专利名称：电子部件和包含该电子部件的滤波器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种具有压电薄膜共振器的电子部件和含有它的滤波器，特别是涉及一种应用于防止压电薄膜共振器间的不需要的声音耦合的有效技术。
背景技术：
与便携电话的发展同时，小型低损失的RF滤波器的需要得到提高。另外，由于高速大容量通信的要求，通信系统的载波的高频化也得到发展。
对于这样的要求，近些年来对使用压电薄膜共振器的滤波器的关心得到提高。压电薄膜共振器具有由上下电极膜夹着压电薄膜的构造，通过在上下电极膜间施加高频信号而显示规定的共振特性。使用这样的压电共振器的滤波器，具有压电薄膜共振器电连接成梯子型的构造。
这里，在现有滤波器中，压电薄膜共振器的形状是长方形或者正方形，即矩形。而且，关于压电薄膜共振器的形状，例如具有在1995IEEE ULTRASONICS SYMPOSIUM P905～908/SOLIDLY MOUNTEDRESONATORS AND FILTERS中，特别是其图4中所记载的形状。
这里，在本说明书，压电薄膜共振器的形状，不是指构成压电薄膜共振器的压电薄膜或者电极膜的各个的形状，是指压电薄膜和夹着该压电薄膜的电极膜相互重合的区域的形状。即，压电薄膜共振器的形状是在压电薄膜和夹着该压电薄膜的两个电极膜合并的方向看的情况下，压电薄膜和两个电极膜相互重合的区域。
但是，在滤波器中，为了实现芯片的小型化和布线长度削减导致的低损失化，相邻压电薄膜共振器的间隔尽可能狭窄地设计是重要的。
但是，如果相邻压电薄膜共振器的间隔变狭窄，由于振动部分接近而产生声音耦合，担心具有发生新的共振模式的可能性。
通常，由新的声音耦合导致的模式是不需要的寄生，恶化了滤波器特性。另外，如果相邻压电薄膜共振器的间隔变窄，制造上的问题也变得明显。
即，电极膜，特别是上部电极膜的抗蚀图案形成中，图案密集部分的分辨率容易恶化，在蚀刻中，图案的密集度在电极间部分和其以外的区域有极大的不同，所以会产生蚀刻速率不同等问题，发生特性偏差或蚀刻损害等问题。因此，在现有技术中，关于相互邻近的压电薄膜共振器设置几十μm的间隔。
另外，在长方形的压电薄膜共振器中，在旋转方向的布置的自由度小，不利于滤波器的小型化。与此相反，正方形的压电薄膜共振器与长方形的压电薄膜共振器相比，布置的自由度高，但为了削减寄生，需要使得各个边与相邻的压电薄膜共振器不平行，即由于压电薄膜共振器由相邻的压电薄膜共振器所影响，所以难于各自独立地决定布置。
发明内容
这里，本发明的目的在于，提供一种能够防止压电薄膜共振器的布图缺陷的技术。
另外，本发明的目的在于，提供一种能够防止压电薄膜共振器间的不需要的声音耦合的技术。
此外，本发明的目的在于，提供一种能够提高压电薄膜共振器的布置自由度的技术。
本发明的一个方面是关于电子部件，本发明的第一方面的电子部件包括在具有由第一电极膜和第二电极膜夹着压电薄膜的构造且第一电极膜、压电薄膜和第二电极膜相互重合的区域所构成的、通过在压电薄膜的内部传输的体波来得到规定的共振频率的信号的第一压电薄膜共振器和第二压电薄膜共振器，其特征在于，第一压电薄膜共振器和第二压电薄膜共振器相邻，互相相对的第一压电薄膜共振器的外周的一部分和第二压电薄膜共振器的外周的一部分的间隔不是一定的。
