专利名称：具有用于改进速度并节省功率的正反馈高侧晶体管驱动器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一高侧开关驱动器，且尤其涉及一用于驱动高侧晶体管的驱动电路。
背景技术：
多种功率转换器和马达驱动器利用电桥电路来控制一电源到一负载。所述电桥电路通常具有一耦接到电源端的高侧开关和一耦接到接地参考端的低侧开关。所述高侧开关与低侧开关之间的共接点耦接到一负载。高侧开关和低侧开关通常以晶体管实施。当开关交替导通时，所以共接点处的电平在电源与接地参考之间变动。因此，当高侧晶体管接通时，共接点处的电平移位到电源。为了完全接通高侧晶体管以实现较低阻抗，一门极驱动电压必须高于电源电压。因此，高侧晶体管的门极到源极电压必须相对于接地参考端浮动。图1说明一使用一自举电容器(bootstrap capacitor)30和一电荷泵二极管40来产生浮动电压VCC以驱动高侧晶体管10的门极的一常规电桥电路。当接通控制晶体管45时，高侧晶体管10的门极便经由二极管42而连接到接地参考端，因而断开高侧晶体管10。一旦断开高侧晶体管10且接通低侧晶体管20，接着一偏压VB就经由电荷泵二极管40对自举电容器30充电。浮动电压VCC经由晶体管41以切断控制晶体管45而延迟输入到高侧晶体管10的门极。由于切断上述控制晶体管45，所以高侧晶体管10得以接通。
上述电桥电路的缺点之一是其在高压应用中的高切换损耗。控制晶体管45符合一适用于高压应用(在200伏特或更高伏特)的高压制程。高压晶体管通常具有一较大寄生电容器，其可增加上升时间且因此延缓开关信号。因而造成高侧晶体管的高切换损耗。因此，上述电桥电路不适合高压和高速应用。
近来许多开发的电桥电路设计包括产生一适于高侧晶体管门极电压的方法。某些众所周知的常规电桥电路设计包括Zisa等人的US 5,381,044、Johnson的US 5,638,025和Nadd的US 5,672,992。上述电桥电路均具有如图1中所示的常规电路的相同缺点。亦即，常规电桥电路设计的控制晶体管在高压应用中皆有高切换损耗的问题。
为克服某些上述缺陷，Milazzo的US 6,344,959提出一使用升压转换器技术的常规电桥电路。然而，上述技术使用一需要额外开关组件和其它电路的倍压电路(voltage doubling circuit)；因此，会增加驱动电路的成本和复杂性。Yang的US 6,781,422和Yang的US 6,836,173中描述了用于高速应用的其它常规的高侧晶体管驱动器。然而，较高的功率损耗仍然是其一重要的缺陷。
实用新型内容本实用新型的目的是提供一种具有用于改进速度并节省功率的正反馈高侧晶体管驱动器，以改进高侧开关驱动器的效率。
为实现上述目的，本实用新型提供的具有高速高侧晶体管驱动能力的高侧晶体管驱动器，其包含一驱动电路，接收一输入信号并产生一驱动信号以驱动一高侧晶体管；一第一端和一第二端，提供一供应电压给所述驱动电路；其中所述第二端耦接到所述高侧晶体管的一源极；一第一二极管，耦接于所述第一端与一电压源之间；一第一电容器，耦接于所述第一端与所述第二端之间，以用于存储用于所述驱动电路的能量；一第一晶体管，用以回应所述输入信号而切断所述高侧晶体管；和一第二电容器，耦接到所述驱动电路以回应所述输入信号而加速所述驱动信号，其中所述驱动电路包括一正反馈电路，以用于加速所述驱动信号并用于节省所述驱动电路的功率。
所述具有高速高侧晶体管驱动能力的高侧晶体管驱动器，其中一旦中断所述输入信号，所述电压源就对所述第一电容器进行充电。
所述具有高速高侧晶体管驱动能力的高侧晶体管驱动器，其中驱动电路包含一第一装置，耦接于所述第一端与所述第一晶体管的一漏极之间；一第二晶体管，耦接到所述第一装置以形成一第一正反馈电路，其中所述第二晶体管的一门极耦接到所述第二电容器，以回应所述输入信号而降低所述第一装置的阻抗；一第三晶体管，其中所述第三晶体管的一门极耦接到所述第一晶体管的所述漏极，且所述第三晶体管的一源极连接到所述第二端；一第二装置，耦接于所述第一端与所述第三晶体管的一漏极之间；一第三装置，耦接于所述第二晶体管的所述门极与所述第三晶体管的所述漏极之间；一输出电路，具有一输入端耦接到所述第三晶体管的所述漏极，其中所述输出电路的一输出端产生所述驱动信号以驱动所述高侧晶体管；一第四晶体管，耦接到所述第二装置以形成一第二正反馈电路，其中所述第四晶体管的一门极耦接到所述输出电路，以回应所述驱动信号而降低所述第二装置的阻抗；和一第二二极管，并联耦接于所述第三晶体管的所述门极与所述源极之间。
