专利名称：弹性边界波装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及在从数百MHz至数GHz的高频滤波器等中使用的弹性边界波装置。
背景技术：
便携式电话等无线便携式设备一方面具有越来越多的功能，而另一方面被要求其 尺寸更小。因此，设备的小型化和薄型化是必须的。 一般来说，在无线便携式设备中所使用 的高频滤波器通常是利用了表面声波(SAW)的SAW滤波器、利用了薄膜的压电振动的FBAR 滤波器等。利用了弹性波的滤波器、共振器具有小型并廉价的优点。因此，弹性波元件对于 便携式电话等通信设备的小型化是不可缺少的。 作为在压电基板或压电薄膜等之上具有与所希望的频率相对应的周期的梳形电 极并利用通过梳形电极激振的弹性波的弹性波元件，有表面声波元件、弹性边界波元件等， 其中所述梳形电极是利用以铝为主成分的合金、以铜为主成分的合金等来制成的。另外，就 弹性波元件而言，有共振器、滤波器、双工器等。例如，在一个端子对(单端口 )共振器的情 况下，显示出具有共振频率和反共振频率的双重共振特性。利用该特性，将具有不同的梳形 电极周期的单端口共振器以串联和并联方式连接成梯子状的梯形滤波器得到了实际应用。 另外还有通过多个梳形电极形成共振器的匿S(Double mode SAW，双模式表面声波)滤波 器、以及具有激振用梳形电极和接收用梳形电极的IIDT型滤波器等。 表面声波元件由于利用沿表面传播的波，因此在表面声波元件的表面上需要空间
(例如，参照专利文献1、专利文献2)。因此，需要进行在表面上具有空间的封装，妨碍了装
置整体的薄型化。因此，作为在表面上不需要空间的弹性波元件，开发出了弹性边界波元件
(例如，参照专利文献3)。在专利文献3中记载有以下弹性边界波元件其具有由压电基板
或压电薄膜形成的压电材料层，在该压电材料层上至少具有两种类型的第一电介质层和第
二电介质层，并且具有形成在压电材料层的第一 电介质层侧表面附近的梳形电极，该梳形
电极具有与所希望的频率相对应的周期A。在专利文献3所记载的弹性边界波元件中，波
的能量在第一电介质层中具有峰值。 另外，专利文献4是与本发明相关的技术文献。 专利文献1 :日本专利文献特开平5-63500号公报； 专利文献2 :美国专利第5694096号说明书； 专利文献3 :国际公开第98/52279号单行本； 专利文献4 :日本专利文献特开2005-117641号公报。 在如专利文献3所记载的弹性边界波元件那样边界波几乎被限制在第一电介质 层中的构造中，发现会在第二电介质层和第一电介质层的边界附近的第一电介质层侧产生 具有最大振幅并具有与所希望的频率不同频率的边界波(下面，也称为"不需要的波一")。 另外，同样作为不需要的波，发现还存在由于位移泄漏到弹性边界波元件的表面(即，第二 电介质层的表面)而产生的不需要的波(也称为"不需要的波二")。 上述不需要的波二是表面波，能够通过在弹性边界波元件的表面上设置吸声部，或者在弹性边界波元件的第二电介质层的表面上设置散射图案来抑制。可是，上述不需要 的波一是边界波，不能通过设置吸声部等来抑制。
发明内容
本发明的弹性边界波装置包括多个弹性边界波元件，所述弹性边界波装置的特 征在于，所述弹性边界波元件包括压电材料层；电极，所述电极配置在所述压电材料层之 上；第一电介质层，所述第一电介质层以覆盖所述电极的方式形成在所述压电材料层之上； 以及第二电介质层，所述第二电介质层形成在所述第一电介质层之上；所述第二电介质层 的声速比所述第一电介质层的声速快，所述多个弹性边界波元件中的至少一个弹性边界波 元件的第二电介质层的声速不同于其他弹性边界波元件的第二电介质层的声速。
