半导体装置的制作方法

本发明涉及半导体装置。

背景技术：

1、为了逆变器等功率电子设备的节能，需要降低半导体开关元件的损耗。作为半导体开关元件，能够例示出绝缘栅型双极晶体管(insulated gate bipolar transistor：igbt)或金属-氧化膜-半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effecttransistor：

2、mosfet)。损耗由元件的导通损耗及通断损耗决定，因此通过使它们降低，以开关元件的进一步低损耗化为目的的开发正在进行。

3、特别是在igbt那样的双极型晶体管元件中，通过对接通时的少数载流子的量进行调整，能够对作为通断损耗的一部分的截止损耗和导通损耗的值进行控制。但是，在半导体装置中，通断损耗与导通损耗具有折衷的关系，因此存在难以兼顾这些损耗降低的课题。

4、为了解决该课题，在专利文献1中公开了通过改善截止损耗来改善通断损耗的半导体装置。该半导体装置用不同的栅极控制信号电路对在同一芯片内具有的两个栅极电极进行控制。而且，通过在截止时将使各栅极断开的定时(timing)错开，从先截止的栅极起，一部分先行排出少数载流子。其结果，改善了截止损耗。

5、专利文献1：日本特开2013-98415号公报

6、但是，在上述方法中，在单独地控制两个栅极电极时，存在控制电路及控制方法变得复杂的课题。

技术实现思路

1、本发明用于解决上述问题，目的在于提供如下半导体装置，即，通过将线圈仅连接于两个栅极电极中的一者，从而不使控制电路及控制方法变得复杂就能够减小通断损耗。

2、本发明的方案优选为，半导体装置具有：第1栅极电极；第2栅极电极，其与第1栅极电极并联连接；控制电路，其与第1栅极电极及第2栅极电极连接，对栅极电压进行控制；以及线圈，其连接于第2栅极电极与控制电路之间。

3、发明的效果

4、根据本发明的方案，能够提供不使控制电路及控制方法变得复杂就能减小通断损耗的半导体装置。

技术特征：

1.一种半导体装置，其具有：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其具有晶体管区域，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

11.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，

13.根据权利要求1至12中任一项所述的半导体装置，其中，

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，

技术总结
本发明涉及半导体装置，目的在于提供不使控制电路及控制方法变得复杂就能够减小通断损耗的半导体装置。本发明的半导体装置构成为具有：第1栅极电极；第2栅极电极，其与第1栅极电极并联连接；控制电路，其与第1栅极电极及第2栅极电极连接，对栅极电压进行控制；以及线圈，其连接于第2栅极电极和控制电路之间。

技术研发人员：海老池勇史,本田成人
受保护的技术使用者：三菱电机株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16