专利名称：一种自举驱动电路的制作方法
技术领域：
一种自举驱动电路 本实用新型涉及一种自举驱动电路。 现有的自举驱动电路，一般包括有控制芯片，二极管与电容组成的自举电路，以及 两个开关M0S管。该类电路具有如下缺点1、高端开关M0S管的驱动电压不足；2、开始工作
时，高端开关MOS管工作在放大区；3、在小调制比时容易出现自举崩溃问题；由于上述原因
使得现有自举驱动电路的可靠性比较低，很容易出现故障，为了解决上述问题，本发明人设 计出本实用新型。 本实用新型克服了上述技术的不足，提供了一种使高端开关MOS管具有足够驱动 电压、可靠性高的自举驱动电路。 为实现上述目的，本实用新型采用了下列技术方案 —种自举驱动电路，包括有控制芯片，在控制芯片的高端开关驱动输出供电端Vb 与电源VCC连接有自举二极管D，在控制芯片的高端开关驱动输出电路供电端Vb与低端开 关驱动输出电路供电端Vs之间连接有自举电容C，在控制芯片的高端开关脉冲输出端Ho、 低端开关脉冲输出端Lo上分别连接有高端开关MOS管Q4、低端开关MOS管Q5，高端开关 MOS管Q4的漏极与低端开关MOS管Q5的源极连接后作为驱动输出端，该驱动输出端与低端 开关驱动输出电路供电端Vs连接，在高端开关MOS管Q4的源极与所述两个开关驱动输出 电路供电端Vb、 Vs之间连接有附加供电电路。 与现有技术相比，本实用新型的有益效果是1、由于附加供电电路可以提高高端 开关驱动输出供电端Vb的供电电压，从而保证具有足够的驱动电压来驱动高端开关MOS 管；2、避免开始工作时高端开关M0S管工作在放大区；3、避免在小调制比时容易出现自举 崩溃问题；4、本实用新型的电路可靠性比较高，不容易出现故障，便于使用者长期使用；5、 采用本实用新型制造出来的电路产品成本比较低，便于批量生产。
图1为本实用新型的电路原理图； 图2为本实用新型驱动大电流电路的电路原理图； 图3为本实用新型驱动小型IGBT电路的电路原理图。
以下结合附图与本实用新型的实施方式作进一步详细的描述 参见图1-3，本实用新型为一种自举驱动电路，包括有控制芯片1 ，自举二极管D和 自举电容C组成的自举电路、附加供电电路2以及两个开关管高端开关MOS管Q4和低端开关M0S管Q5。 参见图l，为本实用新型的实施例l，该实施例中，自举二极管D连接在控制芯片1 的高端开关驱动输出供电端Vb与电源VCC之间，自举电容C连接在控制芯片1的高端开关 驱动输出电路供电端Vb与低端开关驱动输出电路供电端Vs之间。在控制芯片1的高端开 关脉冲输出端Ho、低端开关脉冲输出端Lo上分别连接高端开关MOS管Q4、低端开关M0S管 Q5的栅极，高端开关MOS管Q4的源极接电源，高端开关MOS管Q4的漏极与低端开关MOS管 Q5的源极连接后作为驱动输出端，该输出端与低端开关驱动输出电路供电端Vs连接，低端 开关M0S管Q5的漏极接地。所述附加供电电路2连接在高端开关M0S管Q4的源极与所述 两个开关驱动输出电路供电端Vb、 Vs之间。由于附加供电电路2的存在，提高了高端开关 驱动输出供电端Vb的供电电压，从而保证具有足够的驱动电压来驱动高端开关MOS管。所 述附加供电电路2包括有三极管和稳压管，三极管的基极与稳压管的负极连接，稳压管的 正极与低端开关驱动输出电路供电端Vs连接，另外三极管的基极、集电极分别通过电阻后 同时与高端开关M0S管Q4的源极连接，三极管的发射极与高端开关驱动输出电路供电端Vb 连接。在三极管的发射极与基极之间还连接有一个保护二极管。 