专利名称：压电谐振片和压电谐振器件的制作方法
压电谐振片和压电谐振器件技术领域00011本发明涉及一种压电谐振片，以及一种压电谐振器件。
背景技术：
0002当前，压电谐振器件的实例包括晶体振荡器、晶体谐振 器等。这种压电谐振器件具有由矩形平行六面体封装形成的外壳。该 封装包括基底和盖子。在封装中，压电谐振片容纳于其中并且使用导 电粘合剂与基底结合。通过将基底与盖子结合，压电谐振片密封地封 闭在封装中(参看例如下面的专利文献l)。专利文献1: JP 2005-191709A
发明内容
本发明解决的问题0003在专利文献1中，当压电谐振片固定在基底上时，使用 导电粘合剂将压电谐振片与基底结合。而且，具有相反极性的电极提 供在基底上，并且导电粘合剂涂敷在每个电极上。
、钼等之后燃烧而在基底3上整体地形 成。此后，端电极和电极垫板的一部分通过在金属化上形成镍电镀以 及在镍电镀上形成金电镀而构造。
而且，当从顶部看封装6时，第一线段和第二线段不相 交，此外，第一线段的线段方向和第二线段的线段方向垂直相交。因 此，抑制通过经由基底结合元件71将支撑元件5与基底3结合或者 经由晶体谐振片结合元件72将晶体谐振片2与支撑元件5结合引起 的基底3的变形而导致的晶体谐振片2特性的变化是可能的。例如， 作为比较实例，在当从顶部看封装时第一线段方向和第二线段方向平 行的晶体谐振器的情况下，当晶体条与基底结合时热应力施加到支撑 元件，使得支撑元件在它弯曲时与基底结合。此后，当晶体谐振片与 弯曲的支撑元件结合时，热应力施加到晶体谐振片，使得晶体谐振片 在它相对于弯曲的支撑元件弯曲时与支撑元件结合。因此，在该晶体 谐振器中，外部应力容易施加到晶体谐振片，因此，即使当支撑元件 置于基底和晶体谐振片之间时，不会显著地表现出抑制外部应力的上 述效果。换句话说，晶体谐振片上的外部应力没有充分地緩冲，使得 晶体谐振片的特性受外部应力影响。与此相反，根据该实例的晶体谐振器1，当从顶部看封装6时，第一线段和第二线段不相交，此外， 第一线段的线段方向和第二线段的线段方向垂直相交。因此，上述问 题不出现，并且避免对晶体谐振片2的特性具有不利影响的外部应力 是可能的。注意，在该实例的晶体谐振器1中显示的第一线段和第二 线段之间的关系是抑制晶体谐振片上的外部应力的优选实例，并且比 较实例仅用于描述第 一 线段和第二线段之间的关系的说明性目的。[0054虽然晶体条在该实例中用作支撑元件5，本发明并不局限 于此。支撑元件5可以由任何脆性材料制成。例如，可以使用不各向 异性的玻璃材料。[0055而且，虽然以从顶部看具有矩形形状的矩形平行六面体 板的形状形成的盖子4和以凹入形状形成的基底3如
图1中所示在该 实例中使用，本发明并不局限于此。基底3和盖子4可以具有任何形 状，只要晶体谐振片2可以由基底和盖子密封地封闭。[0056而且，虽然一个激励电极231或232在该实例中在晶体 谐振片2的两个主表面221和222的每个中形成，本发明并不局限于 此。任意数目的激励电极可以提供在主表面221和222的每个中，取 决于^f吏用的目的。例如，两个激励电极可以在两个主表面的每个中形 成，或者一个激励电极可以在一个主表面中形成而两个激励电极可以 在另一个主表面中形成(滤波器元件结构)。0057而且，虽然如图1和2中所示在该实例的晶体谐振片2 中，引出电极241和242的引出尖端部分251和252使用每个引出尖 端部分一个晶体谐振片结合元件72与支撑元件5结合，本发明并不 局限于此。多个晶体谐振片结合元件可以用于每个引出电极。