电压转换集成电路、自举电路以及开关驱动方法
【专利摘要】公开了一种用于开关模式电压调节器的电压转换集成电路、集成在电压转换集成电路里的自举电路以及电压转换集成电路中相关高侧开关驱动方法。该自举电路用于提供一个自举电压信号用于驱动电压转换集成电路里的高侧开关。该自举电路包括一个预充电路和一个自举电容。预充电路提供第一自举信号用于预充高侧开关的控制端；自举电容提供第二自举信号用于加强对高侧开关的控制端的充电。该自举电路可以通过使用一个较小值的自举电容就可以实现高侧开关的驱动，该较小值的自举电容可以集成在电压转换集成电路的内部，有利于减小整个开关模式电压调节器的体积并提高其效率。
【专利说明】
电压转换集成电路、自举电路以及开关驱动方法
技术领域
[0001]本发明涉及电子电路，具体涉及一种集成自举电容的电压转换集成电路、自举电路以及电压转换集成电路中高侧开关的驱动方法。
【背景技术】
[0002]随着电子技术的发展，功率调节器(比如开关模式电压调节器)广泛运用在各种电子设备中。在现有的开关模式电压调节器中，需要一个高电压信号来驱动高侧开关。因此，常需要一个包含自举电容的自举电路来提供该高电压信号。通常，为了减小开关模式电压调节器的体积和提高其效率，开关模式电压调节器的大多数元器件都是集成在一个芯片上。但是，由于自举电路中的自举电容体积太大，因此不能被集成到芯片上。
[0003]例如，图1示出了一个传统的开关模式电压调节器50。该开关模式电压调节器50包含一个电压转换芯片60和一个位于电压转换芯片60外部的自举电容Cbci。如图1所不，该电压转换芯片60包含一个输入引脚IN、接地引脚GND、自举引脚BST、开关引脚SW和反馈引脚FB。自举电容Cbq耦合在电压转换芯片60外部自举引脚BST和开关引脚SW之间。这样，整个开关模式电压调节器50体积很大，效率不高。因此，需要考虑怎样减小整个开关模式电压调节器的体积并提高其效率。
【发明内容】
[0004]针对现有技术中的一个或多个问题，提出了一种集成自举电容的电压转换集成电路、自举电路以及电压转换集成电路中高侧开关的驱动方法。
[0005]本发明一方面提供了一种用于驱动电压转换集成电路中高侧开关的自举电路，其中，该自举电路集成在电压转换集成电路中。该自举电路包括:预充电路，提供第一自举信号用于对高侧开关的控制端预充电；以及自举电容，提供第二自举信号用于加强高侧开关的控制端的充电。
[0006]本发明又一方面提供了一种电压转换集成电路，其具有输入引脚，开关引脚，反馈引脚和接地引脚。该电压转换集成电路包括:开关电路，包括一个高侧开关和低侧开关，其中高侧开关和低侧开关串联连接在输入引脚和接地引脚之间；高侧开关和低侧开关连接的公共端作为开关引脚;该开关电路通过控制高侧开关和低侧开关的导通和关断，将输入引脚的输入电压转换为开关电压，并在开关管脚输出；控制电路，耦接至反馈引脚接收一个反馈信号，并基于该反馈信号产生一高侧控制信号和低侧控制信号；以及自举电路，包括一个预充电路和自举电容，预充电路接收高侧控制信号和输入电压信号，并基于高侧控制信号和输入电压信号产生第一自举信号；自举电容用于提供第二自举信号;其中，第一自举信号和第二自举信号通过驱动电路对高侧开关开关的控制端充电。本发明又一方面提供了一种用于集成自举电容的电压转换集成电路的驱动方法，其中，电压转换集成电路包括互补导通的高侧开关和低侧开关。该驱动方法包括:当控制低侧开关的低侧控制信号有效时，对自举电容充电；当控制高侧开关的高侧控制信号的有效沿来临时，预充电路提供第一自举信号对高侧开关的控制端进行预充电；当高侧控制信号有效时，自举电容提供第二自举信号加强对高侧开关的控制端充电。
【附图说明】
[0007]在下面所有附图中，相同的标号表示具有相同、相似或相应的特征或功能。
