专利名称：电子部件的外部涂层基底及压电谐振部件的制作方法
技术领域：
本发明涉及用于例如压电振荡器等电子部件的外部涂层基底以及包括此外部涂层基底的压电电子部件。尤其是，本发明涉及通过层叠各种材料层构成的电子部件的外部涂层基底以及使用该外部涂层基底的压电谐振部件。
在电子部件中，例如压电振荡器中，广泛地使用由陶瓷制成的外部涂层基底来保护电子部件的元件。
例如，在4-4604号日本未审查专利申请公开中揭示了
图10所示的压电谐振器101。在压电谐振器101中，把外部涂层基底103和104层叠在能陷型压电谐振元件102的顶部和底部。外部涂层基底103和104由通过低温煅烧获得的氧化铝制成。陶瓷例如氧化铝的强度较佳。然而，因煅烧温度高而使得制造成本变高。在4-4604号日本未审查专利申请公开中揭示了降低煅烧温度来减少制造成本。
另一方面，在9-208261号日本未审查专利申请公开中揭示了图11所示的晶体振荡器。在此揭示中，把晶体振荡器112密封在由底座部件113和盖子部件114构成的封装中。底座部件113和盖子部件114由玻璃-陶瓷复合材料制成，从而所述在约800℃到1000℃下的煅烧是可能的。
此外，在10-106880号日本未审查专利申请公开中揭示了图12所示的复合层陶瓷部件。在此揭示中，设置低介电常数层121和124作为最外层，低介电常数层121和124由陶瓷粉末和非晶玻璃的混合材料制成。高介电常数层122和123安排在低介电常数层121和124之间。描述了通过高介电常数层122和123来提高电容器、谐振器和其它电子部件(包括导电层125和126)的特性。
可在相对低的温度下煅烧4-4604号日本未审查专利申请公开中所述的压电谐振器的外部涂层基底103和104。然而，煅烧期间的收缩率较大。因此，产生的问题是，外部涂层基底103和104的尺寸精度不够。
另一方面，在9-208261号日本未审查专利申请公开以及10-106880号日本未审查专利申请公开中使用玻璃-陶瓷复合材料。可在低温下煅烧玻璃-陶瓷复合材料。然而，煅烧期间的收缩率也很大，基底尺寸的精度也不够。
为了克服上述问题，本发明的较佳实施例提供了一种电子部件的外部涂层基底，该基底被设置成在低温下煅烧并实现尺寸精度的大大提高。此外，本发明的较佳实施例提供了一种压电谐振部件，该部件具有被设置成在低温下煅烧且尺寸精度较佳同时成本低的外部涂层基底。
依据本发明的第一较佳实施例，电子部件的外部涂层基底包括多层基底，该多层基底具有层叠在一起的第一材料层和第二材料层，其中在液相中烧结第一材料层，不在第一材料层的烧结温度下烧结第二材料层。
在本发明的一个较佳实施例中，第一材料层最好由玻璃或玻璃-陶瓷制成。
最好，第一材料层不包含在湿的电镀液中溶解的成分。
此外，最好在基底的至少一个主表面上形成凹陷(concave)部分。
外部涂层基底最好具有设置成夹住第二材料层的至少一部分的至少一对电容电极，由这对电容电极来限定一电容器。
在本发明的另一个较佳实施例中，最好在外部涂层基底中设置电阻元件和电感元件，它们由电阻材料和磁性材料制成。
在本发明的再一个较佳实施例中，在基底中，把至少两层第一材料层与第二材料层层叠。
依据本发明的还有一个较佳实施例，一种压电谐振部件包括压电谐振元件和层叠在该压电谐振元件的顶部和底部的第一及第二外部涂层基底，其中第一和第二外部涂层基底中的至少一个包括多层结构，该多层结构具有包括在液相中烧结的第一材料层和不在第一材料层的烧结温度下烧结的第二材料层的层叠结构。
在以上段落中上述的较佳实施例的一个特殊例子中，压电谐振元件为能陷型压电谐振元件，第一和第二外部涂层基底层叠在压电谐振元件上，从而限定允许能陷型压电谐振元件作自由的无阻碍振动的空间。
在本发明的又一个较佳实施例中，凹陷部分最好设置在第一和第二外部涂层基底中至少一个的一个表面上，从而限定允许能陷型压电谐振元件作自由的无阻碍振动的空间。
最好，在本发明的本较佳实施例中，第一材料层由玻璃或玻璃-陶瓷制成。
此外，第一和第二外部涂层基底最好不包含在湿的电镀液中溶解的成分。
在第一和第二外部涂层基底的至少一个中，把至少一对电容电极设置成夹住第一材料层的至少一部分，由这对电容电极来限定一电容器。
此外，在第一和第二外部涂层基底的至少一个中，最好设置电阻元件和电感元件，且它们分别包括电阻材料和磁性材料。
此外，第一和第二外部涂层基底中的至少一个最好具有多个第一材料层。
依据本发明的各较佳实施例，压电谐振部件包括一封装基底、固定在封装基底上的压电谐振元件以及把压电谐振元件固定于封装基底的接合部件，其中封装基底的杨氏模量小于构成压电谐振元件的压电材料的杨氏模量。
在本发明的这一较佳实施例中，封装基底最好是具有至少两层的多层封装基底。
多层封装基底最好包括杨氏模量大于压电材料的杨氏模量的第一层以及杨氏模量小于压电材料的杨氏模量的第二层。
杨氏模量较小的第二层最好是由非晶玻璃和陶瓷粉末的复合材料制成的，杨氏模量较大的第二层最好由Al2O3或MgTiO3制成。
压电谐振元件最好是具有压电板及部分设置在压电板上的谐振部分的能陷型压电谐振元件。
依据本发明各较佳实施例的压电谐振部件可形成具有依据上述压电谐振元件、封装基底和接合部件的各种结构的部件。
在本发明的一个较佳实施例中，封装基底最好层叠在压电谐振元件的两侧上，从而允许压电谐振元件作自由的无阻碍振动。
此外，最好把一盖子加到封装基底，以便包围固定在封装基底上的压电谐振元件。
封装基底最好具有容纳压电谐振元件的凹陷部分，最好把一罩子部件固定于封装基底，以封闭凹陷部分。
从以下对较佳实施例的详细描述并参考附图，将使本发明的其它特征、特性、元件和优点变得更加明显起来。