具体 地，如图5中所示，两个晶体谐振片结合元件72可以沿着晶体谐振 片2的横向与引出尖端部分251和252的每个结合。[0058在该情况下，多个晶体谐振片结合元件72用于一个引出 电极241 (242)，外部电极连接的晶体谐振片2的衬底21上的位置 (在该实例中支撑元件5)可以全部提供在主表面221的侧面部分27 附近，也就是区域26内，这有利于晶体谐振片2的小型化。另外，晶体谐振片2与外部电极(在该实例中支撑元件5)的结合强度可以 增加。特别地，如图5中所示，当连接凸起用作晶体谐振片结合元件 72时，这有利于晶体谐振片2的小型化。而且，多个晶体谐振片结 合元件72沿着每个引出电极241 (242 )的衬底的横向与引出尖端部 分251 ( 252 )结合。因此，例如，防止因使用具有大的结合区的导 电粘合剂而引起的电极之间的短路是可能的。特别地，随着晶体谐振 片2进一步小型化，该效果变得更加显著。[0059虽然如图1中所示在该实例中，晶体谐振片2的引出电 极241和242的引出尖端部分251和252经由支撑元件5、晶体谐振 片结合元件72以及基底结合元件71与基底3的电极垫板结合，本发 明并不局限于此。例如，如图6 (图6(a)和6(b))中所示，晶体谐振 片2的引出电极241和242的引出尖端部分251和252可以形成得比 其他部分厚(较大高度)，并且基底3的电极垫板可以与形成得比其 他部分高的引出尖端部分251和252的较高部分291和292电学和才几 械结合。在引出电极241和242形成的同时，较高部分291和292通 过光刻法由铬和金的连续层形成。而且，图6的较高部分291和292 通过电镀形成。注意，这里使用的电镀由电镀技术或无电电镀技术执 行。而且，当使用电镀技术时，用于共同地连接所有电镀凸起形成区 域的引出电极是必需的。而且，用于电镀的材料的具体实例包括金、 金-锡、焊料等。而且，当在光刻法中使用的光致抗蚀剂的厚度为大 约25nm的一般厚度时，电镀的厚度优选地设置为光致抗蚀剂厚度的 大约80%。在该情况下，电镀的厚度优选地为大约20nm。[0060在该情况下，晶体谐振片2的两个引出电极241和242 的引出尖端部分251和252延伸到主表面221的侧面部分27附近， 基底3的电极塾板与引出尖端部分251和252电学和机械结合，引出 电极241和242的引出尖端部分251和252形成得比其他部分厚(较 大高度)，并且基底3的电极垫板与比引出尖端部分的其他部分形成 得高的较高部分291和292电学和机械结合，使得基底3的电极垫板 可以与引出电极241和242结合而不另外提供结合元件例如连接凸起、导电粘合剂等。结果，防止因使用结合元件(特别地，导电粘合剂)而引起的电极之间的短路是可能的。特别地，随着晶体谐振片2 进一步小型化，该效果变得更加显著。而且，包括较高部分291和 292的引出电极241和242由光刻法形成，使得较高部分291和292 也可以在引出电极241和242形成的同时形成。因此，基底3的电极 塾板可以与晶体谐振片2的引出电极241和242结合，而不另外^f吏用 结合元件以及不通过形成引出电极241和242的步骤之外的另外步骤 形成较高部分291和292，从而使得能够抑制制造成本。此外，当较 高部分291和292包括铬和金时，它容易与外部电极(参看图1和6 的支撑元件5)结合。而且，当较高部分291和292通过电镀形成 时，在批量处理中形成较高部分291和292而不出现因通过电镀在晶 体谐振片2上形成较高部分291和292而引起的机械应力负荷是可能 的，使得可以相当大地提高设计较高部分291和292的表面面积、形 状和厚度的自由度。