图1是示出具有多个现有的弹性边界波元件(共振器)的梯形滤波器的一个例子 的平面图； 图2是示出图1中示出的梯形滤波器的电路结构的图；
图3是图1的I-I线剖面图； 图4是示出图1所示的单端口共振器的单个个体的特性的图； 图5是示出当组合在图4中抑制了不需要的波二的共振器来形成梯形滤波器时的
频率特性的图； 图6是示出单端口共振器的单个个体的特性比较的图；
图7是示出单端口共振器的单个个体的特性比较的图； 图8是示出具有多个本发明的弹性边界波元件(共振器)的梯形滤波器的一个例 子的平面图； 图9是图8的II-II线剖面图； 图10是通过与图9所示的第二电介质层3a、3b的形成方法不同的形成方法来形 成的共振器Sl和共振器Pl的剖面图； 图11是通过与图9所示的第二电介质层3a、3b的形成方法不同的形成方法来形 成的共振器Sl和共振器Pl的剖面图； 图12A是示出图8所示的梯形滤波器的电路结构的图、图12B是示出图8所示的 梯形滤波器的频率特性的图； 图13A是示出另一梯形滤波器的电路结构的图、图13B是示出图13A所示的梯形 滤波器的频率特性的图； 图14A是示出又一梯形滤波器的电路结构的图、图14B是示出图14A所示的梯形 滤波器的频率特性的图； 图15是示出氧化铝(第二电介质层)的厚度与反共振频率、反共振吸收量之间的 关系的图。
具体实施例方式
本发明的弹性边界波装置具有多个弹性边界波元件，多个弹性边界波元件以串联和并联方式连接。由此，能够构成各种滤波器。 另外，上述弹性边界波元件包括压电材料层、配置在压电材料层之上的电极、以覆 盖电极的方式形成在压电材料层之上的第一电介质层、以及形成在第一电介质层之上的第 二电介质层，第二电介质层的声速设定得比第一电介质层的声速快。由此，能够将边界波限 制在第一电介质层内。 并且，多个弹性边界波元件中的至少一个弹性边界波元件的第二电介质层的声速 不同于其他弹性边界波元件的第二电介质层的声速。由此，能够改善当作为滤波器时在不 需要的波的频率处的抑制度。 上述弹性边界波元件优选是一个端子对的共振器。在一个端子对的共振器的情况 下，显示出具有共振频率和反共振频率的双重共振特性，通过利用该特性，能够构成将具有 不同的梳形电极周期的一个端子对的共振器以串联和并联方式连接成梯子状的梯形滤波 器。 能够使上述并联连接的弹性边界波元件中的至少一个弹性边界波元件的第二电 介质层的声速不同于其他弹性边界波元件的第二电介质层的声速。由此也能够改善当作为 滤波器时在不需要的波的频率处的抑制度。能够使上述串联连接的弹性边界波元件中的至 少一个的第二电介质层的声速和上述并联连接的弹性边界波元件中的至少一个弹性边界 波元件的第二电介质层的声速不同于其他弹性边界波元件的第二电介质层的声速。由此也 能够改善当作为滤波器时在不需要的波的频率处的抑制度。能够使上述串联连接的弹性边 界波元件中的至少一个弹性边界波元件的第二电介质层的声速不同于其他弹性边界波元 件的第二电介质层的声速。由此也能够改善当作为滤波器时在不需要的波的频率处的抑制 度。 作为上述压电材料层，可以使用压电基板、压电薄膜等，压电材料层优选由LiNb03
或LiTa(^来形成。这是因为它们具有一定大小的P，通常被用于梯形滤波器、双模式滤波
器中。LiNb03或LiTa03的结晶取向可以考虑k^温度特性、传播损失等来选择。 上述第一电介质层优选将Si02作为主成分来包含。这是因为Si02具有改善温度
特性的效果。在本说明书中"作为主成分来包含"是指50重量％以上的情况。 上述第二电介质层优选将从下述组中选出的任一个作为主成分来包含，所述组由
氧化铝、SiN、 SiC以及类金刚石墨(diamond-like carbon)组成。由此，当由Si02形成了