即，本发明的第一方面的电子部件，具有第一压电薄膜共振器；第二压电薄膜共振器。第二压电薄膜共振器与第一压电薄膜共振器相邻设置。第一压电薄膜共振器和第二压电薄膜共振器的每个是在具有由第一电极膜和第二电极膜夹着压电薄膜的构造且第一电极膜、压电薄膜和第二电极膜相互重合的区域所构成的、通过在压电薄膜的内部传输的体波而得到规定的共振频率的信号的压电薄膜共振器。在假想与相互相对的第一压电薄膜共振器的周边的一部分和第二压电薄膜共振器的周边的一部分交叉的两个直线的情况下，该两个直线中的一个直线和第一压电薄膜共振器的上述一部分的交点与该一个直线和第二压电薄膜共振器的上述一部分的交点的距离，与该两个直线中的另一个直线和第一压电薄膜共振器的上述一部分的交点与该另一个直线和第二压电薄膜共振器的上述一部分的交点的距离是不同的。而且，第一压电薄膜共振器的压电薄膜和第二压电薄膜共振器的压电薄膜可以是连续的。
本发明的第二电子部件是第一电子部件中的第一压电薄膜共振器和第二压电薄膜共振器为椭圆形状的电子部件。
本发明的第三电子部件，是第二电子部件中的第一压电薄膜共振器的相对于周边的长轴的延长线与第二压电薄膜共振器的相对于周边的长轴或者其延长线交叉的电子部件。而且，优选，第一压电薄膜共振器的相对于周边的长轴的延长线，与第二压电薄膜共振器的相对于周边的长轴交叉。
本发明的第四电子部件，具有第一压电薄膜共振器；第二压电薄膜共振器。第二压电薄膜共振器与第一压电薄膜共振器相邻设置。第一压电薄膜共振器和第二压电薄膜共振器的每个是具有由第一电极膜和第二电极膜夹着压电薄膜的构造，是在第一电极膜、压电薄膜和第二电极膜相互重叠的区域构成的、通过在压电薄膜的内部传输的体波而得到规定的共振频率的信号的压电薄膜共振器。与第二压电薄膜共振器的周边相对的第一压电薄膜共振器的周边包括由折线或者曲线所形成的部分。与第一压电薄膜共振器的该周边相对的第二压电薄膜共振器的周边，包括由与上述折线或者曲线的间隔是一定的折线或者曲线所形成的部分。而且，第一压电薄膜共振器的压电薄膜和第二压电薄膜共振器的压电薄膜可以是连续的。
本发明的另外一个侧面是关于滤波器，本发明的第一滤波器，包括上述第一～第四的任何一个电子部件。
本发明的第二滤波器，是在第一电滤波器上还包括下面部件的滤波器输入电极块；输出电极块；在输入电极块和输出电极块之间形成的第一布线部；在第一布线部和接地电极块之间形成的第二布线部。在第二滤波器中，第一压电薄膜共振器和第二压电薄膜共振器中的一个与第一布线部电连接。另外，第一压电薄膜共振器和第二压电薄膜共振器中的另一个与第二布线部电连接。此外，第一压电薄膜共振器和第二压电薄膜共振器的另一个，具有与第一压电薄膜共振器和第二压电薄膜共振器的一个的共振频率大致一致的反共振频率。
本发明的第三滤波器，是在第二滤波器上还包括具有矩形形状的元件基板的滤波器。在第三滤波器中，接地电极块分别配置在元件基板的相互最远离开的2个角部附近。
图1是表示本发明的实施方式1的构成滤波器的压电薄膜共振器的截面图。
图2是表示本发明的实施方式1的滤波器的说明图。
图3是图2的滤波器的电路图。
图4是表示作为比较例的滤波器的说明图。
图5是表示本发明的实施方式2的滤波器的说明图。
图6是表示本发明的实施方式2的变形例的滤波器的说明图。
图7是表示本发明的实施方式2的其它变形例的滤波器的说明图。
图8是表示本发明的实施方式3的滤波器的说明图。
图9是表示本发明的实施方式3的第一变形例的滤波器的说明图。
图10是表示本发明的实施方式3的第二变形例的滤波器的说明图。