而且，当较高部分291和292通过电镀形成时， 可以将装备成本抑制到低级别。虽然较高部分291和292在这里通过 电镀形成，本发明并不局限于此。可以通过汽相沉积或溅射形成较高 部分291和292。0061而且，在该实例中，通过使得FCB装置中发射超声波的 元件使用FCB直接接触晶体谐振片2的相对位置28，晶体谐振片2 经由晶体谐振片结合元件72与支撑元件5结合。当由金制成的电极 在与FCB装置的超声波发射元件接触的晶体谐振片2的相对位置28 形成时(虽然这是与该实例不同的实施方案)，由金制成的电极粘结 到FCB装置的超声波发射元件，也就是由金制成的电极从晶体谐振 片2剥离并且固定地连接到FCB装置的超声波发射元件。因此，当 另一个晶体谐振片2与支撑元件5结合而由金制成的电极固定地连接 到FCB装置的超声波发射元件时，通过FCB的结合强度变小。因 此，当由金制成的电极固定地连接到FCB装置的超声波发射元件 时，需要去除固定连接的由金制成的电极。根据该实例，为了解决该 问题，如图1和2中所示，衬底21在晶体谐振片2的相对位置28暴露，使得上述问题不会出现。虽然根据该实例的晶体谐振片2,如图 1和2中所示，衬底21在晶体谐振片2的相对位置28暴露，解决上 述问题的构造并不局限于此。绝缘材料可以在晶体谐振片2的相对位 置28形成。这里使用的绝缘材料可以是整体由绝缘材料制成的材料 或者仅表面绝缘的材料。绝缘材料的实例包括绝缘材料例如氟化镁、 氧化硅、二氧化硅等，以及金属氧化物化合物，例如氧化铬等。例 如，可以使用通过氧化由铬制成的材料的表面而获得的绝缘材料。此 外，为了解决上述问题，不仅绝缘材料在晶体谐振片2的相对位置 28形成，而且由单个铬层形成的引出电极可以在晶体谐振片2的相 对位置28形成。单个铬层在这里提及的原因在于，铬比金坚硬并且 提供与晶体谐振片2的衬底21的更大结合强度，使得单个铬层比由 金制成的上述材料更不固定地连接到FCB装置的超声波发射元件。 而且，代替单个铬层，例如，激励电极231和232以及引出电极241 和242的一部分中的引出尖端部分251和252的至少相对位置28可 以是通过以该次序层压铬和镍(次序可以颠倒)而形成的引出电极。 而且，铬和金可以依次层压，此后，仅金可以从表面去除，从而提供 单个铬层。换句话说，可以使用任何组合，只要铬提供在表面。[0062如上所述，由绝缘材料或单个铬层制成的引出电极在晶 体谐振片2的相对位置28形成。因此，即使当使得FCB装置的超声 波发射元件使用FCB直接接触晶体谐振片2的相对位置28时，可以 防止在晶体谐振片2的相对位置28形成的由绝缘材料或单个铬层制 成的材料固定地连接到FCB装置的超声波发射元件。[0063而且，虽然以从顶部看具有矩形形状的矩形平行六面体 板形成的支撑元件5(图l)在该实例中使用，支撑元件的形状并不 局限于此。可以提供凹入部分以便抑制热应力转移到晶体谐振片2。 而且，可以提供晶体谐振片软垫部分以便抑制晶体谐振片2通过将支 撑元件5与晶体谐振片2的区域结合而相对于支撑元件5弯曲。特别 地，通过提供晶体谐振片软垫部分到支撑元件，当晶体谐振片2使用 晶体谐振片结合元件72与支撑元件5结合时，可以稳定地放置晶体谐振片2而不相对于晶体谐振片2在支撑元件5上的安装位置倾斜。 具体地，晶体谐振片软垫部分是在面向支撑元件5的晶体谐振片2的 主表面上形成的伸出部分。考虑到晶体谐振片结合区51，当晶体谐 振片软垫部分提供到图l的支撑元件时，晶体谐振片软垫部分期望地 位于支撑元件5的纵向上的另一个侧面部分附近以及支撑元件5的横 向上的中间部分附近。