图1A和1B是依据本发明第一较佳实施例的压电谐振部件的透视装配图以及外部涂层基底的透视装配图；图2是依据本发明一个较佳实施例的压电谐振部件的透视图；图3A到3D是代表依据本发明各较佳实施例的外部涂层基底中的第一和第二材料层的变化例子的剖面图；图4A和4B是依据本发明第二较佳实施例的压电谐振部件的透视装配图以及外部涂层基底的透视装配图；图5是依据本发明第三较佳实施例的压电谐振部件的透视图；图6是在依据本发明第三较佳实施例的压电谐振部件中所使用的外部涂层基底的透视装配图7是示出依据本发明各较佳实施例的外部涂层基底的变化例子的剖面图；图8是示出产生翘曲的外部涂层基底状态的剖面图；图9是示出依据本发明各较佳实施例的外部涂层基底的另一个变化例子的剖面图；图10是常规的压电谐振器的一个例子的剖面图；图11是常规的压电谐振部件的另一个例子的剖面图；图12是常规的电子部件的另一个例子的剖面图；图13A和13B是依据本发明第四较佳实施例的压电谐振部件的剖面图和透视外观；图14是依据本发明第五较佳实施例的压电谐振部件的剖面图；图15是依据本发明第六较佳实施例的压电谐振部件的剖面图；图16是依据本发明第七较佳实施例的压电谐振部件的剖面图；图17是依据本发明第八较佳实施例的压电谐振部件的剖面图；图18是依据本发明第九较佳实施例的压电谐振部件的剖面图；以及图19是依据本发明第十较佳实施例的压电谐振部件的剖面图。
图2是依据本发明第一较佳实施例的压电谐振部件的透视图。压电谐振部件1最好包括置于压电谐振元件2的顶部和底部的第一和第二外部涂层基底5和6，该压电谐振元件2插入粘合层3和4。
在压电谐振部件1的外表面上设有外部电极7到9。在压电谐振部件1中，把外部电极7到9分别设置成在一层叠体的外表面的一对侧面、底面和顶面的一部分上延伸，其中层叠体层叠有上述压电谐振元件2、粘合层3和4以及外部涂层基底5和6。换句话说，外部电极7到9设置成缠绕在上述层叠体的外围(除了图2所示层叠体顶面上被切断的部分以外)。可省略在层叠体的顶面上延伸的外部电极的部分。
此较佳实施例包括外部涂层基底5和6的独特设置。参考图1A和1B来详细描述上述压电谐振部件。
图1A是压电谐振部件1的透视装配图，图1B是下面的外部涂层基底4的透视装配图。
如图1A所示，压电谐振元件2最好包括具有基本上矩形形状的压电板10。压电板10最好由例如锆酸钛酸铅陶瓷等压电陶瓷材料或例如晶体等压电单晶制成。
激励电极11置于压电板10的顶面的近似中心。在压电板10底部表面的近似中心也设有激励电极(在图1中未示出)，底面的激励电极和激励电极11设置成在夹住压电板10的顶面和底面上相互面对。
在压电板10的顶面上，激励电极11连到沿末端边缘10a设置的引出电极12。引出电极12设置成到达压电板10的两侧边缘。以下，侧边缘指沿垂直于末端边缘10a的方向延伸的外部边缘，它最终相应于层叠体的侧面上所暴露的部分。即，在压电谐振部件1中，引出电极12在上述层叠体的一对侧面上暴露出来。
然后，引出电极12电气连接到层叠体侧面上的外部电极7。
类似地，置于底面上的激励电极也连到一引出电极，该引出电极设置成到达压电板10的底面上的两侧边缘，该引出电极电气连接到外部电极8。
上述压电谐振元件2最好是能陷型压电谐振元件，谐振部分最好包括具有设置成与底面上的激励电极面对的激励电极11的部分。粘合层3和4分别具有开口3a和3b，以限定允许谐振部分作自由的元阻碍振动的空间。即，粘合层3和4具有基本上为矩形的平面状框架。
如图1B所示，外部涂层基底6具有包括多个材料层13到17层叠插入内部电极18到20的结构。材料层14和16是第一材料层，它们最好由在液相中烧结的材料制成，材料层13、15和17是第二材料层，它们不在第一材料层14和16的烧结温度下烧结。
即，在此较佳实施例中，把第一材料层14和16与第二材料层13、15和17交替层叠。然后，最好由第二材料层13和17来限定最外层。
作为构成在液相中烧结的第一材料层14和16的材料，最好使用例如玻璃或玻璃-陶瓷复合材料。更具体来说，可使用晶体玻璃或各种非晶来构成第一的材料层14，晶体玻璃例如钙长石晶体玻璃、镁橄榄石晶体玻璃、堇青石晶体玻璃、钡长石晶体玻璃，非晶玻璃例如SiO2-MgO-Al2O3系列、SiO2-Al2O3系列、SiO2-Al2O3-CaO系列SiO2-Al2O3-BaO系列以及SiO2-CaO系列。
第二材料层13、15和17最好由不在第一材料层14和16(在液相中烧结)的烧结温度下烧结的材料构成。作为这种材料，可使用具有高熔点的无机固体粉末，更具体来说，可使用Al2O3、BaTiO3、ZrO2、多铝红柱石和其它适当的材料及其混合物。然而，构成第二材料层13、15和17的材料不限于如上所述的陶瓷材料而可使用玻璃材料，只要该玻璃材料的软化点足够高于构成第一材料层14和16的材料且这种材料不在第一材料层的烧结期间烧结。
第一内部电极18和第二及第三内部电极19和20设置成在外部涂层基底6中限定一三端电容器。第一内部电极18和第二及第三内部电极19和20堆叠，从而夹住第二材料层15。第二内部电极19具有在层叠体的侧面上所暴露的引出部分19a，引出部分19a电气连接到第一外部电极7。类似地，第三内部电极20具有在层叠体的侧面上暴露的引出部分20a，引出部分20a电气连接到第二外部电极8。
此外，第一内部电极18具有引出部分18a，该引出部分18a向外延伸到上述层叠体的侧面的近似中心。引出部分18a电气连接到第三外部电极9。
因此，该三端电容器连接在第一到第三外部电极7到9之间。尤其是，第一和第二外部电极7和8分别电气连接到激励电极11、底面、压电谐振元件2底面上的激励电极。因此，通过把第一和第二外部电极7和8连到输入/输出电极并把第三外部电极9接地，提供了一内置式三端负载电容型压电振荡器。
在图中未示出，但与下外部涂层基底6类似地设置上外部涂层基底5，在外部涂层基底5中，类似地提供了一三端电容器。
