一种副边无损吸收箝位电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电力电子技术领域，具体为一种副边无损吸收箝位电路。
【背景技术】
[0002]现有的移相全桥电路利用辅助电感能量来实现开关管的零电压开关，减小了开关管的开关损耗。它具有电路和控制简单、开关管容易实现软开关、电路效率高、EMI小等优点，可是由于增加了辅助电感，在副边二极管反向恢复过程时，二极管会产生了较大的电压尖峰和振荡，增大了二极管开关损耗，使电路的EMI变差，器件应力过大，如果提高二极管耐压，二极管的反向恢复时间更长，会出现电路的性能更差等问题。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的一个目的是提供一种运行安全稳定、成本低、结构简单且尖峰电压低、损耗少有器件应力可降低的副边无损吸收箝位电路。
[0004]本实用新型的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的:一种副边无损吸收箝位电路，包括变压器，所述变压器的原边绕组和副边绕组分别连接有输入电路和输出电路，输出电路包括相互串联的第一二极管和第三二极管以及相互串联的第四二极管和第二二极管，第一二极管的负极和第四二极管的负极短接且通过一第一电感连接至正输出端，第三二极管的正极和第二二极管的正极短接必并连接至负输出端，第四二极管的负极和负输出端之间依次串接有第五二极管和第一电容且在串接位置又依次串接有第六二极管和第二电感后连接至正输出端，正输出端和负输出端之间连接有箝位电容，第一二极管和第三二极管串联处连接至副边绕组的其中一端，第四二极管和第二二极管的串联处连接至副边绕组的其中另一端。
[0005]上述技术方案中，该箝位电路结构更加稳定、可靠，成本低、结构简单，可以把出现在副边上的电压尖锋吸收并馈送到输出端，从而降低了尖峰电压、减少了损耗，降低了器件的应力，电路的EMI变好，电路的性能得到较大提升。
[0006]作为对本实用新型的优选，输入电路包括与原边绕组的其中一端相连的输入电容，所述输入电容串联有输入电感，所述原边绕组的其中另一端连接至一第四M0S管的源极又连接至一第二 M0S管的漏极，所述第四M0S管的漏极通过串接一第一输入二极管连接至输入电容和输入电感的串联处，输入电容和输入电感的串联处还通过串接一第二输入二极管连接至第二 M0S管的源极，第四M0S管的漏极还连接至一第一 M0S管的漏极，所述第一M0S管的源极连接至一第三M0S管的漏极，第三M0S管的源极连接至第二 M0S管的源极，所述输入电感还连接至第一 M0S管的源极，第一 M0S管的漏极和第三M0S管的源极之间连接有输入电源。
[0007]作为对本实用新型的优选，第一 M0S管、第二 M0S管、第三M0S管和第四M0S管均为NPN型管。
[0008]作为对本实用新型的优选，第一 M0S管、第二 M0S管、第三M0S管和第四M0S管内均具有寄生一.极管。
[0009]本实用新型的有益效果:结构更加稳定、可靠，成本低、结构简单，可以把出现在副边上的电压尖锋吸收并馈送到输出端，从而降低了尖峰电压、减少了损耗，降低了器件的应力，电路的EMI变好，电路的性能得到较大提升。
【附图说明】
[0010]图1是本实用新型实施例的结构示意图。
[0011]图中:1、变压器，11、第一二极管，13、第三二极管，14、第四二极管，12、第二二极管，21、第一电感，51、正输出端，52、负输出端，15、第五二极管，31、第一电容，16、第六二极管，22、第二电感，2、箝位电容，41、输入电容，42、输入电感，64、第四M0S管，62、第二 M0S管，
71、第一输入二极管，72、第二输入二极管，61、第一 M0S管，63、第三M0S管，9、输入电源，66、
寄生二极管。
【具体实施方式】
[0012]以下具体实施例仅仅是对本实用新型的解释，其并不是对本实用新型的限制，本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改，但只要在本实用新型的权利要求范围内都受到专利法的保护。
[0013]实施例，如图1所示，一种副边无损吸收箝位电路，包括变压器1，所述变压器1的原边绕组和副边绕组分别连接有输入电路和输出电路，输出电路包括相互串联的第一二极管11和第三二极管13以及相互串联的第四二极管14和第二二极管12，第一二极管11的负极和第四二极管14的负极短接且通过一第一电感21连接至正输出端51，第三二极管13的正极和第二二极管12的正极短接必并连接至负输出端52，第四二极管14的负极和负输出端52之间依次串接有第五二极管15和第一电容31且在串接位置又依次串接有第六二极管16和第二电感22后连接至正输出端51，正输出端51和负输出端52之间连接有箝位电容2，第一二极管11和第三二极管13串联处连接至副边绕组的其中一端，第四二极管14和第二二极管12的串联处连接至副边绕组的其中另一端。