图11是表示本发明的实施方式3的第三变形例的滤波器的说明图。
图12是表示本发明的实施方式3的第四变形例的滤波器的说明图。
图13是表示本发明的实施方式3的第五变形例的滤波器的说明图。
图14是表示本发明的实施方式3的第六变形例的滤波器的说明图。
图15是表示本发明的实施方式3的第七变形例的滤波器的说明图。
图16是表示本发明的实施方式3的第八变形例的滤波器的说明图。
具体实施例方式
下面，参照附图来更具体地说明用于实施本发明的最佳方式。这里，在附图中对同一部件赋予相同符号，而且省略了重复说明。而且，这里的说明是实施本发明的最佳方式，所以本发明不限于该方式。
(实施方式1)图1是表示本发明的实施方式1的构成滤波器的压电薄膜共振器的截面图，图2是表示本发明的实施方式1的滤波器的说明图，图3是图2的滤波器的电路图，图4是表示作为比较例的滤波器的说明图。
如图1所示那样，本实施方式的构成滤波器的压电薄膜共振器10称为SMR(Solidly Mounted Resonator)型压电薄膜共振器。在这种情况下的压电薄膜共振器10中，例如在由单晶硅构成的元件基板11上，形成有声音阻抗高的薄膜和低的薄膜、例如AlN膜12a和SiO2膜12b交互地各2层形成构成的声音反射膜12。在该声音反射膜12上通过真空蒸镀法形成Pt膜，通过光刻法形成图案从而形成下部电极(第一电极膜)13。
此外，为了覆盖下部电极13，通过溅射法形成由ZnO或者AlN构成的压电薄膜14。而且，在压电薄膜14上通过溅射法形成Al膜，通过光刻法形成图案从而形成上部电极(第二电极膜)15。
在这样的压电薄膜共振器10中，如果对下部电极13和上部电极15施加交流电压，由压电效果，通过在压电薄膜14内部传输的体波得到规定共振频率的信号。
而且，也可以不形成声音反射膜12，这种情况下，在元件基板11上直接形成下部电极13。另外，在本实施方式中声音反射膜12是4层，但只要叠加声音阻抗不同的薄膜，不限于4层。此外，各薄膜的膜质不限于上述形式，只不过是一个例子。而且，例如声音反射膜12和下部电极13之间，或者压电薄膜14和上部电极15之间，也可以形成作为粘结层的薄膜。
这里，象所述那样，压电薄膜共振器10的形状，是压电薄膜14和夹着该压电薄膜14的下部电极13和上部电极15相互重合的区域的形状，所以，在图1所示的情况，为从平面上看由上下延伸的左右2个虚线所夹着的区域的形状。这是图2所示的形状。即，图1中的2个虚线表示压电薄膜共振器10的周边。
通过布置与这样的压电薄膜共振器10同样层构成的压电薄膜共振器10a～10f，形成滤波器16。具体地说，该实施方式的滤波器16，由在具有矩形形状的元件基板上所形成的具有椭圆形状的压电薄膜共振器10a～10f所构成。即，滤波器16包含具有压电薄膜共振器10a～10f的电子部件。
如图2和图3所示那样，在滤波器16中，在输入电极块17和输出电极块18之间形成作为串联腕的第一布线部21。第一布线部21串联连接4个压电薄膜共振器10a、10b、10c、10d。
另外，在压电薄膜共振器10a和压电薄膜共振器10b的中点和接地电极块19之间，以及压电薄膜共振器10c和压电薄膜共振器10d的中点和接地电极块20之间，分别形成作为并列腕的第二布线部22a、22b。在第二布线部22a、22b上，分别配置电极膜共振器10e、10f。压电薄膜共振器10e、10f具有与压电薄膜共振器10a、10b、10c、10d的共振频率基本一致的反共振频率，与压电薄膜共振器10a、10b、10c、10d形成通过带域。