在本较佳实施例的压电谐振元件1中，外部涂层基底6具有这样的结构，其中第一材料层14和16与第二材料层13、15和17如上所述层叠。在此情况下，在由上述材料构成时，在液相中烧结的第一材料层14和16的煅烧温度(由其成份而变化)约为800℃到1000℃。即，在相对低的温度下煅烧第一材料层14和16。在此情况下，构成第二材料层13、15和17的材料不在第一材料层14和16(在液相中烧结)的煅烧温度下烧结。
因此，构成第二材料层13、15和17的材料渗入液相烧结材料层，其后，煅烧在液相中烧结的第一材料层14和16，从而第一材料层14和16与第二材料层13、15和17混合并稳固地结合起来。尤其是，第二材料层13、15和17限制了煅烧期间第一材料层14和16的收缩。然后，材料层13、15和17的限制效应防止了沿平行于第一材料层14和16主表面方向的收缩，从而可获得具有高尺寸精度的外部涂层基底6。
类似地，在上外部涂层基底5中，由于类似于外部涂层基底6的设置，由起到限制材料层作用的第二材料层限制了煅烧期间第一材料层的收缩，则也可获得具有非常高的尺寸精度的外部涂层基底5。
因此，依据本较佳实施例，由于大大提高了外部涂层基底5和6的尺寸精度，所以如上所述烧结温度相对低，大大减少了外部涂层基底5和6的成本。在压电谐振部件1中，由于使用如上所述尺寸精度高的外部涂层基底5和6，所以也有效地提高了压电谐振部件1本身的外部尺寸精度。
此外，由于外部涂层基底5和6的尺寸精度大大提高，所以也明显地提高了外部涂层基底5和6中所提供的三端电容器(作为电子部件的功能性元件)静电容量的精度。
在本较佳实施例中，把第二材料层15设置在第一内部电极18与第二和第三内部电极19和20之间，以第二材料层15来取得静电容量。然而，可把第一材料层设置在第一内部电极18与第二和第三内部电极19和20之间，以限定一静电容量。
在本发明的各较佳实施例中，可设置第一材料层和第二材料层中的至少一层，可适当地改变每一层的数目、厚度和设置。例如，作为图3A所示的外部涂层基底31，可在第一材料层32和33之间设置第二材料层34。相反，如图3B所示，可在第二材料层35和36之间设置第一材料层37。如图3C所示，可把第二材料层40和41层叠在由第一材料层38和39所限定的两层的顶部和底部。
如图3D所示，可把内部电极43a到43c设置在第二材料层42的顶部和底部，以构成一电容器，可把第一材料层44和45层叠在其顶层和底层上，可把第二材料层46和47层叠在最外层上。
在如上所述内部电极位于外部涂层基底中的情况下，可通过印刷导电糊来形成内部电极，其后，可与外部涂层基底同时煅烧内部电极。在制备了构成压电谐振部件1的上述层叠体后，通过分开地涂敷导电糊并烘焙或通过例如汽相淀积等薄膜形成法来形成外部电极7到9。
可在煅烧外部涂层基底5和6前的阶段制备上述层叠体，可给该层叠体涂敷导电糊，然后，可通过与外部涂层基底5和6的煅烧同时煅烧来完成外部电极7到9。
在第一较佳实施例中，最好通过如上所述的各种方法来形成外部电极7到9。此外，可通过外部电极表面上的湿式电镀方法来形成镀膜，以便提高可焊性和其它特性。在此情况下，最好使用不包含在湿式电镀中的电镀液溶解的成分(例如，Zr)的材料来构成外部涂层基底5和6。即，作为第一和第二材料层，最好使用不包含在电镀液中溶解的成分的上述材料，从而可形成具有较好抗镀性的外部涂层基底5和6。
在本较佳实施例中，外部涂层基底5和6具有层叠了第一和第二材料层的结构。然而，外部涂层基底之一可以是不依据本发明的较佳实施例构成的外部涂层基底，例如可以是由从陶瓷、玻璃-陶瓷、玻璃或其它适当的材料中选出的单种材料制成的基底。即，只要依据本发明各较佳实施例来构成至少一个外部涂层基底，仍可大大提高依据本发明较佳实施例构成的外部涂层基底的尺寸精度。因此，也可明显地提高压电谐振部件1的尺寸精度。
图4A和4B是用于说明依据本发明第二较佳实施例的压电谐振部件的透视装配图。在本较佳实施例中，把外部涂层基底51和52层叠在压电谐振元件2的顶部和底部。在外部涂层基底52的顶面上设置一凹陷部分52a。在外部涂层基底51的底面上类似地形成一凹陷部分(在图中未示出)。凹陷部分52a设置成限定允许压电谐振元件的能陷型谐振部分作自由的无阻碍振动的空间。
图4B是外部涂层基底52的透视装配图。在外部涂层基底52中，与依据第一较佳实施例的外部涂层基底6相类似的，在内部设置第一到第三内部电极18到20。
外部涂层基底52具有这样的结构，其中上述内部电极18到20与材料层53到60层叠在一起。其中，材料层53、55、56、58和60是第二材料层，材料层54、57和59是第一材料层。
构成分别具有基本上为矩形的平面状框架的材料层53到55具有基本上为矩形的开口53a到55a。开口53a到55a设置成限定上述凹陷部分52a。
至于其它方面，由于与第一较佳实施例相类似，省略有关相同的元件的说明，使用类似的标号来表示类似的元件。此外，在本较佳实施例中，与下外部涂层基底52相类似地设置上外部涂层基底51。然而，上外部涂层基底51可由不依据本发明较佳实施例构成的外部涂层基底构成。
在类似于第一较佳实施例的第二较佳实施例中，由于外部涂层基底52具有第一材料层54、57和59及第二材料层53、55、56、58和60层叠在一起的结构，所以大大地提高了尺寸精度，且也可明显提高三端电容器的静电容量的精度。此外，可在低温下煅烧外部涂层基底52。
因此，与第一较佳实施例相类似，在压电谐振部件51中，可提高尺寸精度、减少成本并减少静电容量的分散。
图5和6是用于说明依据本发明第三较佳实施例的压电谐振部件的透视装配图以及用于解释外部涂层基底的透视装配图。
在依据本较佳实施例的压电谐振部件中，把使用厚度滑动(thickness slip)模式的能陷型压电谐振元件71储藏在包括外部涂层基底72和73的封装中。外部涂层基底72具有储藏凹坑72a。储藏凹坑72a在外部涂层基底72的顶面中开口，并构成具有可储藏压电谐振元件71的尺寸。第一和第二外部电极7和8设置成从储藏凹坑72a的底面向外部涂层基底72的侧面延伸。第三外部电极9位于外部涂层基底72的侧面的近似中心。第一到第三外部电极7到9不仅暴露在外部涂层基底72的侧面上，而且也设置成经由从侧面经由底面向相对的侧面延伸。