[0014]输入电路包括与原边绕组的其中一端相连的输入电容41，所述输入电容41串联有输入电感42，所述原边绕组的其中另一端连接至一第四M0S管64的源极又连接至一第二 M0S管62的漏极，所述第四M0S管64的漏极通过串接一第一输入二极管71连接至输入电容41和输入电感42的串联处，输入电容41和输入电感42的串联处还通过串接一第二输入二极管72连接至第二 M0S管62的源极，第四M0S管64的漏极还连接至一第一 M0S管61的漏极，所述第一 M0S管61的源极连接至一第三M0S管63的漏极，第三M0S管63的源极连接至第二 M0S管62的源极，所述输入电感42还连接至第一 M0S管61的源极，第一 M0S管61的漏极和第三M0S管63的源极之间连接有输入电源9。
[0015]第一 M0S管61、第二 M0S管62、第三M0S管63和第四M0S管64均为NPN型管。第一 M0S管61、第二 M0S管62、第三M0S管63和第四M0S管64内均具有寄生二极管66。
【主权项】
1.一种副边无损吸收箝位电路，其特征在于:包括变压器(1)，所述变压器(1)的原边绕组和副边绕组分别连接有输入电路和输出电路，输出电路包括相互串联的第一二极管(11)和第三二极管(13)以及相互串联的第四二极管(14)和第二二极管(12)，第一二极管(11)的负极和第四二极管(14)的负极短接且通过一第一电感(21)连接至正输出端(51)，第三二极管(13)的正极和第二二极管(12)的正极短接必并连接至负输出端(52)，第四二极管(14)的负极和负输出端(52)之间依次串接有第五二极管(15)和第一电容(31)且在串接位置又依次串接有第六二极管(16)和第二电感(22)后连接至正输出端(51)，正输出端(51)和负输出端(52 )之间连接有箝位电容(2 )，第一二极管(11)和第三二极管(13 )串联处连接至副边绕组的其中一端，第四二极管(14)和第二二极管(12)的串联处连接至副边绕组的其中另一端。2.根据权利要求1所述的一种副边无损吸收箝位电路，其特征在于:输入电路包括与原边绕组的其中一端相连的输入电容(41)，所述输入电容(41)串联有输入电感(42 )，所述原边绕组的其中另一端连接至一第四MOS管(64)的源极又连接至一第二 MOS管(62)的漏极，所述第四MOS管(64)的漏极通过串接一第一输入二极管(71)连接至输入电容(41)和输入电感(42)的串联处，输入电容(41)和输入电感(42)的串联处还通过串接一第二输入二极管(72)连接至第二 MOS管(62)的源极，第四MOS管(64)的漏极还连接至一第一 MOS管(61)的漏极，所述第一 MOS管(61)的源极连接至一第三MOS管(63 )的漏极，第三MOS管(63)的源极连接至第二 MOS管(62)的源极，所述输入电感(42)还连接至第一 MOS管(61)的源极，第一 MOS管(61)的漏极和第三MOS管(63)的源极之间连接有输入电源(9)。3.根据权利要求2所述的一种副边无损吸收箝位电路，其特征在于:第一MOS管(61)、第二 MOS管(62)、第三MOS管(63)和第四MOS管(64)均为NPN型管。4.根据权利要求3所述的一种副边无损吸收箝位电路，其特征在于:第一MOS管(61)、第二 MOS管(62 )、第三MOS管(63 )和第四MOS管(64 )内均具有寄生二极管(66 )。
【专利摘要】<b>本实用新型涉及电力电子技术领域，具体为一种副边无损吸收箝位电路，包括变压器，变压器的原边绕组和副边绕组分别连接有输入电路和输出电路，输出电路包括第一、第三二极管以及第四、第二二极管，第一二极管的负极和第四二极管的负极短接且通过一第一电感连接至正输出端，第三二极管的正极和第二二极管的正极短接必并连接至负输出端，第四二极管的负极和负输出端之间依次串接有第五二极管和第一电容且在串接位置又依次串接有第六二极管和第二电感后连接至正输出端，正输出端和负输出端之间连接有箝位电容，</b><b>运行安全稳定、成本低、结构简单且尖峰电压低、损耗少有器件应力可降低。</b>
【IPC分类】H02M3/335, H02M1/44
【公开号】CN204967621
【申请号】CN201520590568
【发明人】姚晓武, 张昌运
【申请人】浙江亚能能源科技有限公司
【公开日】2016年1月13日
【申请日】2015年8月7日