参见图2，为本实用新型的实施例2，本实施例是应用在驱动大电流的电路上，该 实施例与实施例1的区别在于在高端开关脉冲输出端Ho与高端开关MOS管Q4的栅极之 间，以及低端开关脉冲输出端Lo与低端开关MOS管Q5的栅极之间分别连接有两个三极管， 具体连接结构，详见图2，其它的与实施例1相同。 参见图3，为本实用新型的实施例3，本实施例是应用在驱动小型IGBT电路上，该 实施例与实施例1的区别在于在低端开关驱动输出电路供电端Vs与高端开关M0S管Q4 的漏极之间，以及低端开关MOS管Q5的漏极与地之间分别连接有稳压管，具体连接结构，详 见图3，其它的与实施例l相同。
权利要求一种自举驱动电路，包括有控制芯片(1)，在控制芯片(1)的高端开关驱动输出供电端(Vb)与电源(VCC)之间连接有自举二极管(D)，在高端开关驱动输出电路供电端(Vb)与低端开关驱动输出电路供电端(Vs)之间连接有自举电容(C)，在控制芯片(1)的高端开关脉冲输出端(Ho)、低端开关脉冲输出端(Lo)上分别连接有高端开关MOS管(Q4)、低端开关MOS管(Q5)，高端开关MOS管(Q4)的漏极与低端开关MOS管(Q5)的源极连接后作为驱动输出端，该驱动输出端与低端开关驱动输出电路供电端(Vs)连接，其特征在于，在高端开关MOS管(Q4)的源极与所述两个开关驱动输出电路供电端(Vb、Vs)之间连接有附加供电电路(2)。
2. 根据权利要求l所述的一种自举驱动电路，其特征在于所述附加供电电路(2)包括 有三极管和稳压管，三极管的基极与稳压管的负极连接，稳压管的正极与低端开关驱动输 出电路供电端(Vs)连接，另外三极管的基极、集电极分别通过电阻后同时与高端开关MOS 管(Q4)的源极连接，三极管的发射极与高端开关驱动输出电路供电端(Vb)连接。
3. 根据权利要求1或2所述的一种自举驱动电路，其特征在于在高端开关脉冲输出端 (Ho)与高端开关MOS管(Q4)的栅极之间，以及低端开关脉冲输出端(Lo)与低端开关MOS 管(Q5)的栅极之间分别连接有两个三极管。
4. 根据权利要求1或2所述的一种自举驱动电路，其特征在于在低端开关驱动输出电 路供电端(Vs)与高端开关MOS管(Q4)的漏极之间，以及低端开关MOS管(Q5)的漏极与地 之间分别连接有稳压管。
5. 根据权利要求3所述的一种自举驱动电路，其特征在于在低端开关驱动输出电路供 电端(Vs)与高端开关MOS管(Q4)的漏极之间，以及低端开关MOS管(Q5)的漏极与地之间 分别连接有稳压管。
专利摘要本实用新型公开了一种自举驱动电路，包括有控制芯片，在控制芯片的高端开关驱动输出供电端与电源连接有自举二极管，在控制芯片的高端开关驱动输出电路供电端与低端开关驱动输出电路供电端之间连接有自举电容，在控制芯片的高端开关脉冲输出端、低端开关脉冲输出端上分别连接有高端开关MOS管、低端开关MOS管，高端开关MOS管的漏极与低端开关MOS管的源极连接后作为驱动输出端，该驱动输出端与低端开关驱动输出电路供电端连接，在高端开关MOS管的源极与所述两个开关驱动输出电路供电端之间连接有附加供电电路。本实用新型目的在于一种使高端开关MOS管具有足够驱动电压、可靠性高的自举驱动电路。
文档编号H03K19/0185GK201450501SQ20092005987
公开日2010年5月5日 申请日期2009年6月30日 优先权日2009年6月30日
发明者彭建宇, 梁奇峰, 王奉瑾 申请人:中山火炬职业技术学院