第一电介质层时，能够使第二电介质层的声速比第一电介质层的声速快。 也能够使上述多个弹性边界波元件中的至少一个弹性边界波元件的第二电介质
层的形成方法与其他的弹性边界波元件的第二电介质层的形成方法不相同。这是因为能
够在不改变第二电介质层的材质的情况下，通过改变第二电介质层的形成方法来改变第二
电介质层的声速。作为第二电介质层的形成方法，例如，可以使用溅射法、CVD法等。 下面，基于附图来说明本发明的实施方式。 图1是示出具有多个现有的弹性边界波元件(共振器)的梯形滤波器的一个例子 的平面图。在图1中，梯形滤波器10包括输入端子6和输出端子7，共振器Sl和共振器S2 串联连接，共振器P1和共振器P2并联连接，共振器P1经由端子8接地，共振器P2经由端 子9接地。各共振器S1、S2、P1、P2分别包括梳形电极4和反射器5。在图l中透过后述的 第一 电介质层和第二电介质层示出了配置在压电基板1上的梳形电极4等的电路结构。
5
图2是示出图1所示的梯形滤波器的电路结构的图。 图3是图1的I-I线剖面图。在图3中，共振器S1包括压电基板1、配置在压电基 板1之上的梳形电极4、以覆盖梳形电极4的方式形成在压电基板1之上的第一电介质层 2、形成在第一电介质层2之上的第二电介质层3。在梳形电极4的弹性边界波传播方向的 两侧配置有反射器5。 在共振器Sl中，通过向梳形电极4施加输入信号来激振弹性边界波Q，弹性边界 波Q如图3中示意性示出的那样沿压电基板1和第一电介质层2的界面P传播。因此，需 要第二电介质层3的声速比第一电介质层2的声速快。当弹性边界波Q的波长设为A时， 第二电介质层3的厚度优选为1.0A以上。由此，能够将弹性边界波Q可靠地限制在第一 电介质层2的内部。 在图3中，梳形电极4配置在压电基板1之上，但也可以在压电基板1和梳形电极
4之间再配置电介质薄膜。 梳形电极4的周期根据作为用作滤波器时的主响应的边界波的声速v和所希望的 频率f来决定，并有v[m/s] = f[Hz]X A [m]的关系成立。例如，如果压电基板1使用15 度旋转Y切X传播的LiNb03板、第一电介质层2使用Si02 (厚度1050nm)、第二电介质层3 使用氧化铝(厚度2 y m)、梳形电极4使用Cu电极(厚度315nm)，则边界波主响应的声速 为3660m/s，当制造中心频率为约1. 8GHz的滤波器时，A " 2 y m。在梯形滤波器的设计中， 通过使串联连接的共振器(串联共振器)与并联连接的共振器(并联共振器)的周期不相 同，来将串联共振器的反共振频率与并联共振器的共振频率设定为大致一致。图1的共振 器S1、S2、P1、P2是一个端子对(单端口 )共振器的例子，包括激振边界波的梳形电极4和 反射器5。边界波主响应的声速根据作为边界波主要传播的部分的压电基板l的结晶取向， 第一电介质2的材料、密度、弹性模量以及厚度，梳形电极4的材料、厚度、密度、弹性模量而 变化。例如，在固体中，如果弹性模量设为M[N/m2]、密度设为P [kg/m3]，则与声速v[m/s] 之间有￥= (M/P)力的关系成立。对于第二电介质层3来说，其声速快于第一电介质层2 的声速是将边界波限制在第一电介质层2内的必要条件。从材料方面考虑，当例如由Si02 来形成第一电介质层2时，例如用氧化铝、SiN、 SiC、类金刚石墨、金刚石、Si等形成第二电 介质层3的条件是将边界波限制在第一电介质层2内的必要条件。 边界波的特点在于波的能量集中在第一电介质层2和压电基板1的边界面附近， 几乎不泄漏到第二电介质层3中。第二电介质层3的声速对作为主响应的边界波的频率的 影响很小。 