一种2W以内半桥谐振式感应无线充电电路的制作方法

文档序号:34650271发布日期:2023-06-29 19:25阅读:98来源:国知局
一种2W以内半桥谐振式感应无线充电电路的制作方法

本技术涉及充电电路,具体的说是涉及一种2w以内半桥谐振式感应无线充电电路。


背景技术:

1、2w充电功率以内的智能设备的感应式无线充电需求日益旺盛,目前市场上运用的感应式无线充电以全桥串联谐振方式采用全桥串联谐振方式。

2、全桥串联谐振方式具有以下不足之处:

3、1.外围电路复杂,对于智能设备来讲体积是很大的制约因素。

4、2.针对2w以内小功率无线充性价比不高。


技术实现思路

1、针对现有技术中的不足,本实用新型要解决的技术问题在于提供了一种2w以内半桥谐振式感应无线充电电路,设计该无线充电电路的目的是减少外围电路,提高性价比。

2、为解决上述技术问题,本实用新型通过以下方案来实现:本实用新型的一种2w以内半桥谐振式感应无线充电电路,包括:

3、第一发射电路,该第一发射电路具有第一初级线圈、第一电源管理芯片、多个电阻、多个电容以及一晶体管q18,所述第一初级线圈两端之间连接有电容c5,其接电端连接有电容c4,所述第一初级线圈的另一端连接至所述晶体管q18的漏极,所述第一初级线圈和所述晶体管q18组成单mos电力发送电路fig3,所述晶体管q18的源极连接有发射电流检测电路fig8,所述发射电流检测电路fig8连接通讯码解码电路fig9,所述通讯码解码电路fig9连接所述第一电源管理芯片,所述晶体管q18的栅级连接至所述第一电源管理芯片;

4、第一接收电路,该第一接收电路具有次级线圈电力接收感应fig1,及与所述次级线圈电力接收感应fig1连接的第一整流电路fig2,所述第一整流电路fig2将由所述次级线圈电力接收感应fig1输出的ac转dc输出。

5、进一步的,所述第一电源管理芯片的vdd脚接入电源、电容c6、电阻r1;

6、所述第一电源管理芯片的fr脚连接所述电阻r1的另一端、电阻r2,所述电阻r2的另一端接地;

7、所述第一电源管理芯片的gnd脚连接所述电容c6的另一端并接地;

8、所述第一电源管理芯片的led脚连接电阻r3,所述电阻r3的另一端连接发光二极管d1的负极,所述发光二极管d1的正极接入电源;

9、所述第一电源管理芯片的is脚分别连接电阻r4、电容c7;

10、所述第一电源管理芯片的cs脚分别连接电阻r6、电容c2,所述电阻r4、电容c7、电阻r6、电容c2组成所述通讯码解码电路fig9;所述电阻r4的另一端和所述电阻r6的另一端连接并接入所述晶体管q18的源极,所述电容c7的另一端和所述电容c2的另一端连接并接地,电阻r5的一端接至所述晶体管q18的源极,所述电阻r5的另一端连接所述电容c2的接地端,所述电阻r5还和一电容c3并联,所述电阻r5和所述电容c3组成所述发射电流检测电路fig8。

11、所述第一电源管理芯片的sw脚连接至所述晶体管q18的栅级。

12、进一步的,所述次级线圈电力接收感应fig1的第一次级线圈的一脚连接有若干并联的第一电容,若干并联的第一电容另一端接地并连接有电容c8,所述电容c8的另一端接至所述第一次级线圈的电流输出脚,所述第一整流电路fig2包括两个第一晶体管,所述第一次级线圈的电流输出脚均连接至两个第一晶体管的漏极。

13、一种2w以内半桥谐振式感应无线充电电路,包括:

14、第二发射电路,该第二发射电路具有第二初级线圈、第二电源管理芯片、多个电阻、多个电容以及晶体管q7、晶体管q8,所述第二初级线圈的一端分别连接所述晶体管q7的漏极、晶体管q8的漏极,其另一端连接电容c11,所述晶体管q7的源极接入电源、电容c10,所述电容c10的另一端接地,所述晶体管q7的栅极接入所述第二电源管理芯片的pwmp脚,所述电容c10的另一端接地,所述晶体管q8的源极接地,其栅极接入所述第二电源管理芯片的pwmn脚,所述电容c11的另一端连接发射电流滤波放大检测电路fig6,该发射电流滤波放大检测电路fig6还接至所述第二电源管理芯片的opin脚,所述第二电源管理芯片还连接有通讯码解码电路fig7,所述第二初级线圈、晶体管q7、晶体管q8以及电容c11组成初级线圈半桥电力发送电路fig5;

15、第二接收电路,该第二接收电路具有次级线圈电力接收感应fig1,及与所述次级线圈电力接收感应fig1连接的半桥整流电路fig4,所述半桥整流电路fig4将由次级线圈电力接收感应fig1输出的ac转dc输出。

16、进一步的,所述发射电流滤波放大检测电路fig6包括电阻r14、电容c13、电阻r15、电容c12;

17、所述电容c11的另一端分别连接电阻r14、电容c13、电阻r15,所述电阻r14的另一端接入所述第二电源管理芯片的opin脚、电容c12的一端,所述电容c12的另一端接地,所述电容c13的另一端连接所述电容c12的接地端,所述电阻r15的另一端连接电容c12的接地端。

