一种自适应开关检测处理方法及电路与流程

本发明涉及h桥驱动电路领域，尤其涉及一种自适应开关检测处理方法及电路。

背景技术：

1、传统的h桥驱动电路，在h桥关断后，如果负载电感上还存在电流需要释放，通常都是通过寄生体二极管进行，如果需要释放的电流较大，一方面功耗会很大，发热严重，更重要的是在h桥的高侧续流体二极管在续流过程中会往sub注电流，使sub电位升高，而h桥另一半桥的低侧续流体二极管在续流过程中会往sub拉电流，此端的out电位会比gnd还低约一个体二极管电压，很容易形成闩锁效应而使芯片工作异常，甚至烧坏芯片。

技术实现思路

1、本发明提供一种自适应开关检测电路，旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。所述的自适应开关检测电路当检测到需要释放的电流大于预设值时，如释放电流大于100ma，打开相应的h桥的场效应管mos，通过场效应管的沟道释放电流。达到发热量少、功耗低和保护芯片的技术效果。

2、本发明的技术方案为一种自适应开关检测处理方法，应用于自适应开关检测电路，所述自适应开关检测电路包括h桥电路模块、输出检测模块、第一输出端和第二输出端，所述第一输出端和所述第二输出端之间连接负载，所述h桥电路模块包括：第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管、第一二极管、第二二极管、第三二极管和第四二极管，所述输出检测模块包括用于检测所述第一场效应管工作状态的第一高侧检测电路、用于检测所述第三场效应管工作状态的第二高侧检测电路、用于检测所述第二场效应管工作状态的第一低侧检测电路和用于检测所述第四场效应管工作状态的第二低侧检测电路，其特征在于，所述自适应开关检测处理方法包括：s100、所述h桥电路模块处于第一工作状态时，持续检测所述h桥电路模块的工作状态是否发生变化，所述h桥电路模块的第一工作状态包括正向电流工作状态和反向电流工作状态；s200、若所述第一高侧检测电路、所述第二高侧检测电路、所述第一低侧检测电路和所述第二低侧检测电路分别检测所述第一场效应管、所述第三场效应管、所述第二场效应管和所述第四场效应管的工作状态发生变化时，所述h桥电路模块进入第二工作状态；s300、所述h桥电路模块进入第二工作状态时，比较参考电压和输出端电压的大小，判断是否打开对应通道的场效应管进入第三工作状态，所述参考电压为所述第一高侧检测电路或所述第二高侧检测电路或所述第一低侧检测电路或所述第二低侧检测电路的电压大小，所述输出端电压为所述第一输出端或所述第二输出端电压的大小。

3、本发明还提出一种自适应开关检测电路，用于检测和控制h桥驱动电路的工作状态，所述自适应开关检测电路包括电源输入端、接地端、第一逻辑输入端、第二逻辑输入端、第一输出端和第二输出端，所述第一输出端和所述第二输出端之间连接负载，其特征在于，所述自适应开关检测电路还包括：基准信号生成模块，所述第一逻辑输入端和所述第二逻辑输入端分别与所述基准信号生成模块连接；h桥电路模块，所述第一输出端和所述第二输出端分别与所述h桥电路模块连接；输入信号模块，所述第一逻辑输入端、所述第二逻辑输入端、所述基准信号生成模块分别与所述输入信号模块连接；逻辑信号处理模块，所述输入信号模块与所述逻辑信号处理模块连接；输出检测模块，所述逻辑信号处理模块和所述h桥电路模块分别与所述输出检测模块连接；前级驱动模块，所述逻辑信号处理模块、所述h桥电路模块分别与所述前级驱动模块连接；保护电路模块，所述保护电路模块包括欠压保护电路、过温保护电路和过流保护电路,所述基准信号生成模块、所述逻辑信号处理模块和所述h桥电路模块分别与所述保护电路模块连接；升压电路模块，所述基准信号生成模块和所述前级驱动模块分别与所述升压电路模块连接。

4、本发明的有益效果如下，本申请中，所述的自适应开关检测电路当检测到需要释放的电流大于预设值时，如释放电流大于100ma，打开相应的h桥的场效应管mos，通过场效应管的沟道释放电流。达到发热量少、功耗低和保护芯片的技术效果。

技术特征：

1.一种自适应开关检测处理方法，应用于自适应开关检测电路，所述自适应开关检测电路包括h桥电路模块(200)、输出检测模块(500)、第一输出端和第二输出端，所述第一输出端和所述第二输出端之间连接负载，所述h桥电路模块(200)包括：第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管、第一二极管、第二二极管、第三二极管和第四二极管，所述输出检测模块(500)包括用于检测所述第一场效应管工作状态的第一高侧检测电路(510)、用于检测所述第三场效应管工作状态的第二高侧检测电路(520)、用于检测所述第二场效应管工作状态的第一低侧检测电路(530)和用于检测所述第四场效应管工作状态的第二低侧检测电路(540)，其特征在于，所述自适应开关检测处理方法包括：

2.根据权利要求1所述的自适应开关检测处理方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的自适应开关检测处理方法，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的自适应开关检测处理方法，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的自适应开关检测处理方法，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的自适应开关检测处理方法，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的自适应开关检测处理方法，其特征在于，

8.一种自适应开关检测电路，用于检测和控制h桥驱动电路的工作状态，所述自适应开关检测电路包括电源输入端、接地端、第一逻辑输入端、第二逻辑输入端、第一输出端和第二输出端，所述第一输出端和所述第二输出端之间连接负载，其特征在于，所述自适应开关检测电路还包括：

9.根据权利要求8所述的自适应开关检测电路，其特征在于，

10.根据权利要求8所述的自适应开关检测电路，其特征在于，

技术总结
本发明涉及一种自适应开关检测处理方法，包括H桥电路模块处于第一工作状态时，持续检测所述H桥电路模块的工作状态是否发生变化；若检测第一场效应管、第三场效应管、第二场效应管和第四场效应管的工作状态发生变化时，所述H桥电路模块进入第二工作状态；H桥电路模块进入第二工作状态时，比较参考电压和输出端电压的大小，判断是否打开对应通道的场效应管进入第三工作状态。自适应开关检测处理方法当检测到需要释放的电流大于预设值时，打开相应的H桥的场效应管MOS，通过场效应管的沟道释放电流。达到发热量少、功耗低和保护芯片的技术效果。

技术研发人员：陈靖文,黄涛涛,林鸿武,丁波文,李秋明
受保护的技术使用者：深圳率能半导体有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15