另一方面，在压电谐振元件71的顶面上形成第一激励电极74。在底面上还形成一激励电极，以面对位于压电谐振元件71的近似中心的激励电极74，其中这两个电极位于顶面和底面上的相应位置。底面上的激励电极向图5中的右边延伸，且经由导电接合部件75电气连接到储藏凹坑72a中所暴露的外部电极8。激励电极74置于压电谐振元件71的顶面上，且在压电谐振元件71的一端处从端面延伸到底面。底面上的激励电极74的延伸部分经由导电接合部件76电气连接到储藏凹坑72a中所暴露的外部电极7。压电谐振元件71被储藏在储藏凹坑中夹住导电接合部件75和76并固定。
另一方面，压电谐振元件71的谐振部分位于纵向的近似中心，在本较佳实施例中，由于上述导电接合部件75和76的厚度，所以在谐振部分下构成了允许自由的无阻碍振动的空间。
盖子形状的外部涂层基底73具有向下的开口(在图中未示出)，开口的外围通过绝缘粘合剂(在图中未示出)接合到外部涂层基底72。
本较佳实施例的特征在于，依据本发明的较佳实施例构成外部涂层基底72。
未特别限制盖子的材料，可使用例如氧化铝等陶瓷、树脂、金属和其它适当的材料。金属适用于小型化且便于成形。未特别限金属材料，可使用42Ni合金、铝合金、镍银及其它适当的金属。
如图6所示，通过层叠材料层81到88来构成外部涂层基底72，其中插入内部电极18到20及外部电极7和8。在材料层81到88中，材料层82、85和87是第一材料层，材料层81、83、84和88是第二材料层。在材料层81到83中分别形成基本上为矩形的开口81a到83a，以限定上述凹坑72a。
通过涂敷和烘焙导电糊来形成插入材料层83和84之间的外部电极7和8的部分。与内部电极18到20相类似，在煅烧外部涂层基底72时实行导电糊的烘焙。
与依据第一较佳实施例的内部电极18到20相类似地构成内部电极18到20。
最好在材料层84到88的两个侧面中都形成槽口89，以导电糊填充槽口89。烘焙该糊，以构成在外部涂层基底72的侧面上暴露的外部电极7到9的部分。
在煅烧外部涂层基底72后，可通过任意方法来形成位于外部涂层基底72侧面上的外部电极7和9的部分，例如可通过涂敷和烘焙导电糊或汽相淀积、电镀或溅射等薄膜形成方法。
然而，如本较佳实施例中，由于在外部涂层基底72煅烧的同时，通过以导电糊填充槽口并在外部涂层基底72的煅烧期间，通过同时煅烧的方法形成位于侧面上的外部电极7到9的部分、将在储藏凹坑72a中暴露的部分以及将位于材料层88底面上的部分，所以实现了制造工艺的简化。
在第三较佳实施例中，由于依据本发明的较佳实施例来构成外部涂层基底72，所以大大提高了外部涂层基底72的尺寸精度，也明显地减少了外部涂层基底72的成本。因此，也大大提高了压电谐振部件的尺寸精度。此外，也大大减少了包含在外部涂层基底72中的三端电容器的静电容量的分散。
在第一到第三较佳实施例中，仅参考一个压电谐振部件的透况装配图来说明依据本发明的外部涂层基底和压电谐振部件。然而，可在母基底的情况下制造依据本发明较佳实施例的外部涂层基底和压电谐振部件，随后在最后或煅烧前把母基底切割成各个外部涂层基底或压电谐振部件单元。在使用常规外部涂层基底的情况下，由于煅烧期间的收缩，所以分散了上述凹坑72的尺寸精度，从而限制了可从母基底上切割下来的外部涂层基底的数目。此外，不得不在母基底中形成额外的空白区(margin area)，该空白区相应于每个压电谐振部件和储藏凹坑的凹坑部分的尺寸分散以及外部涂层基底的尺寸分散。因此，问题是最终获得的压电谐振部件的尺寸也变大了。
另一方面，如上所述，在使用依据本发明较佳实施例的外部涂层基底的情况下，由于尺寸精度大大提高，所以明显地改善了凹坑部分或储藏凹坑的尺寸精度，可增加从一母基底上切割下来的外部涂层基底或压电谐振部件的数目，也可实现外部涂层基底和压电谐振部件的小型化。
在依据本发明较佳实施例的外部涂层基底中，由改变第一和第二材料层的厚度及内部电极的设置，可提供具有各种性能和特性的外部涂层基底。
例如，在图7所示的外部涂层基底90中，堆叠内部电极18到20，从而夹住具有高介电常数的第二材料层91，以构成一三端电容器。因此，可构成具有大的静电容量的电容器。然后，把在液相中烧结的第一材料层92a和92b层叠在第二材料层91的顶部和底部。在第一材料层92a和92b的外部，层叠厚度小于第一材料层92a和92b的第二材料层93a和93b。在此情况下，位于中央的第二材料层91最好由例如钛酸钡介电陶瓷材料等高介电常数的材料构成，以获得大的静电容量。即，如上所述，第二材料层91和第二材料层93a和93b的构成材料可有所不同。
在图8中所示的外部涂层基底中，把第二材料层95a和95b设在第一材料层94的顶部和底部，仅把电极96设置在其顶部。因此，在煅烧期间，存在由图8所示的弯曲所引起的向下凸起的危险。在此情况下，如图9所示，第一材料层94顶部的第二材料层95a可由热膨胀系数与位于第一材料层94底部的第二材料层95b的热膨胀系数不同的材料构成。即，通过使第二材料层95a的热膨胀系数小于第二材料层95b的热膨胀系数，可防止外部涂层基底97的翘曲。
在第一到第三较佳实施例中，电容器位于外部涂层基底中。然而，可通过在内部设置电阻材料或磁性材料来提供电阻元件或电感元件。即，可构成各种电子部件的功能性元件，还可在外部涂层基底中内置分散电学特性小的电子部件的功能性元件。
在第一和第二较佳实施例中，把第一和第二外部涂层基底层叠在一压电谐振元件的顶部和底部。然而，可层叠多个压电谐振元件，可把第一和第二外部涂层基底层叠在该层叠体的顶部和底部。可把内部涂层基底插入多个压电谐振元件之间。
