一种高填充率电机线圈及电动机的制作方法

文档序号:35365356发布日期:2023-09-08 03:52阅读:55来源:国知局
一种高填充率电机线圈及电动机的制作方法

本发明涉及电机线圈,尤其涉及一种高填充率电机线圈及电动机。


背景技术:

1、传统电磁电机经过很多年的发展,无论是在理论上、设计方法或制造技术都已经达到了十分完善的程度,由于它的工作原理和结构限制,难以满足当前微型智能机器人、精密仪器、精密机械等对小型电机所提出的体积小、温度低、力矩大、低噪音、防干扰等要求。为此,世界各国都在努力研究各种新型电机。

2、现有的电机线圈其空间利用率不够高,不适用于日益小型化的电机需求。


技术实现思路

1、本发明的主要目的在于提供一种高填充率电机线圈,旨在提高电机线圈的空间利用率。

2、为实现上述目的,本发明提出一种高填充率电机线圈,包括:

3、圆框架,其内壁沿圆周间隔设有多个磁芯,所述磁芯的一端与所述圆框架固定连接,另一端朝向所述圆框架的中心轴;

4、绝缘壳体,包括多个骨架,所述骨架分设于每个磁芯的上侧与下侧,所述骨架与所述磁芯同向延伸,所述骨架和所述磁芯的宽度沿所述圆框架的径向向中心轴方向逐渐减小;以及,

5、多个线圈,所述线圈分别缠绕于所述磁芯上下侧的骨架上。

6、可选地,所述线圈通过铜材绝缘线绕制而成。

7、可选地,所述铜材绝缘线的横截面呈圆角梯形。

8、可选地,所述磁芯和所述骨架沿圆周方向的两个侧面均沿所述圆框架的径向延伸。

9、可选地,所述骨架的宽度大于所述磁芯的宽度以使所述线圈与所述磁芯沿圆周方向的两个侧面形成空隙。

10、可选地,所述骨架具有相对的第一侧面和第二侧面,所述第一侧面呈平面设置,所述第一侧面用于与所述骨架接触,所述第二侧面呈曲面设置,所述第二侧面用于与所述线圈接触。

11、可选地,所述第二侧面沿所述圆框架的径向两端凸设有挡板。

12、可选地,所述骨架的第一侧面设有凹陷或凸起结构;

13、所述磁芯上设置有与所述凹陷或凸起结构对应的限位结构。

14、此外,本发明还提出一种电动机,所述电动机包括由上文所述的高填充率电机线圈所制得的。

15、本发明的高填充率电机线圈的骨架的宽度沿所述圆框架的径向向中心轴方向逐渐减小,使得缠绕于所述骨架上的线圈的宽度也沿所述圆框架的径向向中心轴方向逐渐减小,此种设置可使沿圆周位于所述圆框架的内侧多个线圈的排布更为紧凑,线圈之间只存在微小空隙,空间利用率有较大提升;

16、本发明通过所述骨架组成的绝缘壳体对所述线圈和所述磁芯进行绝缘,所述线圈缠绕于所述磁芯上下两侧的骨架上,使得所述线圈不与所述磁芯发生接触,绝缘效果不会受到所述磁芯的尖角的影响,相比于传统的绝缘纸绝缘方式,其绝缘效果更好。

17、本发明的电动机由于线圈的空间利用率提高,与现有的电机相比,在相同的体积下,其力矩更大。



技术特征:

1.一种高填充率电机线圈,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的高填充率电机线圈,其特征在于,所述线圈通过铜材绝缘线绕制而成。

3.如权利要求2所述的高填充率电机线圈,其特征在于,所述铜材绝缘线的横截面呈圆角梯形。

4.如权利要求1所述的高填充率电机线圈,其特征在于,所述磁芯和所述骨架沿圆周方向的两个侧面均沿所述圆框架的径向延伸。

5.如权利要求1所述的高填充率电机线圈,其特征在于,所述骨架的宽度大于所述磁芯的宽度以使所述线圈与所述磁芯沿圆周方向的两个侧面之间分别形成空隙。

6.如权利要求1所述的高填充率电机线圈,其特征在于,所述骨架具有相对的第一侧面和第二侧面,所述第一侧面呈平面设置,所述第一侧面用于与所述骨架接触,所述第二侧面呈曲面设置,所述第二侧面用于与所述线圈接触。

7.如权利要求6所述的高填充率电机线圈,其特征在于,所述第二侧面沿所述圆框架的径向两端凸设有挡板。

8.如权利要求6所述的高填充率电机线圈,其特征在于,所述骨架的第一侧面设有凹陷或凸起结构;

9.一种电动机,其特征在于,所述电动机包括如权利要求1-8任一项所述的高填充率电机线圈。


技术总结
本发明公开了一种高填充率电机线圈及电动机,高填充率电机线圈包括圆框架、绝缘壳体和多个线圈,圆框架内壁沿圆周间隔设有多个磁芯,磁芯的一端与圆框架固定连接,另一端朝向圆框架的中心轴,绝缘壳体包括多个骨架,骨架分设于每个磁芯的上侧与下侧,骨架与磁芯同向延伸,骨架和磁芯的宽度沿圆框架的径向向中心轴方向逐渐减小,线圈分别缠绕于磁芯上下侧的骨架上。本发明骨架的宽度沿圆框架的径向向中心轴方向逐渐减小,使得缠绕于骨架上的线圈的宽度也沿圆框架的径向向中心轴方向逐渐减小,此种设置可使沿圆周位于圆框架的内侧多个线圈的排布更为紧凑,线圈之间只存在微小空隙,空间利用率大大提升。

技术研发人员:李平,朱勇,王伟红,刘榕青
受保护的技术使用者:深圳市京泉华科技股份有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/15
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