[0064而且，虽然引出电极241和242的引出尖端部分251和 252在该实例中延伸到主表面221的侧面部分27附近，本发明并不 局限于此。引出尖端部分251和252可以仅延伸到主表面221。例 如，引出电极241和242的引出尖端部分251和252可以延伸到主表 面221的侧面部分27附近以及与侧面部分27相对的侧面部分附近。 但是，如该实例中所示引出电极241和242的引出尖端部分251和 252延伸到主表面221的侧面部分27附近，也就是引出尖端部分251 和252都在区域26中延伸的构造有利于封装6的小型化。[0065而且，虽然在该实例中设计基底结合元件71的第一线段 与晶体谐振片结合元件72的第二线段之间的关系，使得当从顶部看 封装6时第一线段和第二线段不相交并且第一线段的线段方向和第二 线段的线段方向垂直相交，这是优选实例并且本发明并不局限于此。 如图7(a)中所示，可以设计第一线段与第二线段之间的关系，使得当 从顶部看封装6时第一线段和第二线段不相交并且第一线段的线段方 向和第二线段的线段方向平行。0066而且，如图7(b)-7(d)中所示，可以增加基底结合元件71 的连接点，并且可以设计笫一线段与第二线段之间的关系，使得当从 顶部看封装6时第一线段和第二线段不相交并且第一线段的线段方向 和第二线段的线段方向平行和垂直相交。在该情况下，支撑元件5在 支撑元件5的转角部分与基底3结合，使得支撑元件5与基底3的结 合强度可以增加。结果，晶体谐振片2可以与支撑元件5稳定地结 合。0067而且，在上述变化(图7(a)-7(d))中，因为晶体谐振片2可以与支撑元件5结合而晶体谐振片结合元件72的每个位置接近， 抑制晶体谐振片2受外部应力影响是可能的。结果，可以减小CI值 且可以抑制频率偏移。00681而且，虽然晶体谐振片2使用晶体谐振片结合元件72与 支撑元件5结合的结合位置在该实例(参看例如图2)和如上所述的 变化(例如参看图7(a))中彼此接近，本发明的结合位置并不局限于 此。如图7(e)中显示的实例是可能的。在图7(e)的实例中，可以设计 笫 一线段与第二线段之间的关系，使得当从顶部看封装6时第 一线段 和第二线段不相交并且第一线段的线段方向和第二线段的线段方向不 平行且不垂直相交。在该情况下，通过形成晶体谐振片结合元件72 使得第二线段方向沿着期望的结晶轴行进，进一步抑制晶体谐振片2 受外部应力影响是可能的。注意图7(e)的衬底21如从顶部看具有矩 形平行六面体的四个弯曲的转角部分。00691而且，虽然由AT切割晶体条形成的衬底21如上所述形 成如从顶部看具有矩形形状的矩形平行六面体板，本发明并不局限于 此。如图7(f)和7(g)中所示，凹口部分202可以在衬底21的区域26 中形成。注意，图7(f)和7(g)的村底21每个如从顶部看具有矩形平 行六面体的四个弯曲的转角部分。[0070在图7(f)的衬底21中，凹口部分202在衬底21的侧面部 分27中晶体谐振片结合元件72的结合位置之间形成。在该情况下， 可以抑制晶体谐振片2受外部应力影响。结果，减小CI值并抑制频 率偏移是可能的。此外，可以抑制因振动而引起的弯曲。而且，凹口 部分202可以防止引出电极241和242之间的短路。注意，在图7(f) 的实例中，由金属材料制成的连接凸起用作晶体谐振片结合元件 72，这有利于小型化和频率增加，并且防止引出电极241和242之间 的短路。