如上所述，最好在压电谐振部件中使用依据本发明较佳实施例的外部涂层基底。此外，对于压电谐振部件以外的其它电子部件，可广泛地使用外部涂层基底，则可提高电子部件的尺寸精度，减少成本并可在外部涂层基底中构成电容器或电感的电路时使电学特性变得稳定。
图13A和13B是依据本发明第四较佳实施例的压电谐振部件的剖面图和透视外观。
在压电谐振部件101中，把第一和第二封装基底103和104层叠在基本上为矩形的压电谐振元件102的顶部和底部。
在压电谐振部件101中，把第一和第二激励电极106和107设置在压电基底105的两个主表面上。压电基底105最好由例如锆酸钛酸铅陶瓷等压电陶瓷材料或例如晶体等压电单晶来制成。这种压电材料的杨氏模量通常约为5.0×1010到18×1010。在使用三次波(triple wave)的情况下，最好使用杨氏模量约为14.2×1010到16.2×1010的压电材料。
把激励电极106和107设置成在压电板105的近似中心处的顶面和底面上相互面对，把激励电极106和107设置成相互面对的部分构成能陷型压电谐振部件。激励电极106引出到其中层叠有压电谐振元件102、封装基底103和104的结构的一个端面，激励电极107引出到其另一个端面。在所述层叠结构的两个端面上，分别设有外部电极108和109。
最好使用例如汽相淀积、电镀或溅射等薄膜形成方法，通过放上例如Ag或Cu等导电材料来形成激励电极106和107。
另一方面，最好通过类似的方法或通过涂敷和固化导电糊来形成外部电极108和109。
层叠在压电谐振元件102上的封装基底103和104的表面中具有凹陷部分103a和104a。把凹陷部分103a和104a设置成限定允许压电谐振元件102的谐振部分作自由的无阻碍振动的空间。
在图13未示出，通过最好由绝缘粘合剂制成的接合部件把所述封装基底103和104固定在压电谐振元件102上。
最好由杨氏模量低于压电材料的杨氏模量的绝缘材料来制成所述封装基底103和104。作为绝缘材料，可使用例如Al2O3和MgTiO3等绝缘陶瓷或非晶玻璃和陶瓷粉末的复合物或其它适当的材料。不特别限制封装基底103和104的杨氏模量，只要它们低于压电材料的杨氏模量，最好使用杨氏模量约为9.8×1010到11.8×1010的封装基底。
因此，封装基底的杨氏模量与压电谐振元件102的杨氏模量之比最好在约0.60到约0.83的范围内。
在本较佳实施例中，经由接合部件(在图中未示出)把压电谐振元件102中所产生的伪振动传播到封装基底103和104。然而，由于封装基底103和104的杨氏模量相对小，所以伪振动被衰减。因此，可有效地抑制在谐振特性中出现乱真。
只要封装基底的杨氏模量小于构成压电谐振元件102的压电材料的杨氏模量，就可获得上述乱真抑制效果。此外，当封装基底103和104的杨氏模量在上述较佳范围内时，就可更有效地抑制乱真。
例如，在把锆酸钛酸铅压电陶瓷用作压电材料的情况下，杨氏模量约为15.2×1010。在把如SiO2-MgO-Al2O3等非晶玻璃与Al2O3、BaTiO3或ZrO2等陶瓷粉末的复合物用作封装基底103和104的情况下，杨氏模量约为10.8×1010，在使用纯度为96％的Al2O3的情况下，由于纯度的变化，使得杨氏模量为约32.0×1010。
图14是依据本发明第五较佳实施例的压电谐振部件的剖面图。
在依据第五较佳实施例的压电谐振部件111中，通过导电接合部件113和114把能陷型压电谐振元件102结合到一基底上的封装基底112上，并固定于封装基底112。把激励电极106设置在压电板105的端面上并构成延伸到底面，以导电接合部件113把压电板105底面上的激励电极106的一部分结合到封装基底112上。
在封装基底112的顶面上，设有延伸到其外部的端电极115和116。把端电极115和116结合到上述导电接合部件113和114。
此外，把盖子117结合在封装基底112上。盖子117具有向下的开口，并通过绝缘粘合剂(在图中未示出)结合在封装基底112上，从而包围压电谐振元件102。
盖子117最好由至少一个表面导电的材料(例如金属)或通过以导电膜覆盖绝缘材料的表面而制成的结构来构成。通过使用具有导电表面的这种盖子117，可电磁屏蔽压电谐振元件102。然而，盖子可由绝缘材料或其它适当的材料构成。
此外，在本较佳实施例中，封装基底112的杨氏模量最好小于构成压电谐振元件102的压电板105的压电材料的杨氏模量。因此，与第四较佳实施例相类似，在压电谐振元件102中所产生的不想要的伪振动经由导电接合部件113和114传播到封装基底112的情况下，由封装基底112来衰减振动。因此，有效地抑制了谐振特性中不想要的乱真。
图16是依据本发明第六较佳实施例的压电谐振部件的剖面图。在依据本较佳实施例的压电谐振部件121中，封装基底122具有凹陷部分122a，把压电谐振元件102储藏在凹陷部分122a中。即，封装基底22具有向上开的开口，开口的内部构成凹陷部分122a。类似于第五较佳实施例，在凹陷部分122a中，通过导电接合部件113和114把压电谐振元件102固定于封装基底122。为了封闭凹陷部分122a，通过粘合剂(在图中未示出)把一覆盖部件123结合到封装基底122的开口的端面上。
除了使用具有凹陷部分122a的封装基底122而不用封装基底112以及使用覆盖部件123而非盖子117以外，类似于第五较佳实施例来构成本较佳实施例。即，封装基底122的杨氏模量小于构成压电谐振元件102的压电板105的压电材料的杨氏模量。因此，类似于第五较佳实施，在封装基底122中衰减了压电谐振元件102中所产生的不想要的乱真，有效地抑制了谐振特性中出现乱真。
在上述第四到第六较佳实施例中，通过选择压电谐振元件和封装基底的杨氏模量，如上所述有效地抑制了不想要的乱真。因此，容易制造依据第四到第六较佳实施例的压电谐振部件，并可抑制不想要的乱真，而不增加压电谐振部件的成本。