在图2中作为压电薄膜共振器10a～10f的周边的由椭圆形表示的部分，与上部电极15(图1)的形状是一致的。电极块17～20、第一布线部21和第二布线部22a、22b由与形成这样的上部电极15的成膜工序相同的成膜工序来形成。另外，由包围压电薄膜共振器10a、10b、10e的虚线所表示的区域以及由包围压电薄膜共振器10c、10d、10f的虚线所表示的区域是下部电极13。而且，压电薄膜14(图1)在本实施方式中在元件基板的整个面上形成。即，压电薄膜共振器10a～10f的每个的压电薄膜是连续的。
因此，在图2所示的情况下，压电薄膜共振器10a、10b、10e由下部电极相互电连接，压电薄膜共振器10c、10d、10f由下部电极相互电连接。
这里，配置在作为串联腕的第一布线部21上的压电薄膜共振器可至少一个。另外，第二布线部也可以至少形成一个。因此，并列腕的压电薄膜共振器也可以至少是一个。此外，本发明的滤波器不限于具有这样的梯子构造，能够采用各种构造。
而且，压电薄膜共振器的形状是压电薄膜14和夹着它的下部电极13和上部电极15相互重合的区域的形状，所以象本实施方式那样，上部电极15是椭圆形状，是压电薄膜14和下部电极13比上部电极15还宽的构成，不仅如此，也可以仅压电薄膜14或者下部电极13是椭圆形状，其它比该椭圆形状还宽。另外，可以是上部电极15、压电薄膜14和下部电极13的三个薄膜中的任何两个薄膜，或者全部薄膜是椭圆形状。另外，也可以构成为使得上述三个薄膜中的任何一个都不是椭圆形状，重复部分是椭圆形状。
这里，图4表示了作为比较例的由现有的压电薄膜共振器所构成的滤波器。
在图4所示的滤波器116中，在输入电极块117和输出电极块118之间形成作为串联腕的第一布线部121。在该第一布线部121上，串联连接四个压电薄膜共振器110a、110b、110c、110d。另外，在压电薄膜共振器110a和压电薄膜共振器110b的中点和接地电极块119之间，以及压电薄膜共振器110c和压电薄膜共振器110d的中点和接地电极块120之间，分别形成作为并列腕的第二布线部122a、122b。在第二布线部122a、122b上，分别配置压电薄膜共振器110e、110f。压电薄膜共振器110e、110f具有与压电薄膜共振器110a、110b、110c、110d的共振频率大致一致的反共振频率。压电薄膜共振器110e、110f与压电薄膜共振器110a、110b、110c、110d形成通过带域。在该图4中，压电薄膜共振器的面积和共振器间的最短距离与图2所示的情况是相同的。
而且，在图4中，作为压电薄膜共振器110a～110f的形状所表示的部分与上部电极的形状是一致的，由包围压电薄膜共振器110a、110b、110e的虚线所表示的区域，以及由包围压电薄膜共振器110c、10d、110f的虚线所表示的区域是下部电极113。另外，压电薄膜在元件基板的整个表面上形成。
如图4所示那样，已有的压电薄膜共振器110a～110f是长方形(矩形)形状，相邻的压电薄膜共振器的间隔是一定的。
如果这样，例如由压电薄膜共振器110a、压电薄膜共振器110b和压电薄膜共振器110e包围的区域(在图4中的由网线表示的区域)图案是密集的，所以，与其它部分相比，容易产生由抗蚀剂残渣或者蚀刻率降低导致的图案不佳的问题。
