一种新型含电流取样电路的电源装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种电源装置，特别是一种新型含电流取样电路的电源装置。
【背景技术】
[0002]随着时代的改变，人们生活水平的提高，很多规范都要求电子产品都必须要侦测输入和输出的电流状态，做过电流保护，或是系统端监控电源状态等等，然而，市场需求输出功率越来越大，设计者需使用的取样电流的电阻数量也相应变多，往往面临到PCB电路板的布局(layout)空间不足，从而难以设计的问题。如图1所示，传统设计使用双面板PCBI由多个取样电流电阻2并联起来使用，占用PCB板的空间很大，电路板布局(layout)回路变的很长，使得取样电流很难精准，因此，存在改进的空间。
【实用新型内容】
[0003]为了克服现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种电路结构简单、电子元件少、电路板布局设计更为简单、不需要占用太多电路板布局空间、生产效率更高的新型含电流取样电路的电源装置。
[0004]本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种新型含电流取样电路的电源装置，包括双面PCB电路板，设置于双面PCB电路板上的电源内部组件，在双面PCB电路板上还设置有一颗贴片式取样电阻，所述双面PCB电路板上设有初级散热片。
[0005]作为进一步改进的技术方案，所述双面PCB电路板上设有EMI电感。
[0006]作为优选的技术方案，所述双面PCB电路板上设有高压电容。
[0007]作为优选的技术方案，所述双面PCB电路板上设有主变压器。
[0008]作为优选的技术方案，所述双面PCB电路板上设有输出电容。
[0009]本实用新型的有益效果是:电路结构简单，电子元件少，不需要占用太多电路板布局空间，电路板布局设计更为简单，使得取样电流讯号更加精准，生产效率更高。
【附图说明】
[0010]下面结合附图和实施方式对本实用新型作进一步说明。
[0011]图1是本实用新型的现有技术电源装置的结构示意图。
[0012]图2是本实用新型的电源装置的结构示意图。
【具体实施方式】
[0013]参照图2，本实用新型一种新型含电流取样电路的电源装置，包括双面PCB电路板1，设置于双面PCB电路板上的电源内部组件，在双面PCB电路板上还设置有一颗贴片式取样电阻3，所述双面PCB电路板上设有初级散热片6。
[0014]作为进一步改进的技术方案，所述双面PCB电路板上设有EMI电感4。
[0015]作为优选的技术方案，所述双面PCB电路板上设有高压电容5。
[0016]作为优选的技术方案，所述双面PCB电路板上设有主变压器7。
[0017]作为优选的技术方案，所述双面PCB电路板上设有输出电容8。
[0018]本实用新型的特点是:将锰铜线(即电流取样电阻)改为贴片式直接贴到主板(即双面PCB电路板)上，由于现有技术采用多颗取样电阻，在做SMT贴片生产时，生产效益太低，所以改为单颗贴片方式来作业，不仅提升生产效益，并且可以提高取样电流讯号的精准度。
[0019]本实用新型使用此电路结构能简化设计，在PCB设计不需要占用太多空间，且可提升生产效益，提升产能。
[0020]此外，本实用新型并不局限于上述实施方式，只要其以基本相同的手段达到本实用新型的技术效果，都应属于本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种新型含电流取样电路的电源装置，包括双面PCB电路板(1)，设置于双面PCB电路板上的电源内部组件，其特征在于:在双面PCB电路板上还设置有一颗贴片式取样电阻(3)，所述双面PCB电路板上设有初级散热片(6)。2.根据权利要求1所述的新型含电流取样电路的电源装置，其特征在于:所述双面PCB电路板上设有EMI电感(4)。3.根据权利要求1所述的新型含电流取样电路的电源装置，其特征在于:所述双面PCB电路板上设有高压电容(5 )。4.根据权利要求1所述的新型含电流取样电路的电源装置，其特征在于:所述双面PCB电路板上设有主变压器(7)。5.根据权利要求1所述的新型含电流取样电路的电源装置，其特征在于:所述双面PCB电路板上设有输出电容(8 )。
【专利摘要】本实用新型公开了一种新型含电流取样电路的电源装置，包括双面PCB电路板，设置于双面PCB电路板上的电源内部组件，在双面PCB电路板上还设置有一颗贴片式取样电阻，所述双面PCB电路板上设有初级散热片。所述双面PCB电路板上设有EMI电感。所述双面PCB电路板上设有高压电容。所述双面PCB电路板上设有主变压器。所述双面PCB电路板上设有输出电容。本实用新型电路结构简单，电子元件少，不需要占用太多电路板布局空间，电路板布局设计更为简单，使得取样电流讯号更加精准，生产效率更高。
【IPC分类】H02M1/00
【公开号】CN204928541
【申请号】CN201520581992
【发明人】叶陇西
【申请人】东莞益衡电子有限公司
【公开日】2015年12月30日
【申请日】2015年8月5日