基于MCU控制DC-DC隔离开关电源电路的制作方法

文档序号:36421030发布日期:2023-12-20 10:35阅读:104来源:国知局
基于的制作方法

本发明涉及电源领域,尤其涉及基于mcu控制dc-dc隔离开关电源电路。


背景技术:

1、传统d c-dc开关电源一般采用共地控制方法,不能满足通讯,医疗,精密仪器上面对高干抗,燥声要求高的电源应用上面.采用变压器隔离这种隔离技术可以有效地防止输入电路与输出电路之间的电气干扰,提高电源的稳定性和可靠性。此外,隔离型dc-dc电源还可以实现输入和输出之间的电气隔离,保护设备和用户免受电气冲击和电感干扰等问题。


技术实现思路

1、为解决上述问题,本技术方案提供基于mcu控制dc-dc隔离开关电源电路。

2、为实现上述目的,本技术方案如下:

3、基于mcu控制dc-dc隔离开关电源电路,包括;

4、输入端p1,所述输入端p1输出一电压vdd;

5、主控单元u2,所述主控单元u2用于输出pwm信号,还包括mos管q1、mos管q2、mos管q3以及mos管q4,所述主控单元u2与所述mos管q1的栅极连接,其漏极与所述电压vdd连接,其源极分别与变压器t1以及所述mos管q3的漏极连接,所述mos管q3的栅极与所述主控单元u2连接,源极接地,所述mos管q2的栅极与所述主控单元u2连接,漏极与所述vdd连接,源极分别与所述变压器t1以及所述mos管q4的漏极连接,所述mos管q4的栅极与所述主控单元u2连接,源极接地;

6、所述变压器t1的输出端与输出端p2连接。

7、在一些实施例中,还包括光耦u3,所述光耦u3的集电极通过电阻r6与输入电压连接,还与所述主控单元u2连接,发射极接地,其发光端正极通过电阻r4与所述变压器t1的输出端连接,发光端正极与负极之间设有电阻r7,其负极还与恒流单元u4连接,所述恒流单元u4的一端接地,其基准端通过电阻r10接地,其基准端还通过电阻r9与所述变压器t1的输出端连接。

8、在一些实施例中,还包括与所述输入端p1依次连接的电阻r2、电阻r5以及电容c5,所述电容c5与所述主控单元u2连接,所述电阻r5并联有电容c4,所述电容c4一端接地。

9、在一些实施例中,所述主控单元u2的两个输出端之间设有晶振x1,所述晶振x1两端分别通过电容c6和电容c7接地。

10、在一些实施例中,所述主控单元u2的检测端通过电阻r3与所述输入电压连接,所述电阻r3通过热敏电阻ntc1接地。

11、本申请有益效果为:

12、本申请在工业控制和自动化系统:隔离型dc-dc电源可以用于dc母线电压变换、电机驱动、传感器供电等方面,提供稳定和可靠的电源支持,在通信系统中,隔离型dc-dc电源可以用于移动通信基站、光纤通信、卫星通信等领域,提供高效、稳定的电源,在医疗设备中,隔离型dc-dc电源可以用于医疗设备中的电源模块、电动机驱动、医疗传感器等方面,保证设备的稳定和安全。



技术特征:

1.基于mcu控制dc-dc隔离开关电源电路,其特征在于,包括;

2.根据权利要求1所述的基于mcu控制dc-dc隔离开关电源电路,其特征在于:还包括光耦u3,所述光耦u3的集电极通过电阻r6与输入电压连接,还与所述主控单元u2连接,发射极接地,其发光端正极通过电阻r4与所述变压器t1的输出端连接,发光端正极与负极之间设有电阻r7,其负极还与恒流单元u4连接,所述恒流单元u4的一端接地,其基准端通过电阻r10接地,其基准端还通过电阻r9与所述变压器t1的输出端连接。

3.根据权利要求2所述的基于mcu控制dc-dc隔离开关电源电路,其特征在于:还包括与所述输入端p1依次连接的电阻r2、电阻r5以及电容c5,所述电容c5与所述主控单元u2连接,所述电阻r5并联有电容c4,所述电容c4一端接地。

4.根据权利要求3所述的基于mcu控制dc-dc隔离开关电源电路,其特征在于:所述主控单元u2的两个输出端之间设有晶振x1,所述晶振x1两端分别通过电容c6和电容c7接地。

5.根据权利要求4所述的基于mcu控制dc-dc隔离开关电源电路,其特征在于:所述主控单元u2的检测端通过电阻r3与所述输入电压连接,所述电阻r3通过热敏电阻ntc1接地。


技术总结
基于MCU控制DC‑DC隔离开关电源电路,包括;输入端P1,所述输入端P1输出一电压VDD;主控单元U2,所述主控单元U2用于输出PWM信号,还包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3以及MOS管Q4,所述主控单元U2与所述MOS管Q1的栅极连接,其漏极与所述电压VDD连接,其源极分别与变压器T1以及所述MOS管Q3的漏极连接,所述MOS管Q3的栅极与所述主控单元U2连接,源极接地,所述MOS管Q2的栅极与所述主控单元U2连接,漏极与所述VDD连接,源极分别与所述变压器T1以及所述MOS管Q4的漏极连接,所述MOS管Q4的栅极与所述主控单元U2连接,源极接地;所述变压器T1的输出端与输出端P2连接。

技术研发人员:李志平
受保护的技术使用者:广东东菱电源科技有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/15
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