图4是示出图l所示的单端口共振器的单个个体的特性的图，是以下情况的例 子压电基板1使用15度旋转Y切X传播的LiNb03板，第一电介质层2使用Si02(厚度 1050nm)，第二电介质层3使用氧化铝溅射膜(厚度2 y m)，梳形电极4使用Cu电极(厚 度315nm)。在图4中示出了在第二电介质层3的表面上形成了散射图案的和未形成散射 图案的情况。根据4可知，各共振器除了边界波的主响应以外还产生不需要的波一和不需 要的波二。不需要的波一是在第一电介质层2和第二电介质层3的边界附近的第一电介质 层2侧具有位移的峰值的边界波。不需要的波二是在第二电介质层3的表面具有位移的峰 值的表面波。如从图4可知的那样，可通过在第二电介质层3的表面上形成吸音层或者形 成使波散射的散射图案来抑制某种程度的不需要的波二。可是，不需要的波一由于是边界波，不能通过形成吸音层或散射图案来抑制。 图5是示出当通过组合在图4中抑制了不需要的波二的共振器来形成梯形滤波器 时的频率特性的图。从图可知，除了构成根据主响应的带通滤波器以外，还产生由于不需要 的波一导致的不需要的应答，恶化了在不需要的应答的频率处的抑制度。本发明用于改善 由作为该边界波的一种的不需要的波一导致的抑制度的劣化。虽然在主响应的通带中存在 小的不需要的应答，但这是斯通利(stoneley)波导致的，能够通过优化电极膜厚、压电材 料的取向、第一电介质层的膜厚来去除。 不需要的波一是起因于第一电介质层2和第二电介质层3的边界波，受到第一电 介质层2和第二电介质层3的声速的影响。当第一电介质层2的材料已确定时，如果加快第 二电介质层3的声速，则不需要的波一向高频侧偏移，如果放慢第二电介质层3的声速，则 不需要的波一向低频侧偏移。图6是示出在压电基板1使用15度旋转Y切X传播的LiNb03 板、第一电介质层2使用Si02(厚度1050nm)、梳形电极4使用Cu电极(厚度315nm)、第 二电介质层3分别使用SiN溅射膜(厚度2 ii m)和氧化铝溅射膜(厚度2 ii m)、并且在所 有第二电介质层3的表面上均形成散射图案的情况下的各单端口共振器的单个个体的特 性的图。从图6可知，与第二电介质层3使用了氧化铝溅射膜的情况相比，使用了 SiN喷溅 膜的情况下的不需要的波一的频率向低频方向发生了移动。 图7是示出在压电基板1使用30度旋转X切X传播的LiNb03板、第一电介质层2 使用Si02(厚度1050nm)、梳形电极4使用Cu电极(厚度170nm)、第二电介质层3分别使 用SiN等离子CVD膜(厚度2 ii m)和氧化铝溅射膜(厚度2 y m)、并且在所有第二电介质 层3的表面上均形成了散射图案的情况下的各单端口共振器的单个个体的特性的图。从图 7可知，与第二电介质层3使用了氧化铝溅射膜的情况相比，使用了 SiN等离子CVD膜的情 况下的不需要的波一的频率向高频方向发生了移动。由此可知，不仅通过改变第二电介质 层3的材料，而在相同材料的情况下通过改变成膜方法，第二电介质层3的弹性模量、密度 发生变化，声速发生变化，从而不需要的波一的频率将发生移动。 图8是示出具有多个本发明的弹性边界波元件(共振器)的梯形滤波器的一个例 子的平面图。在图8中，在与图l相同的部分标注相同的标号，并省略其说明。本实施方式 的梯形滤波器20是如下的例子在四个共振器中，S1、S2、P2的第二电介质层由氧化铝溅射 膜形成，只有P1的第二电介质层由SiN溅射膜形成。 图9是图8的II-II线剖面图。在图9中，共振器Sl包括由LiNb03形成的压电基 板1、由Si02形成的第一电介质层2、由氧化铝溅射膜形成的第二电介质层3a。其他的共振 器S2和P2也具有同样的结构。另一方面，在图9中，共振器Pl包括由LiNb03形成的压电 基板1、由Si02形成的第一电介质层2、由SiN溅射膜形成的第二电介质层3b。