[0071而且，在图7(g)的衬底21中，凹口部分202在衬底21 的区域26中晶体谐振片结合元件72的结合位置之间形成，并且凹口 部分202在衬底21的侧面部分27中以及在如从顶部看矩形平行六面体的纵向上的侧面中形成。在该情况下，与图7(f)的实例类似，可以 抑制晶体谐振片2受外部应力影响。结果，可以减小CI值并且可以 抑制频率偏移。另外，优选地，与图7(f)的实例相比较，进一步抑制 因振动而引起的弯曲。而且，凹口部分202可以防止引出电极241和 242之间的短路。注意，在图7(g)的实例中，由金属材料制成的连接 凸起用作晶体谐振片结合元件72,这有利于小型化和频率增加，并 且防止引出电极241和242之间的短路。[00721而且，虽然如图2中所示在该实例中^f吏用由AT切割晶 体条形成的晶体谐振片2，本发明并不局限于此。可以使用其他压电 谐振片。具体地，可以使用音叉晶体谐振片(在下文称作晶体谐振片 8，如图8和9 (图9(a)和图9(b))中所示)。[0073图8和9的晶体谐振片8通过刻蚀由各向异性材料制成 的晶体条而形成。晶体谐振片8的衬底81包括两个腿部分821和 822以及基底部分83。衬底81具有基本上矩形平行六面体的外围形 状。两个腿部分821和822从基底部分83伸出。而且，凹入部分85 在两个腿部分821和822的两个主表面841和842的每个中形成，以 便提高串联谐振电阻值，否则其将因晶体谐振片8的小型化而退化。[0074具有不同电势的两个激励电极861和862,以及将激励电 极861和862与基底3的电极垫板(没有显示)电学和机械结合的引 出电极871和872在晶体谐振片8的两个主表面841和842中形成。 引出电极871和872从激励电极861和862延伸到基底部分83。在 基底部分83中形成的引出电极871和872的引出尖端部分881和 882使用晶体谐振片结合元件72经由支撑元件5与基底3的电极垫 板结合，使得激励电极861和862与基底3的电极垫板电学和机械结 合。[0075激励电极861和862以及引出电极871和872例如是包 括由铬制成的下电极层和由金制成的上电极层的层压薄膜。薄膜通过 技术例如真空汽相沉积、溅射等在整个表面上形成，此后，通过使用 光刻法的金属刻蚀形成期望的形状。而且，引出电极871和872的引出尖端部分881和882以及引出电极871和872的接近那里的部分是 例如包括由铬制成的下电极层、由金制成的中间电极层以及由铬制成 的上电极层的层压薄膜。该薄膜通过例如真空汽相沉积、賊射等技术 在整个表面上形成，此后，通过使用光刻法的金属刻蚀形成期望的形 状，并且仅由铬制成的上电极层使用部分掩模通过技术例如真空汽相 沉积等形成。此外，在与在主表面842中形成的引出尖端部分871和 872相对的、晶体谐振片8的另一个主表面841的相对位置89形成 的引出尖端部分881和882 (图8和图9(a)的引出尖端部分881和 882 )，引出电极871和872的引出尖端部分881和882，具有其表 面氧化成绝缘材料的铬的表面。作为选择，引出尖端部分881和882 的表面的铬的一部分氧化成绝缘材料。这里使用的氧化铬具有比铬更 高的表面硬度。[0076虽然在图9的晶体谐振片8中，引出电极871和872的 引出尖端部分881和882的材料(铬、金和铬(Cr-Au-Cu))以该 次序层压并且氧化表面铬，本发明并不局限于此。与图2的晶体谐振 片类似，例如，铬、金和镍(Cr-Au-Cu)可以该次序层压并且可以 氧化表面镍。作为选择，铬和镍(Cr-Ni)可以该次序层压并且可以 氧化表面镍。