专利名称：具有调压恒量控制的可控硅开关的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种无触点开关领域，它属于可调压并恒量控制的可控硅开关。
现有的可控硅控制开关，多数控制的控制脉冲都是以单结晶体管、脉冲变压器或高放大倍数的脉冲放大器来实现。因此，必须采用很大移相脉冲来控制。致使这种微弱的传感器信号必然通过放大来实现控制，并且放大倍数必须很高，不仅造成结构复杂，而且可靠性及稳定性能也较差。
针对上述问题，本实用新型的目的在于提出一种结构简单、成本低，并能实现调节电压和恒量控制的可控硅开关。
本实用新型是这样实现的它采用单向可控硅调压恒量控制部件并直接控制功率放大部件。其控制部件由主回路与控制电路组成，主回路是在二极管整流桥的正极端依次接限流电阻、单向可控硅的阳极，在整流桥负极端接单向可控硅阴极而组成；控制电路由并接在整流桥正、负极两端的串连电阻、电容及串连在电阻、电容公共端点的电阻、可变电阻和串连在两电阻公共端的二极管至单向可控硅控制极，接在控制极、阴极之间的电阻而组成。
附图
为本实用新型的电路图。
现结合附图给出的实施例对本实用新型作进一步说明。
功率放大部件由双向可控硅(10)及接在其控制极与阴极之间的分流电阻(11)组成。
当电源接通后，连接在点(17)与双向可控硅(10)阳极之间的负载(12)便可进行调压恒量控制。由于从整流桥(9)正极端(13)流出的每个半波电流，经过电阻(6)和电容(4)移相控制而从接点(15)流入电阻(5)的电流，再经可变电阻(2)分流控制经接点(16)、二极管(3)并通过电阻(1)再次分流，流入控制极。因此，当单向可控硅(8)的控制极电流达到其触发电流时，单向可控硅导通，同时双向可控硅(11)亦能触发导通。当可变电阻(2)的电阻为零时，在整个半波中单向可控硅控制极的电流为零，输出电压也为零；当逐渐增加可变电阻的阻值时，由于控制极电流分流系数加大，流过控制极的电流也加大，当按正弦变化的电流等于单向可控硅的触发电流的时刻，单向可控硅和双向可控硅同时被触发导通，导通的电流由电阻(7)来限制。可变电阻的电阻越大，达到可控硅触发电流的时刻就越早，输出电压也越大，反之，可变电阻的阻值越小，达到可控硅触发电流的时刻越晚，输出电压越小，以此达到调压控制之目的。当可变电阻采用负系数传感器电阻替换时，其工作过程与调压相同，但可达到恒量控制之目的，如，负载为电加热器并进行温度控制时，其对应于某一温度的传感器的电阻是一定值，输出电压也是一定值，电加热器输出功率也是一定值，当外界因素变化使温度升高时，负系数温度传感器电阻的阻值由于按负系数变化而减小，因此，输出电压降低，输出的功率也就降低，随之温度下降。反之，当加热器温度降低时，电阻值增大，输出电压及功率就增大，以此达到恒温控制之目的。
本实用新型的结构简单，较之现有控制开关，其成本降低很多。能对电压、温度等进行调压、恒温控制，并且控制精度很高，稳定性也好，调压恒量控制的效率也很高。它不仅适于工业，而且也适于家用电器调压、恒压控制。
权利要求1.一种具有调压、恒量控制的可硅开关，其特征在于具有调压恒量控制部件及功率放大部件，所说的控制部件由二极管整流桥(9)及串连于整流桥正、负极端(13、14)的限流电阻(7)，单向可控硅(8)的阳、阴极端构成的主回路与由并联在端点(13、14)的串连电阻(6)、电容(4)及串连在电阻(6)、电容(4)的公共连接点(15)和整流桥负极端(14)间的电阻(5)、可变电阻(2)和串接在两电阻公共端(16)和(14)间的二极管(3)至可控硅控制极，接在控制极、阴极端的电阻(1)杓成的控制电路而组成。
2.根据权利要求1所述的可控硅开关，其特征在于可变电阻(2)可采用恒量控制的负系数传感电阻。
专利摘要本实用新型提供了一种具有调压恒量控制的可控硅开关。它是由调压恒量控制部件及功率放大部件组成，其控制部件是由二极管整流桥及限流电阻、单向可控硅构成的主回路与由电阻、电容、二极管及可变电阻构成的控制电路而组成，并且可变电阻还可采用恒量控制的负系数传感器电阻替换，本开关电路繁单，成本低，但可有效地调压并恒量控制，精度很高，稳定性也好。
文档编号H02M1/06GK2054954SQ89214350
公开日1990年3月21日 申请日期1989年7月18日 优先权日1989年7月18日
发明者李文彬, 李立新 申请人:李文彬