[0008]图1示出了一种现有的开关模式电压调节器50的示意框图；
[0009]图2示出了根据本发明一实施例的开关模式电压调节200示意框图；
[0010]图3示出了根据本发明一实施例的开关模式电压调节300的示意框图；
[0011]图4示出了根据本发明一实施例的电压转换芯片100的原理示意图；
[0012]图5示出了根据本发明一实施例的预充电路11的原理图；
[0013]图6示出了根据本发明一实施例的线性电压调节器12的原理图。
[0014]图7所示为根据本发明一实施例的用于集成自举电容的电压转换芯片的驱动方法700。
【具体实施方式】
[0015]下面将详细描述本公开的具体实施例，应当注意，这里描述的实施例只用于举例说明，并不用于限制本公开。相反，本公开意在涵盖由所附权利要求所界定的本公开精神和范围内所定义的各种备选方案、修改方案和等同方案。在以下描述中，为了提供对本公开的透彻理解，阐述了大量特定细节。然而，对于本领域普通技术人员应当理解，没有这些具体细节，本公开同样可以实施。在其他一些实施例中，为了便于凸显本公开的主旨，对于众所周知的方案、流程、元器件以及电路或方法未作详细的描述。
[0016]图2示出了根据本发明一实施例的开关模式电压调节200示意框图。开关模式电压调节200包括电压转换芯片100。与现有的开关模式电压调节50中的集成电路芯片60相比，电压转换芯片100集成了自举电容，并省略了自举引脚BST，仅包括输入引脚IN、接地引脚GND、开关引脚SW和反馈弓I脚FB ο
[0017]图3示出了根据本发明一实施例的开关模式电压调节300的示意框图。如图3所示，开关模式电压调节300包括一个电压转换芯片100。电压转换芯片100包括自举电路10、开关电路20、控制电路30和驱动电路40。
[0018]在图3所示实施例中，开关电路20包括一个高侧开关21和一个低侧开关22。高侧开关21和低侧开关22分别具有第一端、第二端和控制端。高侧开关21和低侧开关22包括一个功率开关器件，例如金属氧化物半导体场效应管(Metal Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor，M0SFET)、结型场效应管(Junct1n Field Effect Transistor ,JFET)等等。高侧开关21的第一端耦接至开关转换芯片100的输入引脚用于接收一个输入电压信号VIN;高侧开关21的第二端耦接至低侧开关22的第一端进而形成一个公共节点，该公共节点被引出作为开关转换芯片100的开关引脚SW;低侧开关的第二端电连接至开关转换芯片100的接地引脚。开关电路20通过控制高侧开关21和低侧开关22的导通和关断将输入电压信号Vin转化为一个开关电压信号Vsw。并在开关引脚SW处提供该开关电压信号Vsw。通常，开关转换芯片100的开关引脚SW将进一步耦接至一个电感L和一个电容C用于在开关模式调节器300的输出端OUT提供一个输出电压Vout。
[0019]在图3所示实施例中，控制电路30接收一个来自电压转换芯片100的反馈管脚FB的反馈信号，其中，该反馈信号可用于表征输出电压V.的变化。控制电路300根据反馈信号产生一个高侧开关控制信号Sh和低侧开关控制信号&分别用于控制高侧开关21和低侧开关22互补导通和关断。在一个实施例中，控制电路30包括一个脉冲宽度调制(Pulse-WidthModulat1n，PffM)控制电路，该PffM控制电路通过提供不同占空比的方波信号来调节输出电压Vciut的大小。
[0020]在图3所示实施例中，驱动电路40用于接收高侧开关控制信号SH、低侧开关控制信号Sl和自举电压信号Vbst，并提供高侧开关驱动信号Dh和低侧开关驱动信号Dl分别用于驱动高侧开关21和低侧开关22的导通和关断。