作为选择，镍和铬(Ni-Cr)可以该次序层压并且可以 氧化表面铬。[0077而且，虽然如图9中所示，在晶体谐振片8的相对位置 89形成的引出尖端部分881和882的表面中铬的表面被氧化成绝缘 材料，本发明并不局限于此。如果当晶体谐振片8使用超声波通过 FCB与支撑元件5结合时，能够防止其表面由金制成的电极剥离并 固定地连接到FCB装置的超声波发射元件，衬底81可以在晶体谐振 片8的相对位置89暴露，例如图10 (图10(a)和10(b))中所示。但 是，如图10中所示，如果衬底81在晶体谐振片8的相对位置89暴 露，在晶体谐振器1的制造步骤期间，图像识别不可以相对于晶体谐 振片8的位置实现。这是因为可以识别晶体谐振片8的暴露部分下面 的图案。因此，在音叉晶体谐振片中，如图9(a)中所示使用绝缘材料覆盖衬底81的相对位置89比在上述相对位置89暴露衬底81更优 选。而且，如上所述，相对位置89的引出尖端部分881和882可以 具有由铬代替绝缘材料制成的表面。[0078而且，虽然仅由金属材料制成的连接凸起在该实例的晶 体谐振器l中使用，连接凸起并不局限于此。连接凸起可以由不导电 材料制成。但是，即使当使用由不导电材料制成的连接凸起时，同样 使用由导电材料(该实例中金属材料)制成的连接凸起建立晶体谐振 片1的激励电极231和232与封装6的电极垫板之间的传导。[0079而且，虽然在该实例中支撑元件5在晶体谐振片2的区 域26中的两个引出尖端部分251和252与晶体谐振片2结合，本发 明并不局限于此。例如，如图ll(a)中所示，支撑元件5可以经由晶 体谐振片2的区域26中的单个结合凸起9与晶体谐振片2结合。单 个结合凸起9包括由导电材料制成的两个导电部分91和由不导电材 料制成的一个不导电部分92。导电部分91使用不导电部分92覆 盖。而且，结合凸起9不仅可适用于图ll(a)的厚度切变振动晶体谐 振片2,而且可适用于图ll(b)中所示的音叉晶体谐振片8。在该情况 下，优选地抑制因上述两点结合而引起的外部应力到晶体谐振片l和 8的发生。0080上述连接凸起可以预先在晶体谐振片上或者在衬底(或 支撑元件)上形成。注意，当连接凸起预先在衬底(或支撑元件)上 形成时，减小到晶体谐振片的机械应力负荷是可能的。[00811本发明可以其他不同形成实施和实践而不背离其本质和 基本特征。因此，上述实施方案在各个方面认为是说明性而不是限制 性的。本发明的范围由附加权利要求而不是由前述描述指出。落在附 加权利要求书的等价范围内的所有变化和修改打算包括于其中。[0082该申请要求2005年12月21日在日本提交的专利申请号 2005-368524和2006年9月1日在日本提交的专利申请号2006-238093的优先权权益，在此以引用方式将其全部内容并入本文中。工业适用性[0083本发明可适用于压电谐振器，例如晶体谐振器等。
权利要求
1.一种压电谐振器件，其中通过将基底与盖子结合形成封装，压电谐振片固定在该封装中的基底上，并且该封装的内部被密封地封闭，压电谐振片经由脆性材料制成的支撑元件固定在基底上，基底经由基底结合元件使用超声波在支撑元件的多个区域中与支撑元件电学和机械结合，并且压电谐振片经由压电谐振片结合元件使用超声波在压电谐振片的一个区域中与支撑元件电学和机械结合，以及基底结合元件和压电谐振片结合元件是连接凸起。
2. 根据权利要求1的压电谐振器件，其中抑制压电谐振片弯曲 的压电谐振片软垫部分提供在支撑元件上。
3. 根据权利要求1或2的压电谐振器件，其中 支撑元件的多个区域是支撑元件的彼此相对的两个侧面附近的区域，以及压电谐振片的所述一个区域在压电谐振片的侧面部分附近。