可通过使共 振器Sl和共振器Pl的第二电介质层3a、3b的材料不相同来使共振器Sl的第二电介质层 3a和共振器Pl的第二电介质层3b的声速不相同。即，图9的例子是使并联连接的弹性边 界波元件(共振器)中的至少一个弹性边界波元件的第二电介质层的声速与其他弹性边界 波元件的第二电介质层的声速不相同的例子。 图9所示的第二电介质层3a、3b可以如下形成。首先，在形成抗蚀剂图案以使氧 化铝被溅射到共振器S1、S2、P2的第一电介质层2的表面上之后，溅射氧化铝，此后去除该 抗蚀剂并形成第二电介质层3a。其次，在形成抗蚀剂图案以使SiN仅被溅射到共振器Pl的第一电介质层2的表面上之后，溅射SiN，此后去除该抗蚀剂并形成第二电介质层3b。
图10是通过与图9所示的第二电介质层3a、3b的形成方法不相同的形成方法来 形成的共振器S1和共振器P1的剖面图。在图10中，首先，在形成抗蚀剂图案以使SiN仅 被溅射到共振器P1的第一电介质层2的表面上之后，溅射SiN，此后去除该抗蚀剂并形成 第二电介质层3b。其次，在共振器Sl、 S2、 Pl、 P2的表面上溅射氧化铝，形成第二电介质层 3a。 图11是通过与图9所示的第二电介质层3a、3b的形成方法不相同的形成方法来 形成的共振器S1和共振器P1的剖面图。在图11中，首先，在形成抗蚀剂图案以使氧化铝 仅被溅射到共振器Sl的第一电介质层2的表面上之后，溅射氧化铝，此后去除该抗蚀剂并 形成第二电介质层3a。其次，在共振器Sl、 S2、 Pl、 P2的表面上溅射SiN，形成第二电介质 层3b。 如图10和图11所示，即使在第二电介质层3a、3b上的一部分层积与第二电介质 层3a、3b不同的材料，也不会影响作为边界波的不需要的波一的频率。
图12A是示出图8所示的梯形滤波器的电路结构的图。在图12A中，用方框括起 来示出了第二电介质层3的声速与其他共振器不同的共振器P1。图12B是示出图8所示 的梯形滤波器的频率特性的图。在图12B中，为了作比较，也一并示出了除了将共振器S1、 S2、 Pl、 P2的第二电介质层3全部使用氧化铝溅射膜形成之外其他的结构与图8所示的梯 形滤波器相同的滤波器的频率特性。从图12B可知，通过使多个弹性边界波元件(共振器) 中的至少一个弹性边界波元件的第二电介质层的声速与其他的弹性边界波元件的第二电 介质层的声速不相同，由不需要的波一引起的不需要的响应得到了改善。
图13A是示出在四个共振器中共振器S1和共振器P1的第二电介质层3由氧化铝 溅射膜形成并且共振器S2和共振器P2的第二电介质层3由SiN溅射膜形成的梯形滤波器 的电路结构的图。在图13A中，用方框括起来示出了第二电介质层3的声速与其他共振器 不同的共振器S2、 P2。 S卩，图13A的例子是使串联连接的弹性边界波元件(共振器)中的 至少一个第二电介质层的声速和并联连接的弹性边界波元件中至少一个弹性边界波元件 的第二电介质层的声速不同于其他弹性边界波元件的第二电介质层的声速的例子。另外， 图13B是示出图13A所示的梯形滤波器的频率特性的图。在图13B中，为了作比较，还一并 示出了除了共振器S1、 S2、 Pl、 P2的第二电介质层3全部使用氧化铝溅射膜形成之外其他 结构与13A所示的梯形滤波器相同的滤波器的频率特性。从图13B可知，通过使多个弹性 边界波元件(共振器)中的至少一个弹性边界波元件的第二电介质层的声速与其他的弹性
