058]第二斩波部分30中的五MOS管30a替换为第九电容210a，第六MOS管30b替换为第十电容210b，从而第二斩波部分30即可以作为斩波电路还可以作为倍压整流电路。
[0059]实施例三:
[0060]在本发明实施例中还提供了一种谐振电路，图5所示，在图5所示的谐振电路中，第一斩波部分20以及第二斩波部分30的结构与图2所示的谐振电路结构完全相同，但是在图5所示的谐振电路中还包括了第一开关40e，该第一开关40e设置在第一储能器件40a和电感40c之间，当第一控制源10为直流电源，并且第二控制源50为负载时，则第一开关40e断开,此时第一储能器件40a未接入谐振电路,这样由第二储能器件40b、电感40c、电容40d形成谐振腔，这样就避免了在第一储能器件40a接入谐振电路后造成的励磁损耗。
[0061]当然，在第一控制源10为负载，第二控制源50为直流电源时，则第一开关40e闭合，此时第一储能器件40a接入谐振电路，由第一储能器件40a、电感40c、电容40d形成谐振腔，其谐振原理在此就不再详述。
[0062]实施例四:
[0063]在本发明实施例中还提供了一种谐振电路，图6所示，在图6所示的谐振电路中，第一斩波部分20以及第二斩波部分30的结构与图2所示的谐振电路的结构完全相同，但是在图6所示的谐振电路中还包括了第二开关40f，该第二开关40f设置在第一储能器件40a和电感40c之间，当第一控制源10为直流电源，并且第二控制源50为负载时，则第二开关40e闭合,此时第二储能器件40b接入谐振电路,这样由第二储能器件40b、电感40c、电容40d形成谐振腔。
[0064]在第一控制源10为负载，第二控制源50为直流电源时，则第二开关40f闭合，此时第二储能器件40b未接入谐振电路，由第一储能器件40a、电感40c、电容40d形成谐振腔，这样就避免了在第二储能器件40b接入谐振电路后造成的励磁损耗。
[0065]在本发明实施例中，谐振电路中可以同时接入第一开关40e和第二开关40f，如图7所示，其第一开关40e和第二开关40f为图5与图6中的设置位置，因此，当第一控制源10为直流电源，并且第二控制源50为负载时，第一开关40e断开，第二开关40f闭合，此时由第二储能器件40b、电感40c、电容40d形成谐振腔；当第一控制源10为负载，并且第二控制源50为直流电源时，第一开关闭合，第二开关断开，此时由第一储能器件40a、电感40c、电容40d形成谐振腔,这样可以避免能量正向流动时,第一储能器件40a造成的励磁损耗，当然也能避免在能量反向流动时，第二储能器件40b造成的励磁损耗。
[0066]另外，在本发明实施例中的谐振电路，第一电感60可以替换为第一电容50,如图8a所7K,在图8a所TK的谐振电路为将谐振电路中的第一电感60替换为第一电容50,第一电容50的电容值小于电容40d的电容值，此时在能量反向流动时，第一电容60、电感40c、电容40d组成LCC谐振腔，即形成LCC谐振电路，此时的LCC谐振电路可以隔断电路中的直流分量，从而避免电感中的磁饱和，提升了谐振电路的稳定性，其具体的实现过程在此就不再赘述；
[0067]图Sb所示的谐振电路第二电感80替换为第二电容70，第二电容70的电容值小于电容40d的电容值，其具体的实现原理在此就不再赘述。
[0068]简单的来讲，在本发明实施例中第一储能器件40a可以在第一电容50和第一电感60中任一选择一个器件，第二储能器件40b可以在第二电容70和第二电感80中任一选择一个器件。
[0069]实施例五:
[0070]在本发明实施例中还提供了一种谐振电路，图9所示，在图9所示的谐振电路中，第一储能器件40a包含第三电感90a、第四电感90b、第三开关100a、第四开关100b，串联的第三电感90a和第三开关10a并联在串联的第四电感90b和第四开关10b两端，第三电感90a的电感量为电感40c的电感量的j倍，j为大于等于3的正数，第四电感90b的电感量为电感40c的电感量的k倍，k为大于等于3的正数。
