一种rf mems开关硅梁结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种RF MEMS开关硅梁结构，属于射频技术领域。
【背景技术】
[0002]F MEMS开关要求具有响应时间短、能耗低和易集成等特点，不同形式打折梁、不同厚度等结构参数对上述性能有重要的影响，实验表明，为降低结构的谐振频率和驱动电压，支撑上电极和介质膜的梁必须设计为打折梁，梁的长度越长且整个结构越对称，结构的模态特性越好，同时其阈值电压越低，应力分布越均匀。支撑上电极和介质膜的梁的厚度越薄，结构的谐振频率越低，阈值电压越低，结构的性能越好。
【发明内容】
[0003]针对现有技术的不足，本发明的目的是提供一种RF MEMS开关硅梁结构，通过选取合理结构的硅梁结构，有效降低其谐振频率和阈值电压，开关响应时间短、易集成。
[0004]为实现上述目的，本发明是通过以下技术手段来实现的:
一种RF MEMS开关硅梁结构，包括上电极、锚点，其特征在于:所述上电极和锚点采用两对对称Z形梁连接。
[0005]所述的一种RF MEMS开关硅梁结构，其特征在于:所述Z形梁竖边为横边长度2_5倍。
[0006]所述的一种RF MEMS开关硅梁结构，其特征在于:所述Z形梁竖边为横边长度4倍。
[0007]所述的一种RF MEMS开关硅梁结构，其特征在于:所述Z形梁厚度为3— 5 μ m。
[0008]所述的一种RF MEMS开关娃梁结构，其特征在于:所述Z形梁厚度为4 μ m。
[0009]所述的一种RF MEMS开关娃梁结构，其特征在于:所述Z形梁材料选用Al / Si /Al合金。
[0010]本发明的有益效果是:本发明通过选取合理结构的硅梁结构，有效降低其谐振频率和阈值电压，开关响应时间短、易集成。
【附图说明】
[0011]图1为本发明结构示意图。
【具体实施方式】
[0012]下面将结合说明书附图，对本发明作进一步的说明。
[0013]一种RF MEMS开关硅梁结构，包括上电极2、锚点1，其特征在于:所述上电极2和锚点I采用两对对称Z形梁3连接。
[0014]所述的一种RF MEMS开关硅梁结构，其特征在于:所述Z形梁竖边302为横边301长度2-5倍。
[0015]所述的一种RF MEMS开关硅梁结构，其特征在于:所述Z形梁竖边302为横边301长度4倍。
[0016]所述的一种RF MEMS开关硅梁结构，其特征在于:所述Z形梁3厚度为3— 5 μ m。
[0017]所述的一种RF MEMS开关硅梁结构，其特征在于:所述Z形梁3厚度为4 μ m。
[0018]所述的一种RF MEMS开关硅梁结构，其特征在于:所述Z形梁3材料选用Al /Si / Al合金。
[0019]以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征及优点。本行业的技术人员应该了解，本设计不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本设计的原理，在不脱离本设计精神和范围的前提下，本设计还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本设计范围内。本设计要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
【主权项】
1.一种RF MEMS开关硅梁结构，包括上电极、锚点，其特征在于:所述上电极和锚点采用两对对称Z形梁连接。
2.如权利要求1所述的一种RFMEMS开关硅梁结构，其特征在于:所述Z形梁竖边为横边长度2-5倍。
3.如权利要求2所述的一种RFMEMS开关硅梁结构，其特征在于:所述Z形梁竖边为横边长度4倍。
4.如权利要求1所述的一种RFMEMS开关硅梁结构，其特征在于:所述Z形梁厚度为3— 5 μ m0
5.如权利要求4所述的一种RFMEMS开关硅梁结构，其特征在于:所述Z形梁厚度为4 μ m0
6.如权利要求1所述的一种RFMEMS开关硅梁结构，其特征在于:所述Z形梁材料选用Al / Si / Al合金。
【专利摘要】一种RF MEMS开关硅梁结构，包括上电极、锚点，其特征在于：所述上电极和锚点采用两对对称Z形梁连接。本发明通过选取合理结构的硅梁结构，有效降低其谐振频率和阈值电压，开关响应时间短、易集成。
【IPC分类】H01H59-00
【公开号】CN104779122
【申请号】CN201510138701
【发明人】杨俊民
【申请人】苏州锟恩电子科技有限公司
【公开日】2015年7月15日
【申请日】2015年3月27日