[0021]为了使得高侧开关21充分导通(S卩:使高侧开关21工作在饱和区，此时高侧开关21的导通电阻最小)，高侧开关驱动信号Dh必须足够大，至少要大于高侧开关21的导通阈值Vth。但是一旦电压信号加在高侧开关21的控制端，在电压转换芯片100的开关引脚SW的电压信号Vsw将快速接近输入电压VIN。为了完全导通高侧开关，高侧开关驱动信号Dh必须大于输入电压Vin。因此，在电压转换芯片100中，还需要一个自举电路10。
[0022]自举电路10包括第一端、第二端、第三端和第四端，其中，自举电路10的第一端耦接在电压转换芯片100的输入引脚IN接收输入电压信号Vin;自举电路10的第二端耦接在电压转换芯片100的开关引脚SW;自举电路10的第三端耦接至控制电路30用于接收高侧开关控制信号Sh;自举电路10用于在其第四端产生自举电压信号Vbst。
[0023]在图3所示实施例中，自举电路10被集成在电压转换芯片100中，其中，自举电路10包括一个预充电路11和一个自举电容14。预充电路11和自举电容14共同作用在高侧开关21的控制端。具体地，预充电路11用于对高侧开关21的控制端进行预充电，自举电容14用于加强对高侧开关21控制端的充电。预充电路11耦接在自举电路10的第三端接收高侧开关控制信号Sh，并提供第一自举信号BST1。自举电容14用于提供第二自举信号BST2。自举电容14具有第一端和第二端，其中自举电容14的第一端耦接自举电路10的第四端提供提供第二自举信号BST2，自举电容14的第二端耦接自举电路10的第二端进而耦接至电压转换芯片100的开关引脚SW。
[0024]当高侧开关控制信号Sh为逻辑高，低侧开关控制信号义为逻辑低时，高侧开关驱动信号Dh关断高侧开关21，低侧开关驱动信号Dl导通低侧开关22。此时，开关引脚SW的电压等于逻辑地电平，供电电压信号Vb对自举电容14充电至VCB。当高侧开关控制信号Sh为逻辑低，低侧开关控制信号义为逻辑高时，低侧开关驱动信号IX关断低侧开关22。与此同时，预充电路11开始工作，提供第一自举信号BSTl对高侧开关21的控制端进行预充电；自举电容14提供第二自举信号BST2也对高侧开关21的控制端加强充电，其中第二自举信号BST2的值为自举电容电压Vcb加上开关电压信号Vsw。当高侧开关21的控制端与第二端之间的压差大于高侧开关21的导通阈值Vth时，高侧开关21导通。因为高侧开关21的控制端同时被第一自举信号和第二自举信号充电，因此自举电容14可以选取一个较小的值，使之可集成在芯片中(例如:电压转换芯片100)。例如，在现有技术中，在一个导通阈值电压为3.3V的高侧开关应用中，常选取一个0.1uF的自举电容连接在芯片外部。但是，在本专利申请中，可选取一个很小的电容集成在芯片内部就可实现自举功能，例如，同样在一个导通阈值电压为3.3V的高侧开关应用中，只需选取一个500pF的自举电容就可实现自举电路的功能。
[0025]在图4所示实施例中，高侧开关21和低侧开关22被分别示意为M0SFET201和MOSFET202。但本领域的一般技术人员可以理解，在其他实施例中，高侧开关21和低侧开关22可以包括其他适合的半导体二极管，例如JFET、绝缘栅型双极性晶体管(Insulated GateBipolar Transistor，IGBT)以及双扩散金属氧化物半导体(Double Diffus1n MetalOxide Semiconductor，DM0S)等等。为了更好的描述高侧开关21的驱动原理，在图4中，还将示出MOSFET 201的寄生栅漏电容Cgd和寄生栅源电容Cgs。
