1.一种基于有源钳位的低电流应力软开关boost电路，其特征在于，包含boost主电路和辅助电路；boost主电路包含主电路电感l、功率mosfet主开关管s1和功率二极管do；辅助电路包含一个辅助开关管s2、两个辅助电感lr1、lr2、一个箝位电容cr和一个辅助二极管dr；
2.根据权利要求1所述的基于有源钳位的低电流应力软开关boost电路，其特征在于，所述辅助电感lr2与辅助二极管dr串联组成第一支路，所述辅助开关管s2与箝位电容cr串联组成第二支路，所述第二支路与辅助电感lr1并联组成第三支路，所述第三支路与功率二极管do串联组成第四支路，所述第四支路与功率mosfet主开关s1并联组成第五支路，第五支路与主电路电感l串联组成第六支路。
3.根据权利要求1所述的基于有源钳位的低电流应力软开关boost电路，其特征在于，所述基于有源钳位的低电流应力软开关boost电路的一个开关周期内共包含10个状态，其中，功率mosfet主开关管s1的导通占空比为d，l代表主电路电感值，cr代表箝位电容值，箝位电容cr的两端电压为vcr，icr(t)为流过箝位电容cr的电流，lr1、lr2分别为两个辅助电感值，ilr1(t)、ilr2(t)分别为流过辅助电感lr1、lr2的电流，il(t)为流过主电路电感l的电流，cs1和cs2分别代表功率mosfet主开关管s1和辅助开关管s2的寄生电容值，vds1(t)为功率mosfet主开关管s1漏极和源极两端电压，vds2(t)为辅助开关管s2的漏极和源极两端电压，ids1(t)、ids2(t)分别为流过功率mosfet主开关管s1和辅助开关管s2的漏极和源极的电流，ido(t)为流过功率二极管do的电流，输入电压为vin，输出电压为vo，开关频率为fs，开关周期为ts = 1/fs；具体如下：
4.根据权利要求3所述的基于有源钳位的低电流应力软开关boost电路，其特征在于，状态1：时间段[t0,t1]，功率mosfet主开关管s1开通阶段；
5.根据权利要求3所述的基于有源钳位的低电流应力软开关boost电路，其特征在于，状态2中，直到辅助开关管s2 的反并联二极管导通，此过程结束；
6.根据权利要求3所述的基于有源钳位的低电流应力软开关boost电路，其特征在于，状态3：时间段[t2,t3]，辅助开关管s2反并联二极管导通；
7.根据权利要求3所述的基于有源钳位的低电流应力软开关boost电路，其特征在于，状态4中，当辅助开关管s2开通，该过程结束；
8.根据权利要求3所述的基于有源钳位的低电流应力软开关boost电路，其特征在于，状态5中，流过辅助电感lr1、lr2的电流ilr1(t)与电流ilr2(t)按(1.5)式的规律变化；当ilr1(t)=ilr2(t) = il(t)时，此过程结束；
9.根据权利要求3所述的基于有源钳位的低电流应力软开关boost电路，其特征在于，状态6中，当辅助开关管s2关断时，此过程结束；
10.根据权利要求3所述的基于有源钳位的低电流应力软开关boost电路，其特征在于，状态8中，当功率mosfet主开关管s1开通时，此过程结束；