板上的元器件，使得整个放电单元在PCB上的投影面积减少，PCB尺寸减小，同时各个器件以MEMS工艺连接在一起，减小了PCB走线带来的回路寄生参数，使得放电单元的输出特性得到了较大的提升。

技术研发人员：杨凤鸣,梁琳
受保护的技术使用者：武汉脉冲芯电子科技有限公司
技术研发日：20221130
技术公布日：2024/1/12