一种Boost升压芯片的低压启动电路的制作方法

本技术涉及低压启动电路，具体涉及一种boost升压芯片的低压启动电路。

背景技术：

1、目前，boost升压芯片在2v输出电压时无法正常启动输出，会带来芯片应用的限制，无法满足宽电压输出即2v～5v输出电压的应用，无法满足用户在低压0.9v输入2v输出的多种系统场景中去应用，被迫用户采用其他升压方案来替代，提高用户的使用成本，无法做到真正的高性价比。

2、基于上述情况，本实用新型提出了一种boost升压芯片的低压启动电路，可有效解决以上问题。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种boost升压芯片的低压启动电路。本实用新型的boost升压芯片的低压启动电路结构简单，使用方便，通过在boost升压芯片中增加了启动控制模块和第二p型场效应管，满足boost升压芯片在宽电压0.9v～5v输入范围内实现2.0v～5.5v宽电压输出范围的应用，特别是满足低压0.9v输入和2.0v输出的系统电源的应用，降低用户的使用成本，提高该升压芯片的性价比。

2、本实用新型通过下述技术方案实现：

3、一种boost升压芯片的低压启动电路，包括电感l、第一p型场效应管mp、第二p型场效应管m5、第一n型场效应管n1、过零检测器zcd、启动控制模块stu、误差放大器ea、调频控制逻辑模块pfm、振荡器osc、限流控制模块lc、使能模块enable、电流偏置模块bias、带隙基准模块bg、第一电阻r1、第二电阻r2和电容c1；

4、所述电感l一端分别与第一p型场效应管mp的漏极、第一n型场效应管n1的漏极、过零检测器zcd的2脚电连接，所述第一p型场效应管mp的源极分别与过零检测器zcd的1脚、启动控制模块stu的2脚、第二p型场效应管m5的源极、第一电阻r1一端、电容c1一端电连接，所述过零检测器zcd的3脚与调频控制逻辑模块pfm的7脚电连接，所述调频控制逻辑模块pfm的1脚与第一p型场效应管mp的栅极电连接，所述调频控制逻辑模块pfm的2脚与第一n型场效应管n1的栅极电连接，所述调频控制逻辑模块pfm的3脚与限流控制模块lc电连接，所述调频控制逻辑模块pfm的4脚与使能模块enable电连接，所述调频控制逻辑模块pfm的5脚与振荡器osc电连接，所述调频控制逻辑模块pfm的6脚与误差放大器ea的3脚电连接，所述误差放大器ea的1脚分别与第一电阻r1另一端、第二电阻r2一端电连接，所述误差放大器ea的2脚分别与第二p型场效应管m5的漏极、带隙基准模块bg一端电连接，所述带隙基准模块bg另一端与电流偏置模块bias电连接，所述第二电阻r2另一端与电容c1另一端电连接。

5、本实用新型的目的在于提供一种boost升压芯片的低压启动电路。本实用新型的boost升压芯片的低压启动电路结构简单，使用方便，通过在boost升压芯片中增加了启动控制模块和第二p型场效应管，满足boost升压芯片在宽电压0.9v～5v输入范围内实现2.0v～5.5v宽电压输出范围的应用，特别是满足低压0.9v输入和2.0v输出的系统电源的应用，降低用户的使用成本，提高该升压芯片的性价比。

6、优选的，所述启动控制模块stu包括第三电阻r3、第四电阻r4、第五电阻r5、第六电阻r6、第一反相器inv1、第二反相器inv2、第三p型场效应管m3、第二n型场效应管m2、第三n型场效应管m1；

7、所述第三p型场效应管m3的栅极接en端，所述第三p型场效应管m3的源极分别与第三电阻r3一端、vout端、第六电阻r6一端电连接，所述第三电阻r3另一端分别与第三p型场效应管m3的漏极、第四电阻r4一端、第三n型场效应管m1的栅极电连接，所述第四电阻r4另一端分别与第五电阻r5一端、第二n型场效应管m2的漏极电连接，所述第二n型场效应管m2的源极分别与第五电阻r5另一端、第三n型场效应管m1的源极电连接，所述第三n型场效应管m1的漏极分别与第六电阻r6另一端、第一反相器inv1一端电连接，所述第一反相器inv1另一端分别与out端、第二反相器inv2一端电连接，所述第二反相器inv2另一端与第二n型场效应管m2的栅极电连接。

8、优选的，所述n型场效应管n1的源极接地。

9、优选的，所述第五电阻r5另一端接地。

10、本实用新型与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：

11、本实用新型的boost升压芯片的低压启动电路结构简单，使用方便，通过在boost升压芯片中增加了启动控制模块和第二p型场效应管，满足boost升压芯片在宽电压0.9v～5v输入范围内实现2.0v～5.5v宽电压输出范围的应用，特别是满足低压0.9v输入和2.0v输出的系统电源的应用，降低用户的使用成本，提高该升压芯片的性价比。

技术特征：

1.一种boost升压芯片的低压启动电路，其特征在于：包括电感l、第一p型场效应管mp、第二p型场效应管m5、第一n型场效应管n1、过零检测器zcd、启动控制模块stu、误差放大器ea、调频控制逻辑模块pfm、振荡器osc、限流控制模块lc、使能模块enable、电流偏置模块bias、带隙基准模块bg、第一电阻r1、第二电阻r2和电容c1；

2.根据权利要求1所述的boost升压芯片的低压启动电路，其特征在于：所述启动控制模块stu包括第三电阻r3、第四电阻r4、第五电阻r5、第六电阻r6、第一反相器inv1、第二反相器inv2、第三p型场效应管m3、第二n型场效应管m2、第三n型场效应管m1；

3.根据权利要求1所述的boost升压芯片的低压启动电路，其特征在于：所述n型场效应管n1的源极接地。

4.根据权利要求2所述的boost升压芯片的低压启动电路，其特征在于：所述第五电阻r5另一端接地。

技术总结
本技术公开了一种Boost升压芯片的低压启动电路，包括电感L、第一P型场效应管MP、第二P型场效应管M5、第一N型场效应管N1、过零检测器ZCD、启动控制模块STU、误差放大器EA、调频控制逻辑模块PFM、振荡器OSC、限流控制模块LC、使能模块Enable、电流偏置模块bias、带隙基准模块BG、第一电阻R1、第二电阻R2和电容C1；本技术的Boost升压芯片的低压启动电路结构简单，使用方便，通过在Boost升压芯片中增加了启动控制模块和第二P型场效应管，满足Boost升压芯片在宽电压0.9V～5V输入范围内实现2.0V～5.5V宽电压输出范围的应用，特别是满足低压0.9V输入和2.0V输出的系统电源的应用，降低用户的使用成本，提高该升压芯片的性价比。

技术研发人员：冯健,吴飞,王琦
受保护的技术使用者：浙江芯锋集成电路技术有限公司
技术研发日：20221226
技术公布日：2024/1/12