本实用新型提供的用于驱动一高侧开关的高侧开关驱动器，其包含一驱动电路，具有一正反馈电路以回应一输入信号而驱动所述高侧开关；一第一端和一第二端，提供一供应电压给所述驱动电路；一第一二极管，耦接于所述第一端与一电压源之间；一第一电容器，耦接于所述第一端与所述第二端之间；一第一开关，用于回应所述输入信号而切断所述高侧开关；和一第二电容器，用于回应所述输入信号而加速驱动所述高侧开关。
所述用于驱动一高侧开关的高侧开关驱动器，其中一旦中断所述输入信号，所述电压源就对所述第一电容器进行充电。
所述用于驱动高侧开关的高侧开关驱动器，其中驱动电路包含一第一装置，耦接到所述第一开关；一第二开关，形成一第一正反馈电路，用于回应所述输入信号而改变所述第一装置的所述阻抗；一第三开关，耦接到所述第一开关，其中所述第一开关接通/断开所述第三开关；一第二装置，耦接到所述第三开关；一第三装置，耦接于所述第二开关与所述第三开关之间；和一输出电路，具有一输入端耦接到所述第三开关，其中所述输出电路的一输出端用以驱动所述高侧开关。
所述用于驱动高侧开关的高侧开关驱动器，其中驱动电路进一步包含一第四开关，耦接到所述第二装置以形成一第二正反馈电路，用于回应所述输出电路的所述输出端而改变所述第二装置的阻抗。
所述用于驱动高侧开关的高侧开关驱动器，其中驱动电路进一步包含耦接到所述第三开关的一第二二极管。
由本实用新型提供的实施，可以克服常规电桥电路的缺陷并提供一具有适用于高压和高速应用的高效率的高侧晶体管驱动器。
上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本实用新型的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
图1为说明一常规高侧晶体管驱动器的电路图。
图2为说明根据本实用新型高侧晶体管驱动器的一实施电路图例。
图3为说明根据本实用新型高侧晶体管驱动器的另一实施电路图例。
具体实施方式
以下结合附图及较佳实施例，对依据本实用新型提出的高侧晶体管驱动器之特征及其功效，详细说明如后。
图2显示根据本实用新型的一实施例的高侧晶体管驱动器的电路，包括一驱动电路100，而所述驱动电路100用于接收一输入信号SIN并用于产生一驱动信号VG以驱动一高侧晶体管10。一第一端TA和一第二端TB提供一供应电压给所述驱动电路100。所述第二端TB连接到一高侧晶体管10的源极。二极管40耦接于第一端TA与一电压源VD之间。电容器30耦接于第一端TA与第二端TB之间以存储用于驱动电路100的能量。一旦输入信号SIN中断，所述电压源VD就对电容器30进行充电。晶体管45回应输入信号SIN用于切断高侧晶体管10。所述输入信号SIN经由一反相器43供应到晶体管45的一门极。所述反相器43的一输出端进一步连接到一电容器60。所述电容器60并耦接到驱动电路100以回应输入信号SIN而加速驱动信号VG。所述驱动电路100包括一正反馈电路以加速驱动信号VG并节省驱动电路100的功率。
所述驱动电路100包括一第一装置160，所述第一装置160从第一端TA耦接到晶体管45的一漏极以用于上拉晶体管45。一晶体管70耦接到所述第一装置160以形成一第一正反馈电路。所述晶体管70的一门极耦接到电容器60以回应输入信号SIN而降低第一装置160的阻抗。当输入信号SIN启用时，可经由反相器43而断开晶体管45且经由反相器43和电容器60而接通晶体管70。当接通晶体管70时，会降低第一装置160的阻抗且立即上拉晶体管45的漏极。一晶体管80的一门极耦接到晶体管45的漏极。晶体管80的源极连接到第二端TB。二极管42并联连接于晶体管80的门极与源极之间。一旦中断输入信号SIN，就接通晶体管45。因此，电压源VD经由二极管40、42和晶体管45来对电容器30进行充电。一第二装置180耦接到第一端TA和晶体管80的一漏极用以上拉晶体管80的漏极。一第三装置150耦接于晶体管70的门极和晶体管80的漏极之间。一输出电路包括一缓冲器110和一反相器120。所述输出电路的一输入端耦接到晶体管80的漏极。输出电路的一输出端产生用于驱动高侧晶体管10的驱动信号VG。一晶体管90耦接到第二装置180以形成一第二正反馈电路。具有一门极的晶体管90耦接到输出电路以回应驱动信号VG而降低第二装置180的阻抗。当拉低晶体管80以启用驱动信号VG时，将可断开晶体管90以增加第二装置180的阻抗并节省驱动电路100的功率。
参看图2、图3说明根据本实用新型的另一实施例的高侧晶体管驱动器。在所述实施例中，第一装置160为电阻器171和172，第二装置180为电阻器191和192，第三装置150为一电阻器155。晶体管70和90分别用以短路电阻器171和191，而改变阻抗。在本实用新型的另一实施例中，图3的高侧晶体管驱动器乃是克服常规的高侧晶体管驱动器的缺点，并适用于高压和高速应用。此外，相较于常规高侧晶体管驱动器，本实用新型的另一实施例的高侧晶体管驱动器操作起来更有效率。