[0026]在图4所示实施例中，预充电路11包括一个开关301。开关301具有第一端，第二端和控制端。其中，开关301的第一端用于接收输入电压Vin，第二端耦接二极管13的阳极提供第一自举信号BST1，控制端耦接至自举电路10的第三端接收高侧控制信号SH。在图4所示实施例中，第一自举信号BSTl为一个电压信号。在一个实施例中，当高侧控制信号Sh有效时(即低侧开关22关断，高侧开关21需要被导通)，开关301导通。因此，此时，第一自举信号BSTl的值约等于输入电压信号Vin的值。在一个实施例中，当高侧控制信号Sh为逻辑高电平时有效。在另一个实施例中，当高侧控制信号Sh为逻辑低电平时有效。在一个实施例中，开关301包括一个P型MOSFET。
[0027]在图4所示实施例中，预充电路11进一步包括脉冲发生器302。脉冲发生器302具有第一端和第二端，其第一端耦接至自举电路10的第三输入端接收高侧控制信号SH，其第二端耦接至开关301的控制端。脉冲发生器302用于当高侧控制信号Sh的有效沿来临时产生一个脉冲信号，并通过其第二端输出至开关301的控制端。例如，如果逻辑高代表高侧控制信号Sh的有效状态，则高侧控制信号Sh的有效沿为一个上升沿。又如，如果逻辑低代表高侧控制信号Sh的有效状态，则高侧控制信号Sh的有效沿为一个下降沿。
[0028]在图4所示实施例中，驱动电路40包括一个高侧驱动器41和低侧驱动器42分别用于驱动高侧开关21和低侧开关22。高侧驱动器41包括输入端、第一供电端、第二供电端以及输出端，其输入端耦接控制电路30接收高侧控制信号Sh;其第一供电端耦接自举电路10接收自举电压信号Vbst(在图4所不实施例中，自举电压信号Vbst等于第一自举信号BST和第二自举信号BST2的和)；其第二供电端耦接至开关引脚SW。高侧驱动器41基于高侧控制信号Dh和自举电压信号Vbst，在输出端提供一个高侧驱动信号Dh，其中，该高侧驱动信号Dh用于驱动高侧开关21充分导通和关断，S卩:使高侧开关21工作在饱和区，此时高侧开关具有一个较小的导通电阻值。低侧驱动器42用于接收低侧控制信号Sl并提供一个低侧驱动信号Dl。
[0029]当高侧控制信号Sh为逻辑低，低侧控制信号Sl为逻辑高时，高侧驱动信号Dh关断MOSFET 201，低侧驱动信号Dl导通MOSFET 202。此时，引脚SW处的开关电压Vsw等于逻辑地电位，自举电压Vb将通过二极管13对自举电容14充电。当高侧控制信号Sh为逻辑高，低侧控制信号Sl为逻辑低时，此时低侧驱动信号Dl关断MOSFET 202。此时，自举电容14的第二端的电压被拉升至开关电压Vsw，因此自举电容14第一端的电压(即第二自举信号BST2)等于开关电压Vsw加上自举电容14的电压Vcb(即第二自举信号BST2等于VSW+VCB)。该第二自举信号BST2提供至高侧驱动器41的第一供电端，并对MOSFET 201的寄生栅源电容Cgs充电。与此同时，开关301导通，第一自举信号BSTl(在图4实施例中，该第一自举信号BSTl约等于输入电压信号Vin)也通过二极管13送至高侧驱动器41的第一供电端，用于对MOSFET 201的寄生栅源电容Ccs充电。自举电容14，寄生栅漏电容Ccd以及寄生栅源电容Ccs将进行充放电平衡，一旦寄生栅源电容Cgs的电压值大于MOSFET 201的导通阈值，MOSFET 201导通。[°03°]图5所不为根据本发明一实施例的一预充电路11的电路原理图。
[0031]在图5所示实施例中，预充电路11包括一个电流源401具有控制端和输出端。电流源401为一个快速导通电流源，其控制端耦接至自举电路10的第三端接收高侧控制信号Sh，其输出端用于提供第一自举信号BSTl。
[0032]当高侧控制信号Sh有效时(S卩:低侧开关22被关断，高侧开关21需要被导通)，电流源401用于提供第一自举信号BSTl。在一个图5所示实施例中，第一自举信号BSTl为一个电流信号。在一个实施例中，高侧控制信号Sh有效时其为一逻辑高信号，在又一个实施例中，高侧控制信号Sh有效时其为一逻辑低信号。
