一种低成本的X射线源驱动装置的制作方法

文档序号:37380407发布日期:2024-03-22 10:32阅读:13来源:国知局
一种低成本的X射线源驱动装置的制作方法

本技术涉及电路领域,特别是涉及一种低成本的x射线源驱动装置。


背景技术:

1、现有的x射线源驱动装置中,常采用全桥llc谐振电路通过直接谐振驱动射线源变压器的方式,来产生高压。这种方式会利用阻抗、感抗以及容抗来进行分压,而由于感抗、容抗的大小都是频率f的函数,故随着频率的变化,感抗、容抗的大小就会随之变化,励磁电感上的交流分压可以由驱动频率来进行调整,传输到次级经过整流,最终得到我们需要的输出电压。

2、现有的驱动电路及驱动方式,虽然能够做到较高的功率,但其消耗的硬件成本是相对较高的,比如:这种方式下需要四个mos管以及多个较为昂贵的电感及电容,不适用于低功率x射线源的驱动,造成了设计冗余,普适性较差,驱动成本较高。


技术实现思路

1、本实用新型的主要目的是,针对现有技术中所存在的上述问题,提供一种低成本的x射线源驱动装置,进而解决现有的驱动电路及驱动方式普适性较差以及驱动成本较高的问题。

2、为解决上述技术问题,本实用新型采用的一个技术方案是:提供一种低成本的x射线源驱动装置,包括:

3、高压驱动电路以及连接于所述高压驱动电路上的mos管电路;

4、所述高压驱动电路由:高频变压器t1、第一电容c、电感l、电容c2、电容c1、电容c3、电容c4、负载rf以及四颗二极管组成;

5、所述mos管电路由:结型mos管、第二电容c以及电阻r1组成。

6、作为一种改进的方案,所述四颗二极管,包括:二极管d1、二极管d2、二极管d3和二极管d4;

7、所述第一电容c、所述电感l连接在高频变压器t1一端,所述电容c2、所述二极管d1、所述电容c1、所述二极管d2、所述电容c4、所述二极管d3、所述电容c3、所述二极管d4、所述负载rf依次连接在所述高频变压器t1另一端;

8、所述mos管电路连接于所述高频变压器t1上,且位于所述高频变压器t1与电感l之间的位置。

9、作为一种改进的方案,所述电阻r1与所述结型mos管的栅极连接;

10、所述第二电容c连接在所述结型mos管的漏极和源极。

11、作为一种改进的方案,所述电阻r1的规格为1k;

12、所述mos管电路的所有寄生电容规格为1000pf;

13、所述高频变压器t1的漏感和电感量为50uh。

14、作为一种改进的方案,所述高频变压器t1基于etd39骨架配置,所述etd39骨架上设有初级进线和次级进线;

15、所述初级进线紧贴所述etd39骨架走线并缠绕引脚设置;

16、所述次级进线缠绕引脚并紧贴所述etd39骨架设置。

17、作为一种改进的方案,所述高频变压器t1的etd39骨架的绕线层包括:依次设置的初级层、次级第一层、次级第二层、次级第三层、次级第四层、次级第五层、次级第六层、次级第七层、次级第八层、次级第九层和次级第十层。

18、作为一种改进的方案,所述初级层均绕设置有100股0.1的丝包线,匝数为12匝;

19、所述次级第一层密绕设置有0.11mm的漆包线,匝数为147匝;

20、所述次级第二层密绕设置有0.11mm的漆包线,匝数为137匝;

21、所述次级第三层密绕设置有0.11mm的漆包线,匝数为127匝;

22、所述次级第四层密绕设置有0.11mm的漆包线,匝数为117匝;

23、所述次级第五层密绕设置有0.11mm的漆包线,匝数为107匝;

24、所述次级第六层密绕设置有0.11mm的漆包线,匝数为97匝;

25、所述次级第七层密绕设置有0.11mm的漆包线,匝数为87匝;

26、所述次级第八层密绕设置有0.11mm的漆包线,匝数为77匝;

27、所述次级第九层密绕设置有0.11mm的漆包线,匝数为67匝;

28、所述次级第十层密绕设置有0.11mm的漆包线,匝数为57匝。

29、作为一种改进的方案,所述高频变压器t1的etd39骨架上,相邻的所述初级层和所述次级第一层之间设置有三层聚酷亚胺胶带;

30、所述高频变压器t1的etd39骨架,相邻的次级层间设置有两层聚酷亚胺胶带。

31、作为一种改进的方案,所述次级第一层至所述次级第十层的所有绕线均无缝隙设置,每层线面均组成一个平面且线无重叠;

32、所述次级第一层至所述次级第十层的每层线面距离所述etd39骨架两侧的距离逐层递减。

33、作为一种改进的方案,所述高频变压器t1的气隙为0.5mm;

34、所述高频变压器t1的etd39骨架的引脚1、引脚2、引脚5、引脚6、引脚9、引脚12、引脚13、引脚15和引脚16均为拔出状态。

35、本实用新型的有益效果是:

36、本实用新型所述的一种低成本的x射线源驱动装置,可以基于mos管的寄生电容与变压器的漏感谐振产生驱动波,不仅能够满足驱动性能的要求,同时降低了功率器件的使用数量,降低了驱动成本,并能够应用于高功率以及低功率的x射线源驱动中,具有较强的普适性。



技术特征:

1.一种低成本的x射线源驱动装置,其特征在于,包括:高压驱动电路以及连接于所述高压驱动电路上的mos管电路;

2.根据权利要求1所述的一种低成本的x射线源驱动装置,其特征在于:

3.根据权利要求1所述的一种低成本的x射线源驱动装置,其特征在于:

4.根据权利要求1所述的一种低成本的x射线源驱动装置,其特征在于:

5.根据权利要求1所述的一种低成本的x射线源驱动装置,其特征在于:

6.根据权利要求1所述的一种低成本的x射线源驱动装置,其特征在于:

7.根据权利要求6所述的一种低成本的x射线源驱动装置,其特征在于:

8.根据权利要求6所述的一种低成本的x射线源驱动装置,其特征在于:

9.根据权利要求6所述的一种低成本的x射线源驱动装置,其特征在于:

10.根据权利要求6所述的一种低成本的x射线源驱动装置,其特征在于:


技术总结
本技术公开了一种低成本的X射线源驱动装置,包括:高压驱动电路以及连接于高压驱动电路上的MOS管电路;高压驱动电路由:高频变压器T1、第一电容C、电感L、电容C2、电容C1、电容C3、电容C4、负载RF以及四颗二极管组成;MOS管电路由:结型MOS管、第二电容C以及电阻R1组成;本技术能够基于MOS管的寄生电容与变压器的漏感谐振产生驱动波,不仅能够满足驱动性能的要求,同时降低了功率器件的使用数量,降低了驱动成本,并能够应用于高功率以及低功率的x射线源驱动中,具有较强的普适性。

技术研发人员:苏文昊
受保护的技术使用者:江苏尚飞光电科技股份有限公司
技术研发日:20230818
技术公布日:2024/3/21
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