升压电路、芯片及电子设备的制作方法

文档序号:36797502发布日期:2024-01-23 12:20阅读:12来源:国知局
升压电路、芯片及电子设备的制作方法

本申请涉及集成电路,具体涉及一种升压电路、芯片及电子设备。


背景技术:

1、目前,在采样保持电路中,需要在接入输入信号时闭合开关进行信号采样,由于输入信号电压大小不同时开关呈现的导通电阻大小不同,因此为了保证开关电阻的线性度,在相关技术中通常会利用boost升压电路来改变开关时钟控制信号的幅度。

2、然而,传统的boost升压电路抬升后的电压值完全依赖于输入信号的电压大小,这就必须要求开关的输入端通过电容耦合到开关的控制端,而多余的电容结构与采样保持电路连接后,会造成采样保持电路中电容积累的电荷部分转移至该多余的电容结构上,从而影响信号采样的准确性。


技术实现思路

1、鉴于以上问题,本申请实施例提供一种升压电路、芯片及电子设备,以解决上述技术问题。

2、第一方面,本申请实施例提供一种升压电路,包括:

3、电容模块,电容模块的输入端用于接入第一时钟信号;

4、第一开关模块,第一开关模块用于在第一时钟信号为低电平时将电容模块输出端的电压保持为预设电压,且在第一时钟信号为高电平时停止向电容模块输出端输入预设电压;

5、第二开关模块,第二开关模块用于在第一时钟信号为低电平时停止输出电容模块输出端的电压信号,并在第一时钟信号为高电平时输出电容模块输出端的电压信号;

6、其中,第二开关模块输出第二时钟信号,第一时钟信号与第二时钟信号的周期相等,且第一时钟信号的高电平与第二时钟信号的高电平相差预设电压。

7、第二方面,本申请实施例还提供一种芯片,包括上述的升压电路。

8、第三方面,本申请实施例还提供一种电子设备,包括上述的芯片或升压电路。

9、本申请在第一时钟信号为低电平时,第一开关模块将电容模块输出端的电压保持为预设电压,第二开关模块停止输出电容模块输出端的电压,因此将使得第二开关模块输出低电平信号;而在第一时钟信号为高电平时,由于第一时钟信号停止向电容模块输出端输入预设电压,使得电容模块的输出端电压不受预设电压控制,同时由于电容模块的输入端为高电平信号,因此将使得电容模块的输出端电压由预设电压抬升第一时钟信号的高电平电压,在第二开关模块输出电容模块输出端的电压后,得到了相对于第一时钟信号的高电平抬升预设电压的第二时钟信号,使得时钟信号电压抬升幅度与预设电压关联,从而避免了通过输入信号的电压来抬升时钟信号的幅度,最终导致电容结构耦合至开关的输入端进而影响信号采样精度的现象。



技术特征:

1.一种升压电路,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的升压电路,其特征在于,所述第一开关模块基于所述第一时钟信号改变开关状态;

3.如权利要求1所述的升压电路,其特征在于,在所述第一时钟信号为高电平时,所述第一开关模块在所述第二开关模块闭合之前断开;

4.如权利要求1所述的升压电路,其特征在于,所述第一开关模块包括第一晶体管;

5.如权利要求4所述的升压电路,其特征在于,所述第一晶体管包括第一nmos管,所述电容模块包括第一电容以及第一反相器;

6.如权利要求1所述的升压电路,其特征在于,所述电容模块包括第一反相器、第二反相器以及第一电容;

7.如权利要求6所述的升压电路,其特征在于,所述电容模块还包括第二电容,所述第二电容的第一极板与所述第一反相器的输出端连接,所述第一开关模块包括第一nmos管以及第二nmos管;

8.如权利要求7所述的升压电路,其特征在于,所述第一开关模块还包括第二晶体管以及第三晶体管;

9.如权利要求1所述的升压电路,其特征在于,所述第二开关模块包括第一pmos管;

10.如权利要求9所述的升压电路,其特征在于,所述第二开关模块还包括第四晶体管;

11.如权利要求1所述的升压电路,其特征在于,所述升压电路还包括电压控制模块;

12.如权利要求11所述的升压电路,其特征在于,所述电压控制模块包括可调电阻以及固定电流源;

13.一种芯片,其特征在于,包括如权利要求1至12任一项所述的升压电路。

14.一种电子设备,其特征在于,包括设备主体以及设于所述设备主体的如上述权利要求13所述的芯片。


技术总结
本申请实施例提供一种升压电路、芯片及电子设备,升压电路包括:电容模块,电容模块的输入端用于接入第一时钟信号;第一开关模块,第一开关模块用于在第一时钟信号为低电平时将电容模块输出端的电压保持为预设电压,且在第一时钟信号为高电平时停止向电容模块输出端输入预设电压;第二开关模块,第二开关模块用于在第一时钟信号为低电平时停止输出电容模块输出端的电压,并在第一时钟信号为高电平时输出电容模块输出端的电压信号;其中,第二开关模块输出第二时钟信号,且第一时钟信号的高电平与第二时钟信号的高电平相差预设电压。本申请可以避免电容结构耦合至开关的输入端进而影响信号采样精度的现象。

技术研发人员:吴永锐,王鑫,杨保顶,余立力
受保护的技术使用者:成都芯海创芯科技有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/22
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