[0033]在图5所示实施例中，预充电路11进一步包括一个脉冲发生器402。脉冲发生器402具有第一端和第二端，其第一端耦接至自举电路10的第三输入端接收高侧控制信号SH，其第二端耦接至电流源401的控制端。脉冲发生器402用于当高侧控制信号Sh的有效沿来临时产生一个脉冲信号，并通过其第二端输出至电流源401的控制端。例如，如果逻辑高代表高侧控制信号Sh的有效状态，则高侧控制信号Sh的有效沿为一个上升沿。又如，如果逻辑低代表高侧控制信号Sh的有效状态，则高侧控制信号Sh的有效沿为一个下降沿。
[0034]当高侧控制信号Sh为逻辑低，低侧控制信号Sl为逻辑高时，高侧驱动信号Dh关断MOSFET 201，低侧驱动信号Dl导通MOSFET 202。此时，引脚SW处的开关电压Vsw等于逻辑地电位，自举电压Vb将通过二极管13对自举电容14充电。当高侧控制信号Sh为逻辑高，低侧控制信号Sl为逻辑低时，此时低侧驱动信号Dl关断MOSFET 202。此时，自举电容14的第二端的电压被拉升至开关电压Vsw，因此自举电容14第一端的电压等于开关电压Vsw加上自举电容14的电压Vcb(即第二自举信号BST2等于VSW+VCB)。该第二自举信号BST2提供至高侧驱动器41的第一供电端，并对MOSFET 201的寄生栅源电容Cgs充电。与此同时，电流源401导通并提供第一自举信号BST1。第一自举信号BSTl也通过二极管13送至高侧驱动器41的第一供电端，用于对MOSFET 201的寄生栅源电容Cgs充电。自举电容14，寄生栅漏电容Cgd以及寄生栅源电容Cgs将进行充放电平衡，一旦寄生栅源电容Cgs的电压值大于MOSFET 201的导通阈值，MOSFET201导通。
[0035]图6所示为根据本发明一实施例的线性调节器(LD0)12的电路原理图。在图6所示实施例中，线性调节器12包括晶体管101和误差放大器102。晶体管101具有第一端、第二端和控制端，其第一端耦接至自举电路10的第一端接收输入电压信号VIN，其第二端耦接至二极管13的阳极提供一供电电压信号VB。误差放大器102具有第一输入端、第二输入端和输出端，其第一输入端接收参考电压信号VREF，其第二输入端耦接至晶体管101的第二端接收供电电压信号Vb，输出端耦接至晶体管101的控制端。误差放大器102用于放大参考电压信号Vref和供电电压信号Vb的差值，并在输出端提供一个误差信号EO用于控制晶体管101工作在一个线性调节的区域。
[0036]图7所示为根据本发明一实施例的用于集成自举电容的电压转换芯片的驱动方法700。在图7所示实施例中，电压转换芯片包括一个高侧开关(例如图3所示实施例中的高侧开关21或图4所示实施例中的高侧开关201)和一个低侧开关(例如图3所示实施例中的低侧开关22或图4所示实施例中的低侧开关202)。该电压转换芯片接收输入电压信号VIN，并通过互补导通和关断高侧开关和低侧开关将输入电压信号Vin转化为一开关电压信号Vsw。驱动方法700包括步骤701-703。
[0037]步骤701:当控制低侧开关22的低侧控制信号Sl有效时，对自举电容14充电。在一个实施例中，低侧控制信号Sl有效时，低侧开关22导通。在一个实施例中，当低侧控制信号Sl为逻辑高时有效;在又一实施例中，当低侧控制信号义为逻辑低时有效。
[0038]步骤702:当控制高侧开关21的高侧控制信号Sh的有效沿来临时，提供第一自举信号BSTl对高侧开关21的控制端进行预充电。在一个实施例中，当高侧控制信号Sh逻辑高时代表有效，则高侧控制信号Sh的有效沿为上升沿。在一个实施例中，当高侧控制信号Sh逻辑低时代表有效，则高侧控制信号Sh的有效沿为下降沿。