图16是依据本发明第七较佳实施例的压电谐振部件的剖面图。
在依据第七较佳实施例的压电谐振部件131中，把第一和第二封装基底132和133层叠在压电谐振元件102的顶部和底部。第七较佳实施例与第四较佳实施例的不同之处在于，第一和第二封装基底132和133最好包括其中层叠有多个材料层的多层封装基底。至于其它方面，由于类似于第四较佳实施例，所以除了对类似的元件使用相同的标号以外，省略对第四较佳实施例的相同元件的详细说明。
封装基底132的结构是把第一到第五材料层132a到132e层叠在一起。其中，第一、第三和第五材料层132a、132c和132e最好由SiO2-MgO-Al2O3制成，第二和第四材料层132b和132d最好由Al2O3制成。因此，构成第一、第三和第五材料层132a、132c和132e的SiO2-MgO-Al2O3的杨氏模量约为8.01×1010，构成第二和第四材料层132b和132d的Al2O3的杨氏模量约为32.0×1010。通过控制第一、第三和第五材料层132a、132c和132e的厚度以及第二和第四材料层132b和132d的厚度，在本较佳实施例中，整个第一封装基底132的杨氏模量约为10.8×1010。类似地，封装基底133也具有层叠了第一到第五材料层132a到132e的结构，其整个杨氏模量约为10.8×1010。
另一方面，压电谐振元件102的压电板105包括锆酸钛酸铅陶瓷，其杨氏模量约为15.2×1010。
即，封装基底132和133的杨氏模量与压电材料的杨氏模量之比约为0.71。因此，类似于第四较佳实施例的较佳例子，在通过图中未示出的接合部件把压电谐振元件102中所产生的伪振动传播到封装基底132和133的情况下，由封装基底132和133来衰减伪振动，可有效地抑制谐振特性中出现不想要的乱真。
可通过层叠和煅烧主要由非晶玻璃和陶瓷粉末制成的材料所构成的生片材(green sheet)以及Al2O3制成的生片材来容易地获得上述封装基底132和133。即，它们可使用陶瓷多层基底的制造方法来容易地获得。因此，压电谐振部件131的成本不增加。
图17是依据本发明第八较佳实施例的压电谐振部件的剖面图。在压电谐振部件141中，把第一和第二封装基底142和143层叠在压电谐振元件102的两个主表面上。除了封装基底142和143的结构不同于第七较佳实施例以外，类似于第七较佳实施例来构成第八较佳实施例。
即，第一和第二封装基底142和143是多层封装基底。然而，此多层结构不同于图16所示的封装基底132和133。
把第一封装基底142作为一个例子。第一封装基底142具有允许压电谐振元件102的谐振部分作自由的无阻碍振动的凹陷部分142a。封装基底142具有第一到第三材料层142b到142d。材料层142b到142d中的每一层都被设置成包围上述凹陷部分142a。换句话说，在图17所示的剖面图中，第一到第三材料层142b到142d中每一层的形状都类似于符号“]”，其中端部构成结合到压电谐振元件102的部分。这在封装基底143中是类似的。因而，当封装基底142和143为多层结构时，可以各种形式来构成每一材料层。
在第八较佳实施例中，由于第一和第二封装基底142和143整体的杨氏模量小于构成压电谐振元件102的压电材料的杨氏模量，所以类似于第四到第七较佳实施例，在封装基底142和143中衰减了伪振动，结果，有效地抑制了谐振特性中出现不想要的乱真。
图18是依据本发明第九较佳实施例的压电谐振部件的剖面图。
压电谐振部件151相应于第五较佳实施例的修改，其不同之处仅在于使用多层封装基底152而非在第五较佳实施例中所使用的封装基底112。
封装基底152具有其中层叠了第一到第三材料层152a到152c的结构。第一和第三材料层152a和152c最好由SiO2-MgO-Al2O3制成，第二材料层152b最好由Al2O3制成。在本较佳实施例中，通过控制材料层的厚度，整个封装基底152的杨氏模量约为10.8×1010。则，封装基底152的杨氏模量与压电材料的杨氏模量之比约为0.71。
因此，类似于第四到第八较佳实施例，可在封装基底152中衰减压电谐振元件102中所产生的伪振动，结果，可有效地抑制谐振特性中出现的乱真。
图19是依据本发明第十较佳实施例的压电谐振部件的剖面图。压电谐振部件161相应于第六较佳实施例的修改，其不同之处仅在于使用多层封装基底162而非封装基底122。
多层封装基底162具有其中层叠了第一到第五材料层162a到162e的结构。第一、第三和第五材料层162a、162c和162e最好由SiO2-MgO-Al2O3制成，第二和第四材料层162b和162d最好由Al2O3制成。通过控制第一到第五材料层162a到162e的厚度，整个封装基底162的杨氏模量约为10.8×1010。
因此，封装基底的杨氏模量与压电材料的杨氏模量之比约为0.71，类似于第四到第九较佳实施例，在封装基底162中衰减了压电谐振元件102中所产生的伪振动。则，可有效地抑制谐振特性中出现不想要的乱真。
在上述第四到第九较佳实施例中，把使用能陷型压电谐振元件102的情况作为一个例子进行说明。然而，在本发明的较佳实施例中，可把构成多个能陷型谐振部分的压电滤波元件用作上述压电谐振元件。
此外，可使电极形成压电谐振元件的一部分，除了压电谐振部分以外，还可构成例如电容器部分等其它电子部件功能性部分。
在依据本发明较佳实施例的电子部件的外部涂层基底中，由于层叠在液相中烧结的第一材料层以及不在第一材料层的烧结温度下烧结的第二材料层，且在第一材料层烧结的温度下进行煅烧，所以低温煅烧是可能的。因此，大大地减少了外部涂层基底的成本。
由于在液相中烧结的第一材料层的机械强度较佳且具有约200kg/cm2到约2500kg/cm2的抗挠强度，所以可构成抗挠强度高于常规介电陶瓷的抗挠强度(约800kg/cm2到约1500kg/cm2)且机械强度较佳的外部陶瓷基底。