另外，由于相邻的压电薄膜共振器的相互相对的外周部是平行的，所以相位一致的可能性变高，具有声音耦合的悬念。
此外，在压电薄膜共振器的间隔是一定的条件之情况下，在布置上基本没有自由度，设计上的制约较多。
与此相对，在本实施方式的滤波器16中，如图2所示那样，由于压电薄膜共振器10a～10f是椭圆形状，所以既使相邻的压电薄膜共振器(第一压电薄膜共振器和第二压电薄膜共振器)的中心间距离与图4所示的情况相同，但能够扩大两者的相互相对的周边间的距离。因此，例如由压电薄膜共振器10a、压电薄膜共振器10b和压电薄膜共振器10e包围的区域(在图2中由网线所表示的区域)扩大，而图案不是密集的。因此，在图案形成时，能够防止由抗蚀剂残渣或者蚀刻率降低所导致的图案不佳的情况。
另外，由于将这样的压电薄膜共振器10a～10f形成椭圆形状，所以相邻的压电薄膜共振器的相互相对的外周部，即周边处不是平行的位置。即，滤波器16包含本发明的一实施方式的电子部件，在该电子部件中相互相邻的一对压电共振器相当于第一压电薄膜共振器和第二压电薄膜共振器。在这样的滤波器16中，如果假想与互相相对的第一压电薄膜共振器的周边的一部分和第二压电薄膜共振器的周边的一部分相交叉的两个直线，那么，该两个直线中的一个直线和第一压电薄膜共振器的上述一部分的交点和该一个直线和第二压电薄膜共振器的上述一部分的交点之间的距离，与上述两个直线中的另一个直线和第一压电薄膜共振器的上述一部分的交点和该另一个直线和第二压电薄膜共振器的上述一部分的交点之间的距离是不同的。通过这样，相邻的两个压电薄膜共振器的相位一致的条件不满足，能够防止不需要的声音耦合的发生。
此外，由于压电薄膜共振器10a～10f是椭圆形状，所以两个压电薄膜共振器的相位一致的条件不满足。因此，能够提高压电薄膜共振器的布置的自由度。
此外，由于在相邻的压电薄膜共振器的周边间形成面积扩大的区域，所以与矩形电极相比能够将共振器距离变窄。
而且，如果在相邻的椭圆形状的压电薄膜共振器的近接点处设置连接布线(第一布线部21，第二布线部22a、22b)，能够减少布线电阻。
(实施方式2)图5是表示本发明的实施方式2的滤波器的说明图，图6是表示本发明的实施方式2的变形例的滤波器的说明图，图7是表示本发明的实施方式2的其它变形例的滤波器的说明图。
如图5所示那样，在本实施方式中，通过适当旋转形成椭圆形状的压电薄膜共振器10a～10d，布置为使得其长轴的延长线与相邻的其它压电薄膜共振器的长轴的延长线交叉。即，本实施方式的滤波器16包括具有压电薄膜共振器10a～10d的电子部件。这些压电薄膜共振器10a～10d具有与如图1所示的压电薄膜共振器10同样的层构成。
在本实施方式中，如图5所示那样，压电薄膜共振器10a的长轴S1的延长线与压电薄膜共振器10b的长轴S2的延长线交叉，压电薄膜共振器10b的长轴S2的延长线与压电薄膜共振器10c的长轴S3的延长线交叉，压电薄膜共振器10c的长轴S3的延长线与压电薄膜共振器10d的长轴S4的延长线交叉。
而且，在图5所示的滤波器中，形成椭圆形状的两个压电薄膜共振器，即第一压电薄膜共振器和第二压电薄膜共振器的延长线彼此交叉，但也可以是一个压电薄膜共振器的长轴与另一个压电薄膜共振器的长轴的延长线交叉的关系。在这种情况下，交叉位置形成于一个压电薄膜共振器的区域内。
即，在从交叉位置不是自己区域内的压电薄膜共振器看的情况下，其长轴的延长线，与具有椭圆形状的邻近的其它压电薄膜共振器的长轴或者其延长线交叉。另外，在从交叉位置是自己区域内的压电薄膜共振器看的情况下，其长轴与具有椭圆形状的邻近的其它压电薄膜共振器的长轴的延长线交叉。
