一种输入失电告警电路及开关电源的制作方法

本技术实施例涉及电源，尤其涉及一种输入失电告警电路及开关电源。

背景技术：

1、在现代许多应用终端中，其供电电源一般设置有两套甚至更多，以保障应用终端在其中一个输入源出现问题的情况下还可以可靠工作或延时关断。然而，现有用于应用终端中的开关电源并没有一套可靠的输入失电告警功能，在开关电源输入失电时，应用终端无法迅速识别出哪套供电系统的输入失电，以及目前是哪套供电系统在为其供电，无法判断出输入电压的具体情况。

2、以上问题亟待解决。

技术实现思路

1、为解决相关技术问题，本实用新型提供一种输入失电告警电路及开关电源，来解决以上背景技术部分提到的问题。

2、为实现上述目的，本实用新型实施例采用如下技术方案：

3、第一方面，本实用新型实施例提供了一种输入失电告警电路，该电路包括：二极管d1、采样电阻r1、电容cd1、整流桥br1、二极管d2、电容cd2、限流电阻r2、采样电阻r3、二极管dz1、光耦pc1以及稳压基准芯片a1；所述光耦pc1由光耦输入端pc1a和光耦输出端pc1b组成；所述二极管d1的正极与整流桥br1的第一交流引脚连接后接市电输入零线端，所述二极管d2的正极与市电输入火线端、整流桥br1的第二交流引脚连接，所述整流桥br1的正极引脚与电容cd1的一端连接，电容cd1的另一端与整流桥br1的负极引脚连接后接地，所述二极管d1的负极与二极管d2的负极、电容cd2的一端、采样电阻r1的一端、限流电阻r2的一端连接，电容cd2的另一端与采样电阻r3的一端、稳压基准芯片a1的阳极、二极管dz1的正极连接后接地，所述采样电阻r1的另一端与采样电阻r3的另一端、稳压基准芯片a1的控制极连接，所述限流电阻r2的另一端与光耦输入端pc1a的正极、二极管dz1的负极连接，光耦输入端pc1a的负极与稳压基准芯片a1的阴极连接，光耦输出端pc1b的发射极和集电极分别与对应的掉电告警输出端power fail连接。

4、作为一种可选的实施方式，所述二极管d1和二极管d2均采用但不限于低频整流二极管。

5、作为一种可选的实施方式，所述二极管dz1采用但不限于稳压管；所述电容cd1和电容cd2均采用但不限于电解电容。

6、第二方面，本实用新型实施例提供了一种开关电源，该开关电源采用上述第一方面任一项所述的输入失电告警电路。

7、本实用新型提出的输入失电告警电路及开关电源可以在开关电源输入失电时迅速告警终端，使终端根据告警信号可以迅速判断出哪路供电系统发生输入失电，以便及时采取解决措施。本实用新型结构简单，成本低，能够可靠的实现输入失电告警，适宜推广应用。

技术特征：

1.一种输入失电告警电路，其特征在于，包括：二极管d1、采样电阻r1、电容cd1、整流桥br1、二极管d2、电容cd2、限流电阻r2、采样电阻r3、二极管dz1、光耦pc1以及稳压基准芯片a1；所述光耦pc1由光耦输入端pc1a和光耦输出端pc1b组成；所述二极管d1的正极与整流桥br1的第一交流引脚连接后接市电输入零线端，所述二极管d2的正极与市电输入火线端、整流桥br1的第二交流引脚连接，所述整流桥br1的正极引脚与电容cd1的一端连接，电容cd1的另一端与整流桥br1的负极引脚连接后接地，所述二极管d1的负极与二极管d2的负极、电容cd2的一端、采样电阻r1的一端、限流电阻r2的一端连接，电容cd2的另一端与采样电阻r3的一端、稳压基准芯片a1的阳极、二极管dz1的正极连接后接地，所述采样电阻r1的另一端与采样电阻r3的另一端、稳压基准芯片a1的控制极连接，所述限流电阻r2的另一端与光耦输入端pc1a的正极、二极管dz1的负极连接，光耦输入端pc1a的负极与稳压基准芯片a1的阴极连接，光耦输出端pc1b的发射极和集电极分别与对应的掉电告警输出端power fail连接。

2.根据权利要求1所述的输入失电告警电路，其特征在于，所述二极管d1和二极管d2均采用但不限于低频整流二极管。

3.根据权利要求2所述的输入失电告警电路，其特征在于，所述二极管dz1采用稳压管；所述电容cd1和电容cd2均采用但不限于电解电容。

4.一种开关电源，其特征在于，该开关电源采用权利要求1至3任一项所述的输入失电告警电路。

技术总结
本技术实施例公开了一种输入失电告警电路及开关电源，该电路包括：二极管D1、采样电阻R1、电容CD1、整流桥BR1、二极管D2、电容CD2、限流电阻R2、采样电阻R3、二极管DZ1、光耦PC1以及稳压基准芯片A1；所述光耦PC1由光耦输入端PC1A和光耦输出端PC1B组成。本技术可以在开关电源输入失电时迅速告警终端，使终端根据告警信号可以迅速判断出哪路供电系统发生输入失电，以便及时采取解决措施。本技术结构简单，成本低，能够可靠的实现输入失电告警，适宜推广应用。

技术研发人员：陈尤,时荣法
受保护的技术使用者：无锡市金赛德电子有限公司
技术研发日：20221231
技术公布日：2024/1/12