[0039]步骤703:当高侧控制信号Sh有效时，自举电容提供第二自举信号加强对高侧开关21的控制端充电。在一个实施例中，当高侧控制信号Sh有效，则高侧开关21导通。在一个实施例中，当高侧控制信号Sh为逻辑高时有效;在又一实施例中，当高侧控制信号Sh为逻辑低时有效。
[0040]以上对根据本发明实施例的控制方法及步骤的描述仅为示例性的，并不用于对本发明进行限定。另外，一些公知的控制步骤及所用控制参数等并未给出或者并未详细描述，以使本发明清楚、简明且便于理解。发明所属技术领域的技术人员应该理解，以上对根据本发明各实施例的控制方法及步骤的描述中所述使用的步骤编号并不用于表示各步骤的绝对先后顺序，这些步骤并不按照步骤编号顺序实现，而可能采用不同的顺序实现，也可能同时并列地实现，并不仅仅局限于所描述的实施例。
[0041]上述本发明的说明书和实施方式仅以示例性的方式对本发明实施例的隔离式电压变换电路、控制电路以及控制方法的描述仅为示例性的，并不用于限定本发明的范围。对于公开的实施例进行变化和修改都是可能的，其他可行的选择性实施例和对实施例中元件的等同变化可以被本技术领域的普通技术人员所了解。本发明所公开的实施例的其他变化和修改并不超出本发明的精神和保护范围。
【主权项】
1.一种用于驱动电压转换集成电路中高侧开关的自举电路，其中，该自举电路集成在电压转换集成电路中，该自举电路包括: 预充电路，提供第一自举信号用于对高侧开关的控制端预充电；以及 自举电容，提供第二自举信号用于加强高侧开关的控制端的充电。2.如权利要求1所述的自举电路，其中，所述预充电路包括一个充电开关，充电开关具有第一端、第二端和控制端，充电开关的第一端耦接至电压转换集成电路的输入端用于接收电压转换集成电路的输入电压信号，充电开关的控制端用于接收一个高侧控制信号，当高侧控制信号的有效沿来临时，充电开关在其第二端提供第一自举信号。3.如权利要求2所述的自举电路，其中，所述预充电路进一步包括一个脉冲发生器，该脉冲发生器具有第一端和第二端，该脉冲发生器的第一端接收高侧控制信号，该脉冲发生器的第二端耦接充电开关的控制端，该脉冲发生器用于当高侧控制信号的有效沿来临时在其第二端输出一个脉冲信号。4.如权利要求2所述的自举电路，其中，所述充电开关包括一个P型MOSFET。5.如权利要求1所述的自举电路，其中，所述预充电路包括一个具有控制端和输出端的电流源，其中，电流源的控制端用于接收高侧控制信号，当高侧控制信号的有效沿来临时，电流源输出端提供第一自举信号。6.如权利要求5所述的自举电路，其中，所述预充电路进一步包括一个脉冲发生器，该脉冲发生器具有第一端和第二端，该脉冲发生器的第一端用于接收高侧控制信号，该脉冲发生器的第二端耦接开关的控制端，该脉冲发生器用于当高侧控制信号的有效沿来临时在第二端输出一个脉冲信号。7.如权利要求1所述的自举电路，其中，所述电压转换集成电路进一步包括一个低侧开关，该低侧开关与高侧开关串联连接在输入电压和逻辑地之间；其中，自举电容具有第一端和第二端，自举电容的第一端上的电压作为第二自举信号，自举电容的第二端耦接至低侧开关和尚侧开关的公共端。8.如权利要求1所述的自举电路，其中，所述自举电路进一步包括: 线性调节器，耦接在电压转换集成电路的输入端接收输入电压信号，并将该输入电压信号转换为一个供电电压信号；以及 二极管，二极管的阳极耦接至线性调节器和预充电路分别接收供电电压信号和第一自举信号，二极管的阴极耦接至高侧开关的控制端，第一自举信号通过二极管传送至高侧开关的控制端。9.