[0071]在此种情况下，当第一控制源10为负载，并且第二控制源50为直流电源时，则闭合第三开关10a以及断开第四开关100b，从而使第三电感90a接入谐振电路；或者断开第三开关10a以及闭合第四开关100b，从而使第四电感90b接入谐振电路；或者同时闭合第三开关10a和第四开关100b，从而使并联的第三电感90a和第四电感90b接入电路中，这样可以根据不同电路特征选择性的接入不同电感，比如说，在电源电压较高时，则选择接入电感量较大的电感，这样能够保证谐振电路中的励磁电流较小，进而降低谐振电路中MOS管的关断损耗；在电源电压较低时，则选择接入电感量较小的电感，这样能够保证谐振电路工作在低频时，可以有效的提高谐振电路的低频增益。
[0072]同理，第二储能器件40b可以包括:第五电感110a、第六电感110b、第五开关120a、第六开关120b (如图10所示)，串联的第五电感IlOa和第五开关120a并联在串联的第六电感IlOb和第六开关120b两端，第五电感IlOa的电感量为电感40c的电感量的P倍，P为大于等于3的正数，第六电感IlOb的电感量为电感40c的电感量的q倍，q为大于等于3的正数。这里的第二储能器件40b与图10中的第一储能器件40a的功能和效果完全相同。
[0073]实施例六:
[0074]在本发明实施例中还提供了一种谐振电路，图11所示，在图11所示的谐振电路中，第一储能器件40a包含第三电容130a、第四电容130b、第七开关140a、第八开关140b，串联的第三电容130a和第七开关140a并联在串联的第四电容130b和第八开关140b两端，其中，第三电容130a以及第四电容130b的电容值都小于电容40d的电容值。
[0075]在此种情况下，当第一控制源10为负载，并且第二控制源50为直流电源时，则闭合第七开关140a以及断开第八开关140b，从而使第三电容130a接入谐振电路；或者断开第七开关140a以及闭合第八开关140b，从而使第四电容130b接入谐振电路；这样可以根据不同电路特征选择性的接入不同电容。
[0076]同理，第二储能器件40b可以包括:第五电容150a、第六电容150b、第九开关160a、第十开关160b (如图12所示)，串联的第五电容150a和第九开关160a并联在串联的第六电容150b和第十开关160b两端。这里的第二储能器件40b与图11中的第一储能器件40a的功能和效果完全相同,其中，第五电容150a以及第六电容150b的电容值都小于电容40d的电容值。
[0077]实施例六:
[0078]在本发明实施例中还提供了一种谐振电路，图13所示，在图13所示的谐振电路中第一斩波部分20以及第二斩波部分30都与图3或者图4所示的结构相同，但是谐振部分40中的第一电感60为抽头电感170，该抽头电感170的一端连接至第一斩波部分20的第三接入端，另一端连接至第二斩波部分30的第四接入端，抽头电感170的中点连接端连接至第一斩波部分20的第四接入端。其工作的原理与图2所示的谐振电路的工作原理完全相同。
[0079]实施例七:
[0080]在本发明实施例中还提供了一种谐振电路，图14所示，在图14所示的谐振电路中第一斩波部分20以及第二斩波部分30都与图3或者图4所示的结构相同，但是在图12所示的谐振电路中，第二储能器件40b为抽头电感180,该抽头电感180的一端连接至第二斩波部分30的第三接入端，另一端连接至第二斩波部分30的第四接入端，抽头电感180的第一中点连接端连接至第一斩波部分20的第三接入端，抽头电感180的第二中点连接端连接至第二控制源50。
[0081]这里需要说明的是，当第二储能器件40b为抽头电感180时，则第二斩波部分30中除了第五MOS管30a、第六MOS管30b、第七MOS管30c、第八MOS管30d，还包括第七电容190a以及第八电容190b，第七电容190a和第八电容190b串联后并联在串联的第七MOS管30c和第八MOS管30d两端。此时抽头电感180的第二中点连接端首先连接至第七电容190a和第八电容190b之间，然后串联至开关200后连接至第二控制源50，此时的第二控制源50包括了两个子控制源，开关200的一端是连接在两个子控制源之间。当然，图14所示的谐振电路的实现原理在与图2中的实现原理完全相同。
[0082]在上述的图4至图14中说明了第一储能器件40a以及第二储能器件40b的部分结构，当然这两个储能器件还可以是其他可以实现相同功能的其他元器件以及元器件组合，在本发明实施例中并不限定储能器件的具体结构。
[0083]实施例八:
[0084]本发明实施例还提供了一种充电器，该