以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本实用新型，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本实用新型技术方案范围内，当可利用上述揭示的结构及技术内容作出些许的更动或修饰为等同变化的等效实施例，但是凡是未脱离本实用新型技术方案的内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。
权利要求1.一种具有用于改进速度并节省功率的正反馈高侧晶体管驱动器，其特征包含一驱动电路，接收一输入信号并产生一驱动信号以驱动一高侧晶体管；一第一端和一第二端，提供一供应电压给所述驱动电路；其中所述第二端耦接到所述高侧晶体管的一源极；一第一二极管，耦接于所述第一端与一电压源之间；一第一电容器，耦接于所述第一端与所述第二端之间，以用于存储用于所述驱动电路的能量；一第一晶体管，用以回应所述输入信号而切断所述高侧晶体管；和一第二电容器，耦接到所述驱动电路以回应所述输入信号而加速所述驱动信号，其中所述驱动电路包括一正反馈电路，以用于加速所述驱动信号并用于节省所述驱动电路的功率。
2.根据权利要求1所述正反馈高侧晶体管驱动器，其特征在于所述驱动电路包含一第一装置，耦接于所述第一端与所述第一晶体管的一漏极之间；一第二晶体管，耦接到所述第一装置以形成一第一正反馈电路，其中所述第二晶体管的一门极耦接到所述第二电容器，以回应所述输入信号而降低所述第一装置的阻抗；一第三晶体管，其中所述第三晶体管的一门极耦接到所述第一晶体管的所述漏极，且所述第三晶体管的一源极连接到所述第二端；一第二装置，耦接于所述第一端与所述第三晶体管的一漏极之间；一第三装置，耦接于所述第二晶体管的所述门极与所述第三晶体管的所述漏极之间；一输出电路，具有一输入端耦接到所述第三晶体管的所述漏极，其中所述输出电路的一输出端产生所述驱动信号以驱动所述高侧晶体管；一第四晶体管，耦接到所述第二装置以形成一第二正反馈电路，其中所述第四晶体管的一门极耦接到所述输出电路，以回应所述驱动信号而降低所述第二装置的阻抗；和一第二二极管，并联耦接于所述第三晶体管的所述门极与所述源极之间。
3.一种用于驱动一高侧开关的高侧开关驱动器，其特征包含一驱动电路，具有一正反馈电路以回应一输入信号而驱动所述高侧开关；一第一端和一第二端，提供一供应电压给所述驱动电路；一第一二极管，耦接于所述第一端与一电压源之间；一第一电容器，耦接于所述第一端与所述第二端之间；一第一开关，用于回应所述输入信号而切断所述高侧开关；和一第二电容器，用于回应所述输入信号而加速驱动所述高侧开关。
4.根据权利要求3所述用于驱动高侧开关的高侧开关驱动器，其特征在于所述驱动电路包含一第一装置，耦接到所述第一开关；一第二开关，形成一第一正反馈电路，用于回应所述输入信号而改变所述第一装置的所述阻抗；一第三开关，耦接到所述第一开关，其中所述第一开关接通/断开所述第三开关；一第二装置，耦接到所述第三开关；一第三装置，耦接于所述第二开关与所述第三开关之间；和一输出电路，具有一输入端耦接到所述第三开关，其中所述输出电路的一输出端用以驱动所述高侧开关。
5.根据权利要求4所述用于驱动高侧开关的高侧开关驱动器，其特征在于所述驱动电路进一步包含一第四开关，耦接到所述第二装置以形成一第二正反馈电路，用于回应所述输出电路的所述输出端而改变所述第二装置的阻抗。
6.根据权利要求4所述用于驱动高侧开关的高侧开关驱动器，其特征在于所述驱动电路进一步包含耦接到所述第三开关的一第二二极管。
专利摘要一种具有用于改进速度并节省功率的正反馈高侧晶体管驱动器，包括一驱动电路。驱动电路用于产生一驱动信号以驱动一高侧晶体管，驱动电路包括一浮动供应端提供驱动电路一供应电压，与一浮动接地端连接到高侧晶体管的一源极。此高侧晶体管驱动器包括一自举二极管、一电容器、一高压晶体管与一加速电容器。自举二极管耦接于浮动供应端与一电压源之间。一电容器连接到自举二极管并耦接于所述浮动供应端与浮动接地端之间。一高压晶体管用于回应一输入信号而切断所述驱动信号和高侧晶体管。一加速电容器耦接到驱动电路以加速驱动信号。本实新型可改进高侧开关驱动器的效率。此外，驱动电路中的正反馈电路可进一步加速驱动信号并为驱动电路节省功率。
文档编号H03K17/06GK2922280SQ20062000814
公开日2007年7月11日 申请日期2006年3月17日 优先权日2006年3月17日
发明者杨大勇, 李俊庆, 陈钰民 申请人:崇贸科技股份有限公司