电源电压限幅电路、LIN总线控制芯片和微处理芯片的制作方法

文档序号:37014033发布日期:2024-02-09 13:04阅读:14来源:国知局
电源电压限幅电路、LIN总线控制芯片和微处理芯片的制作方法

本申请涉及电子电路,尤其涉及一种电源电压限幅电路、lin总线控制芯片和微处理芯片。


背景技术:

1、电源电压进入芯片内部经过电平转换给低压的模拟电路以及数字电路供电,由于汽车内部工作环境复杂,导致汽车通信芯片上的外部电源电压随外部环境变化的范围极大,以lin通信总线为例,芯片外部电源电压变化范围为0v-42v。

2、而电源电压较大的波动传递给内部导致模拟电路和数字电路无法正常工作。因而,需要对外部电源电压进行处理以向内部电路模块提供稳定的电压是较为重要的问题。


技术实现思路

1、本申请提供一种电源电压限幅电路、lin总线控制芯片和微处理芯片,用以对电源电压进行处理以向芯片内部电路提供稳定的电压。

2、第一方面,本申请提供一种电源电压限幅电路,所述电路包括:

3、限幅电路和稳压电路;

4、所述限幅电路包括第一耗尽型晶体管和第一电阻,所述第一耗尽型晶体管的第一端接收电源电压,所述第一耗尽型晶体管的第二端连接所述第一电阻的第一端,作为所述限幅电路的输出端,所述第一电阻的第二端接地;

5、所述稳压电路的第一端连接所述第一耗尽型晶体管的栅极,所述稳压电路的第二端连接所述限幅电路的输出端,所述稳压电路的第三端接地;

6、所述稳压电路用于在所述限幅电路的输出电压高于预设电压时,控制所述第一耗尽型晶体管的栅极电压,以降低所述限幅电路的输出电压。

7、可选的,所述稳压电路包括:

8、第一增强型晶体管、第三电阻和第二齐纳二极管;

9、所述第一增强型晶体管,其第一端作为所述稳压电路的第一端,其第二端作为所述稳压电路的第三端,其栅极连接所述第三电阻的第一端和所述第二齐纳二极管的阳极;

10、所述第二齐纳二极管的阴极作为所述稳压电路的第二端,所述第三电阻的第二端接地;

11、其中,所述第一增强型晶体管工作于截止区。

12、可选的,所述稳压电路包括:

13、第一分压电路和第二增强型晶体管;

14、所述第一分压电路的第一端连接所述第二增强型晶体管的第一端,作为所述稳压电路的第一端,所述第一分压电路的第二端连接所述第二增强型晶体管的第二端,作为所述稳压电路的第三端;

15、所述第二增强型晶体管的栅极作为所述稳压电路的第二端;

16、所述第二增强型晶体管用于在所述限幅电路的输出电压高于预设电压时,控制所述第一分压电路短路,以控制所述第一耗尽型晶体管的栅极电压。

17、可选的,

18、所述稳压电路包括:

19、第二分压电路和第三分压电路;

20、所述第二分压电路的第一端连接所述第一分压电路的第一端;

21、所述第三分压电路的第一端连接所述第一分压电路的第二端,所述第三分压电路的第二端接地。

22、可选的,所述第一分压电路包括第一分压器件,所述第二分压电路包括第二分压器件,所述第三分压电路包括第三分压器件。

23、可选的,所述第一分压器件包括:多个级联的第一二极管;

24、第一级第一二极管的阳极作为所述第一分压电路的第一端,最后一级第一二极管的阴极作为所述第一分压电路的第二端;

25、所述第二分压器件包括:多个级联的第二二极管;

26、第一级第二二极管的阳极作为所述第二分压电路的第二端,最后一级第二二极管的阴极作为所述第二分压电路的第一端;

27、所述第三分压器件包括:多个级联的第三二极管;

28、第一级第三二极管的阳极作为所述第三分压电路的阳极,最后一级第三二极管的阴极作为所述第三分压电路的阴极。

29、可选的,所述电路包括:限流电路;

