一种用于BMS多电源供电的防反接电路的制作方法

本发明涉及动力电池，尤其是一种用于bms多电源供电的防反接电路。

背景技术：

1、电动汽车是目前新能源汽车的主要发展方向，电池包为电动汽车核心部件，其成本占据了整车成本近一半，决定了电动汽车的发展前景。

2、bms产品的dv试验，有一项要求供电电压跌落到4.5v时，bms可以正常工作，而不复位。通常会使用二极管去做电源防反，用二极管虽然电路比较简单，但存在一个问题，其正向导致压降较大(0.7v左右)，此压降在供电电压正常的时候不会有影响，但是进行电压跌到4.5v测试时，实际到达bms内电源转换芯片的电压变成4.5-0.7＝3.8v，对于最低工作电压为4.5v的芯片(如can芯片类)，电压过低会导致其工作异常，不能通过dv测试。如果用升压的方式进行电源转换，需要额外增加电路，大大增加成本。如果使用mos的方式供电，由于mos上的导通阻抗很小(mω级)，导通压降可忽略不计，则可以很好解决此问题。但使用mos方式有一个缺点，由于mos管需要一直处于导通状态，当有多路供电并联时，高电压回路会向低电压回路反灌，导致工作异常。

技术实现思路

1、为了克服上述现有技术中的缺陷，本发明提供一种用于bms多电源供电的防反接电路，适用于多电源供电，能够兼顾供电回路上的压降问题和电压倒灌问题。

2、为实现上述目的，本发明采用以下技术方案，包括：

3、一种用于bms多电源供电的防反接电路，包括：第一mos管q1、第二mos管q2、第三mos管q3、第一电阻r1、第二电阻r2、第三电阻r3、第四电阻r4；

4、其中，第一mos管q1连接在供电电路上，第一mos管q1的漏极与外部电源p连接，第一mos管q1的源极与供电电路输出端连接，第一mos管q1的栅极通过第三电阻r3、第四电阻r4接地；

5、第二mos管q2的源极与第一mos管q1的漏极连接，第二mos管q2的漏极通过第二电阻r2接地，第二mos管q2的栅极通过第一电阻r1、第二电阻r2接地；

6、第三mos管q3的源极与第一mos管q1的源极连接，第三mos管q3的漏极通过第三电阻r3接地，第三mos管q3的栅极与第二mos管q2的栅极连接；

7、各个mos管上均设有体二极管，体二级管的正极与mos管的漏极连接，体二级管的负极与mos管的源极连接。

8、优选的，若有多个外部电源p，即有多个供电电路，则在每个供电电路上分别设有防反接电路；每个供电电路的输出端相连接后作为bms多电源供电的输出端，输出bms的供电电源。

9、优选的，若在多个外部电源p中，外部电源px的电压最大，则外部电源px对应的防反接电路中的第一mos管q1x为导通，其余外部电源对应的防反接电路中的第一mos管q1为不导通。

10、优选的，第二mos管q2和第三mos管q3为参数相同的同型号mos管。

11、优选的，第二电阻r2与第三电阻r3的阻值相等。

12、本发明的优点在于：

13、(1)本发明适用于多电源供电，能够兼顾供电回路上的压降问题和电压倒灌问题。

14、(2)本发明解决了采用二极管做电源防反时，回路上压降大的问题。

15、(3)本发明针对多电源供电，保证电压高的优先输出，且电压高的电源不会往电压低的电源上倒灌。

16、(4)本发明的防反接电路实现过程简单，不需要比较每路电源的电压或者通过单片机来控制每路mos的开关，可靠性更高，成本更低。

17、(5)本发明的防反接电路使用元器件少，成本低。

技术特征：

1.一种用于bms多电源供电的防反接电路，其特征在于，包括：第一mos管q1、第二mos管q2、第三mos管q3、第一电阻r1、第二电阻r2、第三电阻r3、第四电阻r4；

2.根据权利要求1所述的一种用于bms多电源供电的防反接电路，其特征在于，若有多个外部电源p，即有多个供电电路，则在每个供电电路上分别设有防反接电路；每个供电电路的输出端相连接后作为bms多电源供电的输出端，输出bms的供电电源。

3.根据权利要求1所述的一种用于bms多电源供电的防反接电路，其特征在于，若在多个外部电源p中，外部电源px的电压最大，则外部电源px对应的防反接电路中的第一mos管q1x为导通，其余外部电源对应的防反接电路中的第一mos管q1为不导通。

4.根据权利要求1所述的一种用于bms多电源供电的防反接电路，其特征在于，第二mos管q2和第三mos管q3为参数相同的同型号mos管。

5.根据权利要求2所述的一种用于bms多电源供电的防反接电路，其特征在于，第二电阻r2与第三电阻r3的阻值相等。

技术总结
本发明公开了一种用于BMS多电源供电的防反接电路，涉及动力电池技术领域，包括：MOS管Q1、Q2、Q3，电阻R1、R2、R3、R4。MOS管Q1连接在供电电路上，Q1的漏极与外部电源P连接，Q1的源极与供电电路输出端连接，Q1的栅极通过电阻R3、R4接地；MOS管Q2的源极与Q1的漏极连接，Q2的漏极通过电阻R2接地，Q2的栅极通过电阻R1、R2接地；MOS管Q3的源极与Q1的源极连接，Q3的漏极通过电阻R3接地，Q3的栅极与Q2的栅极连接。各个MOS管上均设有体二极管，体二级管的正极与漏极连接，体二级管的负极与源极连接。本发明适用于多电源供电，能够兼顾供电回路上的压降问题和电压倒灌问题。

技术研发人员：苏阳,王云,姜明军,孙艳,沈永柏,江梓贤,刘欢
受保护的技术使用者：合肥力高动力科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/24