如果这样，压电薄膜共振器10a、10b、10e的间隔，或者压电薄膜共振器10c、10d、10f的间隔能够进一步变窄，能够实现面积效率的提高。
另外，在不改变最短的共振器间距离的制约条件之情况下可增加共振器配置的自由度，同时也增加了电极块的配置自由度。
而且，长轴的旋转角度是任意的，不限于图5所示的情况。即，根据希望的布置，能够适当改变各个旋转角度或者位置关系。
例如，如图6和图7所示那样，也包括压电薄膜共振器10e、10f和电极块17～20，如果布置得使得间隔更狭窄，由于实现了进一步的面积效率提高，同时布置密度更加均匀，所以可减少蚀刻偏差且得到稳定的制造品质。
特别是，如图7所示那样，如果在具有矩形形状的元件基板的相互最远离开的2个角部附近分别配置接地电极块19、20，能够防止不需要的感应耦合。
而且，在图4所示的现有的滤波器116中，这样的配置是困难的。这是因为，在矩形压电薄膜共振器中，相互位置关系对于元件基板面只有垂直和水平2个方向，但椭圆形状的压电薄膜共振器能够旋转其本身，所以对于其它椭圆形状的压电薄膜共振器来说能够全方位配置。
(实施方式3)图8是表示本发明的实施方式3的滤波器的说明图，图9是表示本发明的实施方式3的第一变形例的滤波器的说明图，图10是表示本发明的实施方式3的第二变形例的滤波器的说明图，图11是表示本发明的实施方式3的第三变形例的滤波器的说明图，图12是表示本发明的实施方式3的第四变形例的滤波器的说明图，图13是表示本发明的实施方式3的第五变形例的滤波器的说明图，图14是表示本发明的实施方式3的第六变形例的滤波器的说明图，图15是表示本发明的实施方式3的第七变形例的滤波器的说明图，图16是表示本发明的实施方式3的第八变形例的滤波器的说明图。
在图8所示的滤波器中，使用具有相对的边不平行的四方形的压电薄膜共振器10a～10f。即，图8所示的滤波器包括具有与图1所示的压电薄膜共振器10同样的层构成的压电薄膜共振器10a～10f的电子部件。与实施方式1相同，压电薄膜共振器10a～10f的周边中相对的两个周边是不平行的。而且，在图8中，压电薄膜共振器的面积与图2所示的情况相同。即，各压电薄膜共振器的区域是上部电极、压电薄膜和下部电极在叠层方向互相重合的区域。
由于将压电薄膜共振器10a～10f形成这样的形状，某个压电薄膜共振器(例如压电薄膜共振器10a)和与该压电薄膜共振器相邻的其它压电薄膜共振器(例如压电薄膜共振器10b)的相对的外周部之间，即周边的间隔不是一定的。
因此，在本实施方式中，由于图案不是密集的，所以能够防止图案形成时由抗蚀剂残渣或者蚀刻率降低导致的图案不好。
另外，由于相邻的压电薄膜共振器的相互相对的外周部不是平行的位置，所以相邻的两个压电薄膜共振器的相位一致的条件不满足，能够防止不需要的声音耦合的发生。
而且，由于这样的两个压电薄膜共振器的相位一致的条件不满足，所以能够提高压电薄膜共振器的布置的自由度。
既使不象实施方式1和实施方式2那样压电薄膜共振器形成椭圆形状，将那样的压电薄膜共振器的周边形状形成为四方形，也能够得到希望的作用效果。即，在本发明中，只要某个压电薄膜共振器和与该压电薄膜共振器相邻的其它压电薄膜共振器的相对的外周部间的间隔不是一定的，能够采用三角形或者五边形以上的多边形、圆、椭圆或者组合它们的形状等等各种形状。另外，间隔不是一定的位置不必涉及相对的外周部的整体，也可以是一部分。