4. 一种压电谐振片，其中至少一个激励电极在衬底的两个主表面的每个中形成，并且多个 引出电极通过延伸激励电极而形成，以便将激励电极与外部电极电学 和才几械结合，多个引出电极的引出尖端部分延伸到主表面中一个的至少一个侧 面部分附近，并且外部电极与引出尖端部分电学和机械结合，以及绝缘材料被在衬底的另一个主表面的位置形成，该位置与在所述 一个主表面上形成的引出尖端部分相对。
5. 根据权利要求4的压电谐振片，其中绝缘材料是金属氧化物 化合物。
6. 根据权利要求4的压电谐振片，其中绝缘材料是表面绝缘的 材料。
7. —种压电谐振片，其中至少一个激励电极在衬底的两个主表面的每个中被形成，并且多 个引出电极通过延伸激励电极而被形成，以便将激励电极与外部电极 电学和机械结合，多个引出电极的引出尖端部分延伸到主表面中一个的至少一个侧 面部分附近，并且外部电极与引出尖端部分电学和机械结合，以及由单个铬层制成的材料被在衬底的另一个主表面的位置形成，该 位置与在所述一个主表面上形成的引出尖端部分相对。
8. —种压电谐振片，其中至少一个激励电极被在衬底的两个主表面的每个中形成，并且多 个引出电极通过延伸激励电极而被形成，以便将激励电极与外部电极 电学和机械结合，多个引出电极的引出尖端部分延伸到主表面中一个的至少一个侧 面部分附近，并且外部电极与引出尖端部分电学和机械结合，以及衬底在衬底的另一个主表面的位置处暴露，该位置与在所述一个 主表面上形成的引出尖端部分相对。
9. 根据权利要求4-8中任何一个的压电谐振片，其中多个引出电极的引出尖端部分延伸到一个主表面的至少一个侧面 部分附近，并且外部电极经由压电谐振片结合元件与引出尖端部分电 学和机械结合，以及多个压电谐振片结合元件与每个引出电极结合。
10. 根据权利要求9的压电谐振片，其中 衬底具有矩形平行六面体的外围形状，以及 多个压电谐振片结合元件沿着衬底的横向与每个引出电极的引出尖端部分结合。
11. 一种压电谐振片，其中至少一个激励电极被在衬底的两个主表面的每个中形成，并且多 个引出电极通过延伸激励电极而被形成，以便将激励电极与外部电极 电学和机械结合，多个引出电极的引出尖端部分延伸到主表面中一个的至少一个侧 面部分附近，并且外部电极与引出尖端部分电学和机械结合， 引出电极的引出尖端部分形成得比其他部分更高，以及 外部电极与比引出尖端部分的其他部分更高的部分电学和机械结合。
12. 根据权利要求11的压电谐振片，其中包括更高部分的引出 电极由光刻法形成。
13. 根据权利要求11的压电谐振片，其中更高部分通过电镀形成。
14. 根据权利要求11-13中任何一个的压电谐振片，其中更高部 分由铬和金形成。
全文摘要
一种压电器件包括压电振动片，固定压电振动片的基底，用于密封地封闭固定在基底上的压电片的盖子，以及由脆性材料形成用于减小到压电振动片的外部应力的支撑元件。压电振动片经由支撑元件固定在基底上。这里，基底、压电振动片和支撑元件通过使用结合凸起基底结合材料和压电振动片结合材料由FCB方法超声地结合。基底和支撑元件经由基底结合材料在支撑元件的多个区域上通过超声结合而电学机械结合。而且，压电振动片和支撑元件经由压电振动片结合材料在压电振动片的一个区域上通过超声结合而电学机械结合。
文档编号H03H9/10GK101331681SQ20068004769
公开日2008年12月24日 申请日期2006年11月30日 优先权日2005年12月21日
发明者佐藤俊介, 小山伸一 申请人:株式会社大真空