18、进一步的,所述通讯码解码电路fig7包括电阻r13、电容c14、电容c15,所述电阻r13的一端接至所述第二电源管理芯片的opo脚,其另一端连接至所述第二电源管理芯片的is脚、电容c15的一端,所述电容c15的另一端接地,所述电容c14的一端连接至所述第二电源管理芯片的cs脚,其另一端连接至所述电容c15的接地脚。

19、进一步的,所述第二电源管理芯片的vdd脚接入电源,其和第二电源管理芯片的gnd脚之间连接有电容c9,所述第二电源管理芯片的gnd脚接地;

20、所述第二电源管理芯片的ntc脚连接电阻r12和一可调电阻,所述电阻r12的另一端接入电源,所述可调电阻的另一端接地;

21、所述第二电源管理芯片的fr脚分别连接电阻r10、电阻r11,所述电阻r11的另一端接地,所述电阻r10的另一端接入电源;

22、所述第二电源管理芯片的fod脚分别连接电阻r7、电阻r8,所述电阻r8的另一端接地,所述电阻r7的另一端接入电源;

23、所述第二电源管理芯片的ledg脚、所述第二电源管理芯片的ledr脚均接有发光二极管,两个发光二极管的正极相连并连接有电阻r9,所述电阻r9的另一端接入电源。

24、进一步的,所述次级线圈电力接收感应fig1的第二次级线圈的一脚连接有若干并联的第二电容,若干并联的第二电容另一端接地并连接有电容c16,所述电容c16的另一端接至所述第二次级线圈的电流输出脚,所述半桥整流电路fig4包括两个第二晶体管,所述第二次级线圈的电流输出脚均连接至其中一个第二晶体管的漏极、另一个第二晶体管的源极。

25、相对于现有技术,本实用新型的有益效果是:

26、1.本实用新型将传统全桥串联谐振感应方式改进为半桥串联谐振感应方式,减少外围线路。

27、2.由于减少了外围线路,进而电路的制程相应的减少,降低了制作成本,提高性价比。



技术特征:

1.一种2w以内半桥谐振式感应无线充电电路,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的一种2w以内半桥谐振式感应无线充电电路,其特征在于,所述第一电源管理芯片的vdd脚接入电源、电容c6、电阻r1;

3.根据权利要求1所述的一种2w以内半桥谐振式感应无线充电电路,其特征在于,所述次级线圈电力接收感应fig1的第一次级线圈的一脚连接有若干并联的第一电容,若干并联的第一电容另一端接地并连接有电容c8,所述电容c8的另一端接至所述第一次级线圈的电流输出脚,所述第一整流电路fig2包括两个第一晶体管,所述第一次级线圈的电流输出脚均连接至两个第一晶体管的漏极。

4.一种2w以内半桥谐振式感应无线充电电路,其特征在于,包括:

5.根据权利要求4所述的一种2w以内半桥谐振式感应无线充电电路,其特征在于,所述发射电流滤波放大检测电路fig6包括电阻r14、电容c13、电阻r15、电容c12;

6.根据权利要求4所述的一种2w以内半桥谐振式感应无线充电电路,其特征在于,所述通讯码解码电路fig7包括电阻r13、电容c14、电容c15,所述电阻r13的一端接至所述第二电源管理芯片的opo脚,其另一端连接至所述第二电源管理芯片的is脚、电容c15的一端,所述电容c15的另一端接地,所述电容c14的一端连接至所述第二电源管理芯片的cs脚,其另一端连接至所述电容c15的接地脚。

7.根据权利要求4所述的一种2w以内半桥谐振式感应无线充电电路,其特征在于,所述第二电源管理芯片的vdd脚接入电源,其和第二电源管理芯片的gnd脚之间连接有电容c9,所述第二电源管理芯片的gnd脚接地;

8.根据权利要求4所述的一种2w以内半桥谐振式感应无线充电电路,其特征在于,所述次级线圈电力接收感应fig1的第二次级线圈的一脚连接有若干并联的第二电容,若干并联的第二电容另一端接地并连接有电容c16,所述电容c16的另一端接至所述第二次级线圈的电流输出脚,所述半桥整流电路fig4包括两个第二晶体管,所述第二次级线圈的电流输出脚均连接至其中一个第二晶体管的漏极、另一个第二晶体管的源极。


技术总结
本技术公开了一种2W以内半桥谐振式感应无线充电电路,第一种方案:本技术通过单MOS电力发送电路FIG3,将电能转换成可变磁场。通过次级线圈电力接收感应FIG1将变化的磁场转换成交流电,再通过第一整流电路FIG2将交流转换成直流。最后通过后续DC-DC将直流降压成所需要的电压稳压输出。第二种方案:PWMP输出可调频率,通过初级线圈半桥电力发送电路FIG5,将电能转换成可变磁场。通过次级线圈电力接收感应FIG1将变化的磁场转换成交流电,再通过半桥整流电路FIG4将交流转换成直流。最后通过后续DC-DC将直流降压成所需要的电压稳压输出。本技术减少外围线路、降低成本。

技术研发人员:江雄,李丽萍
受保护的技术使用者:深圳市安浩芯科技有限公司
技术研发日:20230210
技术公布日:2024/1/12
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