如果举一个例子，如图9的第一变形例所示那样，将压电薄膜共振器10a、10b的相互相对的一个角形成由直线切除的形状，象图10的第二变形例所示那样，将压电薄膜共振器10a、10b的相互相对的一个角形成由曲线切除的形状，象图11的第三变形例所示的那样，将压电薄膜共振器10a、10b的相互相对的两个角形成由曲线切除的形状，象图12的第四变形例所示的那样，将压电薄膜共振器10a、10b的相互相对的角的一方由直线切除，并在压电薄膜共振器10e中将该缺口部分附近切除的形状，象图13的第五变形例所示那样，将压电薄膜共振器10a、10b的相互相对的两个角由曲线切除，并将压电薄膜共振器10e的压电薄膜共振器10a、10b侧的两个角形成由曲线切除的形状，能够采用这些形状。
此外，象以上说明的那样，相互相邻的两个压电薄膜共振器的相对的外周部间的间隔不是一定的，不仅如此，可考虑既使是一定的也能够得到希望的作用效果的形状。
这是这样的情况，某个压电薄膜共振器和与该压电薄膜共振器相邻的其它压电薄膜共振器的相对的外周部，由间隔是一定的曲线或者折线所形成。而且，既使这样，由曲线或者折线所形成的位置，不必涉及相对的外周部的整体，也可以是一部分。即，可以是互相相对的第一压电薄膜共振器的周边的一部分和第二压电薄膜共振器的周边的一部分由折线或者曲线所形成，两者的折线的间隔或者曲线的间隔是一定的。
如果举这样的一个例子，象图14的第六变形例所示的那样，将压电薄膜共振器10a、10b的相互相对的外周部(边)形成为由保持等间隔的折线所形成的形状，象图15的第七变形例所示的那样，将压电薄膜共振器10a、10b的相互相对的外周部(边)形成由保持等间隔的曲线所形成的形状，象图16的第八变形例所示的那样，能够采用如下形状压电薄膜共振器10a、10b的互相相对的外周部(边)，由保持等间隔的曲线所形成，同时，压电薄膜共振器10a、10b和压电薄膜共振器10e的相互相对的外周部(边)，形成为由保持等间隔的曲线所形成的形状。
在以上的说明中，说明了由SMR型压电薄膜共振器来构成本发明的情况，但对于将由上下电极所夹持的压电薄膜的上下方向形成大气开放状态、声音全反射的隔膜型压电薄膜共振器等使用压电薄膜的叠层型压电薄膜共振器也能够全部适用。
象以上说明本发明的适当实施方式那样，如根据本发明，能够实现下面的效果。
即，如根据本发明，由于压电薄膜共振器的图案不是密集的，所以在图案形成时能够防止由抗蚀剂残渣或者蚀刻率降低导致的图案不好。
另外，如根据本发明，由于相邻的压电薄膜共振器的相互相对的外周部的平行位置不存在，所以两个压电薄膜共振器的相位一致的条件不满足，能够防止不需要的声音耦合的发生。
此外，如根据本发明，由于这样的两个压电薄膜共振器的相位一致的条件不满足，所以能够提高压电薄膜共振器的布置自由度。
而且，如果在具有矩形形状的元件基板的相互最远离开的2个角部附近分别配置两个接地电极块，能够防止不需要的感应耦合。
权利要求