如权利要求8所述的自举电路，其中，线性调节器包括: 晶体管，具有第一端、第二端和控制端，晶体管的第一端耦接至电压转换集成电路的输入端接收输入电压信号，晶体管的第二端耦接至二极管的阳极提供一供电电压信号；以及 误差放大器，具有第一输入端、第二输入端和输出端，误差放大器的第一输入端接收参考电压信号，误差放大器的第二输入端耦接至晶体管的第二端接收供电电压信号，输出端耦接至晶体管的控制端，其中，误差放大器用于放大参考电压信号和供电电压信号的差值，并在输出端提供一个误差信号用于控制晶体管。10.—个电压转换集成电路具有输入引脚，开关引脚，反馈引脚和接地引脚，包括: 开关电路，包括一个高侧开关和低侧开关，其中高侧开关和低侧开关串联连接在输入引脚和接地引脚之间；高侧开关和低侧开关连接的公共端作为开关引脚;该开关电路通过控制高侧开关和低侧开关的导通和关断，将输入引脚的输入电压转换为开关电压，并在开关管脚输出； 控制电路，耦接至反馈引脚接收一个反馈信号，并基于该反馈信号产生一高侧控制信号和低侧控制信号；以及 自举电路，包括一个预充电路和自举电容，预充电路接收高侧控制信号和输入电压信号，并基于高侧控制信号和输入电压信号产生第一自举信号；自举电容用于提供第二自举信号;其中，第一自举信号和第二自举信号通过驱动电路对高侧开关开关的控制端充电。11.如权利要求10所述的电压转换集成电路，其中，驱动电路包括: 高侧驱动器，具有输入端、第一供电端、第二供电端以及输出端，其中高侧驱动器的输入端耦接至控制电路接收高侧控制信号;高侧驱动器的第一供电端耦接自举电路接收自举电压信号；其第二供电端耦接至开关引脚;高侧驱动器基于高侧控制信号和自举电压信号在输出端提供一个高侧驱动信号，其中所述高侧驱动信号用于控制高侧开关的导通和关断；以及 低侧驱动器，耦接至控制电路接收低侧控制信号；低侧驱动器基于低侧控制信号在输出端提供一个低侧驱动信号，其中所述低侧驱动信号用于控制低侧开关的导通和关断。12.如权利要求10所述的电压转换集成电路，其中，所述预充电路包括一个充电开关，该充电开关具有第一端、第二端和控制端，充电开关的第一端耦接至电压转换集成电路的输入端用于接收输入电压信号，充电开关的控制端用于接收高侧控制信号，当高侧控制信号的有效沿来临时，充电开关在其第二端提供第一自举信号。13.如权利要求10所述的电压转换集成电路，其中，所述预充电路包括一个具有控制端和输出端的电流源，其中，电流源的控制端用于接收高侧控制信号，当高侧控制信号的有效沿来临时，电流源输出端提供第一自举信号。14.如权利要求11所述的电压转换集成电路，其中，自举电容具有第一端和第二端，自举电容的第一端耦接高侧驱动器的第一供电端以提供第二自举信号；自举电容的第二端耦接开关引脚。15.一种用于集成自举电容的电压转换集成电路的驱动方法，其中，电压转换集成电路包括互补导通的高侧开关和低侧开关，该驱动方法包括: 当控制低侧开关的低侧控制信号有效时，对自举电容充电； 当控制高侧开关的高侧控制信号的有效沿来临时，预充电路提供第一自举信号对高侧开关的控制端进行预充电； 当高侧控制信号有效时，自举电容提供第二自举信号加强对高侧开关的控制端充电。16.如权利要求15所述的驱动方法，其中，预充电路包括一个充电开关，该充电开关具有第一端、第二端和控制端，充电开关的第一端接收电压转换集成电路的输入电压信号，充电开关的控制端接收高侧控制信号，当高侧控制信号的有效沿来临时，充电开关在其第二端提供第一自举信号。17.如权利要求15所述的驱动方法，其中，预充电路包括一个具有控制端和输出端的电流源，其中，电流源的控制端耦接自举电路的第三端用于接收高侧控制信号，当高侧控制信号的有效沿来临时，电流源输出端提供第一自举信号。
【文档编号】H02M1/088GK105827101SQ201610298239
【公开日】2016年8月3日
【申请日】2016年5月6日
【发明人】龚军勇, 姜剑, 李伊珂, 陈长江
【申请人】成都芯源系统有限公司