低成本低温漂高电源抑制比振荡电路

本发明属于电子电路，具体涉及一种低成本低温漂高电源抑制比振荡电路。

背景技术：

1、大数据信息时代的到来，各种便携式设备及其智能家具层出不穷。各设备与设备之间、芯片与芯片之间以及芯片内部都需要对信息进行处理和控制。振荡器作为数字以及模拟信号处理和控制中不可或缺的组成部分，其性能的好坏将影响整个芯片的性能。此外，随着集成化和设备小型化的需求，传统的石英晶体振荡器无法满足一些低成本高集成化的应用场景。因此对于片内集成高性能振荡器的需求呼之欲出。

2、目前大多数片内振荡器采用传统的rc振荡器，通过对电容的充放电来实现翻转的时钟信号。其振荡频率往往受工艺误差、温度变化以及工作电压变化的影响，进而造成与期望频率有很大的偏差。因此，大多数振荡电路通过提升充电电流和翻转电压的温度特性以及采用较高工艺稳定性的金属电容来减小温度和工艺的影响，但是其设计复杂度较高，导致资源占用率大，工艺成本较高。

技术实现思路

1、为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种低成本低温漂高电源抑制比振荡电路。本发明通过以下技术方案实现：

2、本发明提供了一种低成本低温漂高电源抑制比振荡电路，包括：

3、温度补偿电流产生电路、共源共栅镜像电路、充放电控制电路、放电判别电路、以及复位置位rs触发器，第一电流源；

4、温度补偿电流产生电路的输出端与共源共栅镜像电路的输入端连接；

5、共源共栅镜像电路的输出端分别与充放电控制电路的第一输入端和第二输入端连接；

6、充放电控制电路第一输出端与放电判别电路的第一输入端连接，第二输出端与放电判别电路的第二输入端连接；

7、rs触发器的第一输入端与放电判别电路的第一输出端连接，第二输入端与放电判别电路的第二输出端连接，第一输出端与充放电控制电路的第四输入端和第五输入端连接，第二输出端分别与充放电控制电路的第三输入端和第六输入端连接；

8、第一电流源分别与充放电控制电路的第七输入端和第八输入端连接；

9、温度补偿电流产生电路，用于产生第一温度补偿电流；

10、共源共栅镜像电路，用于对第一温度补偿电流进行镜像处理，得到第二温度补偿电流；

11、充放电控制电路，用于根据第二温度补偿电流、rs触发器的输出信号和第一电流源的输出电流，对内部器件进行充放电处理，以输出第一电压信号和第二电压信号；

12、放电判别电路，用于根据第一电压信号和第二电压信号输出相应的第一电平信号和相应的第二电平信号；

13、rs触发器，用于根据第一电平信号和第二电平信号，输出第一时钟信号和第二时钟信号，第一时钟信号与第二时钟信号频率相同，相位相反。

14、本发明的有益效果：

15、本发明提供的低成本低温漂高电源抑制比振荡电路，通过温度补偿电流产生电路和共源共栅镜像电路，产生具有与电容充放电电压差具有相同的温度系数的补偿电流，降低温度漂移，其工艺及结构简单，能够在实现较高的温度系数和电源抑制比的同时，降低电路面积和成本，具有更广阔的应用前景。

16、以下将结合附图及实施例对本发明做进一步详细说明。

技术特征：

1.一种低成本低温漂高电源抑制比振荡电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述温度补偿电流产生电路，包括：

3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述充放电控制电路，包括第一充放电控制单元和第二充放电控制单元；

4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述放电判别电路，包括第一放电判别单元和第二放电判别单元；

5.根据权利要求2-4任一所述的电路，其特征在于，充放电控制单元，包括充放电控制子单元和mos管电容；

6.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述可修调零温电阻单元，包括n-2n译码器、2n个反相器、2n个电阻，以及2n个传输门开关，n为正整数；

7.根据权利要求6所述的电路，其特征在于，所述温度补偿电流产生单元，包括第二电流源、第一晶体管和第二晶体管，以及运算放大器；

8.根据权利要求6或7所述的电路，其特征在于，所述共源共栅镜像电路，包括第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管；

9.根据权利要求8所述的电路，其特征在于，所述充放电控制单元，包括第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管和第十晶体管，以及mos管电容；

10.根据权利要求9所述的电路，其特征在于，放电判别单元，包括第十一晶体管、第十二晶体管，以及第三电流源；

技术总结
本发明提供了一种低成本低温漂高电源抑制比振荡电路，包括：温度补偿电流产生电路、共源共栅镜像电路、充放电控制电路、放电判别电路、以及复位置位RS触发器，第一电流源。其通过温度补偿电流产生电路和共源共栅镜像电路，产生具有与电容充放电电压差具有相同的温度系数的补偿电流，降低温度漂移，其工艺及结构简单，能够在实现较高的温度系数和电源抑制比的同时，降低电路面积和成本，具有更广阔的应用前景。

技术研发人员：胡辉勇,付子杰,舒斌,王利明,张宁宁,苗田,林大松,吴颖颖
受保护的技术使用者：西安电子科技大学
技术研发日：
技术公布日：2024/3/24