此外，把第二材料层层叠在第一材料层上，由于第二材料层在第一材料层煅烧期间起到限制材料层的作用，所以限制了第一材料层在煅烧期间的收缩，则极大地提高了基底精度。因此，提供了具有极佳尺寸精度的外部涂层基底，实现了外部涂层基底以及使用该外部涂层基底的电子部件的薄型和小型化。
在第一材料层由玻璃或玻璃-陶瓷构成的情况下，可在约800℃到1000℃的相对低的温度下进行煅烧，可有效地减少外部涂层基底的成本。
在外部涂层基底不包含溶解于湿电镀液的成分的情况下，由于通过例如在外部涂层基底的外表面上形成外部电极以及形成镀膜来提高外部涂层基底的抗镀性，所以大大增加了外部涂层基底及外部涂层基底的可靠性。
在外部涂层基底的至少一个主表面上设有凹陷部分的情况下，使用该凹陷部分可储藏电子部件的元件(例如，压电谐振元件)或形成允许能陷型压电谐振元件的谐振部分作自由的无阻碍振动的空间。
在提供了夹住第一或第二材料层的至少一部分的至少一对电容电极且由这对电容电极来限定一电容器的情况下，由于提高了外部涂层基底的尺寸精度，所以也提高了电容器的静电容量。尤其是，在提供了被设置成相互面对且夹住第二材料层的至少一部分的一对电容电极的情况下，可把具有高介电常数的陶瓷用作第二材料层，则可实现大的静电容量。
在由电阻材料和磁性材料在外部涂层基底中构成电阻元件和电感元件的情况下，通过提高基底的尺寸精度，可构成具有极佳电阻和电感精度的电阻元件和电感元件。
在层叠至少两层第一材料层的情况下，由于多个第一材料层而有效地提高了外部涂层基底的机械强度，也实现了外部涂层基底的薄型化。
在依据本发明较佳实施例的压电谐振部件中，由于第一和第二外部涂层基底中的至少一个包括依据本发明较佳实施例的用于电子部件的外部涂层基底，所以大大提高了外部涂层基底的机械强度和尺寸精度。因此，提高了整个压电谐振部件的尺寸精度和机械强度，由于可在低温下煅烧外部涂层基底，所以减少了压电谐振部件的成本。
此外，由于外部涂层基底的尺寸精度的提高，所以也减少了压电谐振部件的特性分散。
依据本发明的较佳实施例，在压电谐振元件是能陷型压电谐振元件且把第一和第二外部涂层基底层叠在该压电谐振元件上而限定允许能陷型压电谐振元件的谐振部分作自由的无阻碍振动的空间的情况下，可提供尺寸精度极佳、机械强度高且能便宜制备的能陷型压电谐振部件。
在把凹陷部分设在一表面上并层叠在压电谐振元件上的情况下，在第一和第二外部涂层基底中的至少一个中，由凹陷部分来限定允许自由的无阻碍振动的空间。
在依据本发明较佳实施例的压电谐振部件中，在第一材料层由玻璃或玻璃-陶瓷构成的情况下，可在约800℃到约1000℃的相对低的温度下进行煅烧，并可有效地减少外部涂层基底的成本。
在依据本发明较佳实施例的压电谐振部件中，在第一和第二外部涂层基底不包含溶解于湿的电镀液的成分的情况下，由于通过例如在外部涂层基底上形成外部电极以及形成镀膜来提高外部涂层基底的抗镀性，所以可大大增加外部涂层基底及电子部件的可靠性。
在提供了本发明较佳实施例的压电谐振部件的第一和第二外部涂层基底中的至少一个以及设置成夹住第一材料层的至少一部分的至少一对电容电极的情况下，由这对电容电极来限定一电容器。则，由于外部涂层基底的尺寸精度的提高减少了电容器的静电容量的分散。因此，提供了电容器的静电容量分散小的内置电容器型压电谐振部件。
在依据本发明较佳实施例的压电谐振部件中，在由电阻材料和磁性材料构成外部涂层基底中电阻元件和电感元件的情况下，用提高基底的尺寸精度，可构成电阻和电感精度较佳的电阻元件和电感元件。
在本发明较佳实施例的压电谐振部件的第一和第二外部涂层基底中的至少一个具有多个第一材料层的情况下，因多个第一材料层而有效地提高了外部涂层基底的机械强度，也实现了外部涂层基底的薄型化。
在依据本发明较佳实施例的压电谐振部件中，由于封装基底的杨氏模量小于构成压电谐振元件的压电材料的杨氏模量，所以在通过接合部件把压电谐振元件中所产生的伪振动传播到封装基底的情况下，在封装基底中衰减了该伪振动。因此，可有效地抑制谐振特性和滤波特性中出现不想要的乱真。
在本发明中，如上所述，由于可通过控制构成封装基底和压电谐振元件的压电材料的杨氏模量来有效地抑制不想要的乱真，所以大大简化了制造工艺，也防止了压电谐振部件成本的增加。
因此，可容易而便宜地提供不产生不想要的乱真且具有较佳特性的压电谐振部件。
在上述封装基底包括具有至少两层的多层封装基底的情况下，通过控制层数、厚度和构成每一层的材料的其它特性，可容易地构成杨氏模量小于压电材料且能有效地抑制不想要的乱真的封装基底。
在多层封装基底具有杨氏模量大于压电材料的杨氏模量的一层以及杨氏模量小于压电材料的杨氏模量的一层的情况下，只要把整体的杨氏模量规定在小于压电材料的杨氏模量的值，多层封装基底就可由各种材料构成。例如，通过层叠由杨氏模量较大但极佳耐热性且尺寸稳定的材料制成的层，可大大改善压电谐振部件的尺寸稳定性、耐热性和其它特性。
可在例如由非晶玻璃和陶瓷粉末的复合物来制成杨氏模量较小的层时获得这样的结构，且杨氏模量较大的层使用Al2O3或MgTiO3。
在压电谐振元件为具有能量陷落谐振部分的能陷型压电谐振元件的情况下，依据本发明的较佳实施例，可提供不想要的乱真最少且廉价的能陷型压电谐振部件。
在把封装基底层叠在压电谐振元件的两个表面上的情况下，可有效地抑制压电谐振元件两个表面上的不想要的乱真。
在把压电谐振元件固定在一封装基底上且把一盖子部件结合到该封装基底从而包围压电谐振元件的情况下，可通过封装基底抑制不想要的乱真，并可通过盖子部件把压电谐振元件安全地密封在由封装基底和盖子构成的封装结构中。
类似地，在封装基底具有储藏压电谐振元件的凹陷部分且把一罩子部件固定于封装部件的情况下，可通过封装基底来抑制不想要的乱真，并可把压电谐振元件安全地密封在由封装基底和覆盖部件构成的封装结构中。