1.一种电子部件，具有第一压电薄膜共振器；和与所述第一压电薄膜共振器相邻设置的第二压电薄膜共振器，所述第一压电薄膜共振器和第二压电薄膜共振器的各个，具有由第一电极膜和第二电极膜夹着压电薄膜的构造，是在所述第一电极膜、所述压电薄膜和所述第二电极膜相互重合的区域所构成的、通过在所述压电薄膜的内部传输的体波而得到规定的共振频率的信号的压电薄膜共振器，在假想与相互相对的所述第一压电薄膜共振器的周边的一部分和所述第二压电薄膜共振器的周边的一部分交叉的两个直线的情况下，该两个直线中的一个直线和所述第一压电薄膜共振器的所述一部分的交点与该一个直线和所述第二压电薄膜共振器的所述一部分的交点的距离，与该所述两个直线中的另一个直线和所述第一压电薄膜共振器的所述一部分的交点和该另一个直线和所述第二压电薄膜共振器的所述一部分的交点的距离是不同的。
2.根据权利要求1所述的电子部件，其特征在于，所述第一压电薄膜共振器的压电薄膜和第二压电薄膜共振器的压电薄膜是连续的。
3.根据权利要求1所述的电子部件，其特征在于，所述第一压电薄膜共振器和所述第二压电薄膜共振器为椭圆形状。
4.根据权利要求3所述的电子部件，其特征在于，所述第一压电薄膜共振器的长轴相对于周边的延长线与所述第二压电薄膜共振器的相对于周边的长轴或者其延长线交叉。
5.根据权利要求3所述的电子部件，其特征在于，所述第一压电薄膜共振器的长轴相对于周边的延长线与所述第二压电薄膜共振器的相对于周边的长轴交叉。
6.一种电子部件，其特征在于，具有第一压电薄膜共振器；和与所述第一压电薄膜共振器相邻设置的第二压电薄膜共振器，所述第一压电薄膜共振器和第二压电薄膜共振器的各个，具有由第一电极膜和第二电极膜夹着压电薄膜的构造，是在所述第一电极膜、所述压电薄膜和所述第二电极膜相互重叠的区域构成的、通过在所述压电薄膜的内部传输的体波而得到规定的共振频率的信号的压电薄膜共振器，与所述第二压电薄膜共振器的周边相对的所述第一压电薄膜共振器的周边包括由折线或者曲线所形成的部分，与所述第一压电薄膜共振器的所述周边相对的所述第二压电薄膜共振器的周边，包括由与所述折线或者所述曲线的间隔是一定的折线或者曲线所形成的部分。
7.根据权利要求6所述的电子部件，其特征在于，所述第一压电薄膜共振器的压电薄膜和第二压电薄膜共振器的压电薄膜是连续的。
8.一种滤波器，其特征在于，具有根据权利要求1～7中的任何一项所述的电子部件。
9.根据权利要求8所述的滤波器，其特征在于，还包括输入电极块；输出电极块；在所述输入电极块和所述输出电极块之间形成的第一布线部；和在所述第一布线部和接地电极块之间形成的第二布线部，所述第一压电薄膜共振器和所述第二压电薄膜共振器的一个与所述第一布线部电连接，所述第一压电薄膜共振器和所述第二压电薄膜共振器的另一个与所述第二布线部电连接，所述第一压电薄膜共振器和所述第二压电薄膜共振器的另一个，具有与所述第一压电薄膜共振器和所述第二压电薄膜共振器的一个的共振频率大致一致的反共振频率。
10.根据权利要求9所述的滤波器，其特征在于，还包括具有矩形形状的元件基板，所述接地电极块分别配置在所述元件基板的相互最远离开的2个角部附近。
全文摘要
本发明的一实施方式的电子部件，具有第一压电薄膜共振器和第二压电薄膜共振器，第一压电薄膜共振器和第二压电薄膜共振器具有由下部电极和上部电极夹着压电薄膜的构造，是在下部电极、压电薄膜和上部电极相互重合的区域所构成的、通过在压电薄膜的内部传输的体波来得到规定的共振频率的信号的压电薄膜共振器，互相相对的第一压电薄膜共振器的周边的一部分和第二压电薄膜共振器的周边的一部分的间隔不是一定的。
文档编号H03H9/17GK1630188SQ200410101369
公开日2005年6月22日 申请日期2004年12月17日 优先权日2003年12月18日
发明者井上宪司 申请人:Tdk株式会社