30、所述限流电路包括第一限流模块和第一齐纳二极管,所述第一限流模块的第一端接收电源电压,所述第一限流模块的第二端和所述第一齐纳二极管的阴极连接,并连接所述第一耗尽型晶体管的栅极,所述第一齐纳二极管的阳极接地;

31、所述限流电路用于控制所述第一耗尽型晶体管的栅极电压,以控制所述限幅电路的电流。

32、可选的,所述第一限流模块包括:

33、第二耗尽型晶体管和第二电阻;

34、所述第二耗尽型晶体管,其第一端作为所述第一限流模块的第一端,其第二端连接所述第二电阻的第一端,其栅极连接所述第二电阻的第二端作为所述第一限流模块的第二端。

35、可选的,所述第一限流模块包括:

36、第四电阻,所述第四电阻的第一端作为所述第一限流模块的第一端,所述第四电阻的第二端作为所述第一限流模块的第二端。

37、可选的,所述第一耗尽型晶体管和所述第二耗尽型晶体管为耗尽型nmos。

38、可选的,所述第一增强型晶体管为增强型pmos。

39、第二方面,本申请提供一种lin总线控制芯片,包括上述的电源电压限幅电路。

40、第三方面,本申请提供一种微处理芯片,包括上述的电源电压限幅电路。

41、本申请提供的电源电压限幅电路、lin总线控制芯片和微处理芯片,包括限幅电路和稳压电路,限幅电路包括第一耗尽型晶体管和第一电阻,第一耗尽型晶体管的第一端接收电源电压,第一耗尽型晶体管的第二端连接第一电阻的第一端,作为限幅电路的输出端,第一电阻的第二端接地。稳压电路的第一端连接第一耗尽型晶体管的栅极,稳压电路的第二端连接限幅电路的输出端。稳压电路用于在限幅电路的输出电压高于预设电压时,控制第一耗尽型晶体管的栅极电压,以降低限幅电路的输出电压,使得限幅电路能够持续为芯片内部电路提供所需电压,保证芯片内部电路正常工作。



技术特征:

1.一种电源电压限幅电路,其特征在于,所述电路包括:

2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述稳压电路包括:

3.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述稳压电路包括:

4.根据权利要求3所述的电路,其特征在于,所述稳压电路包括:

5.根据权利要求4所述的电路,其特征在于,所述第一分压电路包括第一分压器件,所述第二分压电路包括第二分压器件,所述第三分压电路包括第三分压器件。

6.根据权利要求5所述的电路,其特征在于,所述第一分压器件包括:多个级联的第一二极管;

7.根据权利要求1-6中任意一项所述的电路,其特征在于,所述电路包括:限流电路;

8.根据权利要求7所述的电路,其特征在于,所述第一限流模块包括:

9.根据权利要求7所述的电路,其特征在于,所述第一限流模块包括:

10.根据权利要求8所述的电路,其特征在于,所述第一耗尽型晶体管和所述第二耗尽型晶体管为耗尽型nmos。

11.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,所述第一增强型晶体管为增强型pmos。

12.一种lin总线控制芯片,其特征在于,包括权利要求1-11中任意一项所述的电源电压限幅电路。

13.一种微处理芯片,其特征在于,包括权利要求1-11中任意一项所述的电源电压限幅电路。


技术总结
本申请提供一种电源电压限幅电路、LIN总线控制芯片和微处理芯片,限幅电路包括第一耗尽型晶体管和第一电阻,第一耗尽型晶体管的第一端接收电源电压,第二端连接第一电阻的第一端,作为限幅电路的输出端。稳压电路的第一端连接第一耗尽型晶体管的栅极,稳压电路的第二端连接限幅电路的输出端。稳压电路用于在限幅电路的输出电压高于预设电压时,控制第一耗尽型晶体管的栅极电压,以降低限幅电路的输出电压。

技术研发人员:霍显杰,罗兰宇
受保护的技术使用者:成都极海科技有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/2/8
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