虽然参考较佳实施例描述了本发明，但根据以上揭示可对本发明进行许多修改和变化。因此，可理解，在所附权利要求书的范围内，可实施本发明而不是如这里特别所述。
权利要求
1．一种电子部件的外部涂层基底，其特征在于包括由第一材料层和第二材料层层叠在一起的多层基底；其中第一材料层能在液相中烧结，第二材料层不能在第一材料层的烧结温度下烧结。
2．如权利要求1所述的电子部件的外部涂层基底，其特征在于所述第一材料层由玻璃和玻璃-陶瓷之一制成。
3．如权利要求1所述的电子部件的外部涂层基底，其特征在于所述基底不包含能溶解于湿的电镀液的成分。
4．如权利要求1所述的电子部件的外部涂层基底，其特征在于在所述基底的至少一个主表面上设有凹陷部分。
5．如权利要求1所述的电子部件的外部涂层基底，其特征在于所述基底具有至少一对电容电极，所述电容电极设置成相互面对并夹住所述第二材料层的至少一部分，由所述电容电极对来限定一电容器。
6．如权利要求1所述的电子部件的外部涂层基底，其特征在于在所述基底中设有电阻元件和电感元件，所述电阻元件和电感元件由电阻材料和磁性材料构成。
7．如权利要求1所述的电子部件的外部涂层基底，其特征在于把至少两层所述第一材料层与所述第二材料层层叠在一起。
8．一种压电谐振部件，其特征在于包括压电谐振元件；层叠在所述压电谐振元件的顶部和底部的第一和第二外部涂层基底；其中所述第一和第二外部涂层基底中的至少一个包括多层结构，所述多层结构具有由第一材料层和第二材料层所限定的层叠体结构，第一材料层能在液相中烧结，第二材料层不能在第一材料层的烧结温度下烧结。
9．如权利要求8所述的压电谐振部件，其特征在于所述压电谐振元件是能陷型压电谐振元件，所述第一和第二外部涂层基底被层叠在所述压电谐振元件上，从而限定允许所述能陷型压电谐振元件的谐振部分作自由的无阻碍振动的空间。
10．如权利要求9所述的压电谐振部件，其特征在于在所述第一和第二外部涂层基底中至少一个的一个表面上设有凹陷部分，由所述凹陷部分来限定所述空间。
11．如权利要求8所述的压电谐振部件，其特征在于所述第一材料层由玻璃和玻璃-陶瓷之一制成。
12．如权利要求8所述的压电谐振部件，其特征在于所述第一和第二外部涂层基底不包含能溶解于湿的电镀液的成分。
13．如权利要求8所述的压电谐振部件，其特征在于在所述第一和第二外部涂层基底的至少一个中，至少一对电容电极设置成相互面对并夹住所述第一材料层的至少一部分，由所述电容电极对来限定一电容器。
14．如权利要求8所述的压电谐振部件，其特征在于在所述第一和第二外部涂层基底的至少一个中设有电阻元件和电感元件，所述电阻元件和电感元件分别由电阻材料和磁性材料构成。
15．如权利要求8所述的压电谐振部件，其特征在于所述第一和第二外部涂层基底中的至少一个具有多个所述第一材料层。
16．一种压电谐振部件，其特征在于包括外部涂层基底；置于所述外部涂层基底上的压电谐振元件；置于所述外部涂层基底上覆盖所述压电谐振元件的盖子；其中所述外部涂层基底包括多层结构，所述多层结构具有由第一材料层和第二材料层所限定的层叠体结构，第一材料层能在液相中烧结，第二材料层不能在第一材料层的烧结温度下烧结。
17．如权利要求16所述的压电谐振部件，其特征在于所述压电谐振元件是能陷型压电谐振元件，在所述盖子和所述外部涂层基底之间设有允许所述能陷型压电谐振元件作自由的无阻碍振动的空间。
18．如权利要求17所述的压电谐振部件，其特征在于在所述外部涂层基底的一个表面上设有凹陷部分，由所述凹陷部分来限定所述空间。
19．如权利要求16所述的压电谐振部件，其特征在于所述第一材料层由玻璃和玻璃-陶瓷之一制成。
20．如权利要求16所述的压电谐振部件，其特征在于所述外部涂层基底不包含能溶解于湿的电镀液的成分。
21．如权利要求16所述的压电谐振部件，其特征在于在所述外部涂层基底中设有至少一对电容电极，所述电容电极被设置成相互面对并夹住所述第一材料层的至少一部分，由所述电容电极对来限定一电容器。
22．如权利要求16所述的压电谐振部件，其特征在于在所述外部涂层基底中设有电阻元件和电感元件，所述电阻元件和电感元件分别由电阻材料和磁性材料构成。
23．如权利要求16所述的压电谐振部件，其特征在于所述外部涂层基底具有多个所述第一材料层。
24．如权利要求16所述的压电谐振部件，其特征在于所述外部涂层基底的杨氏模量小于构成所述压电谐振元件的压电材料的杨氏模量。
25．如权利要求24所述的压电谐振部件，其特征在于所述外部涂层基底是具有至少两层的多层结构，所述多层结构具有杨氏模量大于压电材料的杨氏模量的第一层以及杨氏模量小于压电材料的杨氏模量的第二层。
26．如权利要求25所述的压电谐振部件，其特征在于杨氏模量较小的所述层由非晶玻璃和陶瓷粉末的复合物制成，杨氏模量较大的所述层由Al2O3和MgTiO3之一制成。
27．如权利要求24所述的压电谐振部件，其特征在于把一盖子置于所述外部涂层基底上，所述盖子被设置成包围固定于所述外部涂层基底上的所述压电谐振元件。
28．如权利要求24所述的压电谐振部件，其特征在于所述外部涂层基底具有储藏所述压电谐振元件的凹陷部分，把固定于所述外部涂层基底的罩子部件设置成封闭所述凹坑。
全文摘要
一种电子部件的外部涂层基底,该基底构成在低温下煅烧,其成本大大降低同时也提高了基底的尺寸精度。电子部件的外部涂层基底包括多层结构,该多层结构包括在液相中烧结的第一材料层以及在第一材料层的烧结温度下不烧结的第二材料层。层叠第一和第二材料层,并在第一材料层的煅烧温度下进行煅烧。
文档编号H03H9/17GK1303172SQ0013747
公开日2001年7月11日 申请日期2000年12月20日 优先权日1999年12月20日
发明者轮岛正哉, 天野常男, 小谷谦一, 坂井健一 申请人:株式会社村田制作所