边界波元件的第二电介质层的声速不相同，由不需要的波一引起的不需要的响应得到了改善。 图14A是示出在四个共振器中共振器P1和共振器P2的第二电介质层3由氧化铝 溅射膜形成并且共振器Sl和共振器S2的第二电介质层3由SiN溅射膜形成的梯形滤波器 的电路结构的图。在图14A中，用方框括起来示出了第二电介质层3的声速与其他共振器 不同的共振器S1、S2。 S卩，图14A的例子是使串联连接的弹性边界波元件(共振器)中的 至少一个弹性边界波元件的第二电介质层的声速与其他的弹性边界波元件的第二电介质 层的声速不相同的例子。另外，图14B是示出图14A所示出的梯形滤波器的频率特性的图。 在图14B中，为了作比较，还一并示出了除了共振器S1、S2、P1、P2的第二电介质层3全部使用氧化铝溅射膜形成之外其他结构与14A中示出的梯形滤波器相同的滤波器的频率特性。 从图14B可知，通过使多个弹性边界波元件(共振器)中的至少一个弹性边界波元件的第 二电介质层的声速与其他弹性边界波元件的第二电介质层的声速不相同，由不需要的波一 引起的不需要的响应得到改善。尤其，在14A所示的梯形滤波器中，并联连接的共振器的不 需要的波一的频率和串联连接的共振器的不需要的波一的频率的大小关系与通常的梯形 滤波器相反(通常，并联共振器的共振频率> 串联共振器的共振频率)，因此可实现不需要 的波一的频率处的频带阻断(band rejection)，能够大幅地改善该部分的抑制度。例如，当 想要改善特定频率的抑制度等时，可通过控制第二电介质层3的声速来实现。
最后，讨论第二电介质层的厚度与弹性边界波的波长A的关系。图15是示出氧化 铝(第二电介质层)的厚度与弹性边界波的反共振频率、反共振吸收量之间的关系的图。在 图15的实施方式中示出了压电基板使用30度旋转Y切X传播的LiNb03板、第一电介质层 使用SiOj厚度1150nm)、第二电介质层使用氧化铝、梳形电极使用Cu电极(厚度185nm， 电极周期1.982 ym，弹性边界波的波长A :1.982ym)、并且改变第二电介质层的氧化铝 厚度的情况下的氧化铝(第二电介质层)的厚度与反共振频率、反共振吸收量之间的关系。 根据图15，反共振频率在氧化铝的厚度为约0. 75ym的情况下稳定，反共振吸收量在氧化 铝的厚度为约lym的情况下稳定。由此可知，要使反共振频率和反共振吸收量均都稳定， 需要使氧化铝的厚度为约lym以上。因此可知，需要使第二电介质层(氧化铝)的厚度为 弹性边界波的波长A (约2 ii m)的0. 5倍以上。 本发明在不脱离其宗旨的范围内也可以以上述之外的方式实施。本申请中所公开
的实施方式只是一个示例，并不限于此。本发明的范围相比于上述说明书的记载更优选根
据权利要求书的记载来进行解释，并且与权利要求书等同范围内的所有变更均包含在权利
要求书的范围内。 产业上的可利用性 如上所述，本发明通过使多个弹性边界波元件中的至少一个弹性边界波元件的第 二电介质层的声速与其他弹性边界波元件的第二电介质层的声速不相同，能够改善弹性边 界波装置的作为滤波器的抑制度。
权利要求
一种弹性边界波装置，包括多个弹性边界波元件，所述弹性边界波装置的特征在于，所述弹性边界波元件包括压电材料层；电极，所述电极配置在所述压电材料层之上；第一电介质层，所述第一电介质层以覆盖所述电极的方式形成在所述压电材料层之上；以及第二电介质层，所述第二电介质层形成在所述第一电介质层之上；所述第二电介质层的声速比所述第一电介质层的声速快，所述多个弹性边界波元件中的至少一个弹性边界波元件的第二电介质层的声速不同于其他弹性边界波元件的第二电介质层的声速。
2. 如权利要求1所述的弹性边界波装置，其特征在于， 所述多个弹性边界波元件以串联和并联方式连接。
3. 如权利要求2所述的弹性边界波装置，其特征在于， 所述弹性边界波元件是一个端子对的共振器。
4. 如权利要求2所述的弹性边界波装置，其特征在于，所述并联连接的弹性边界波元件中的至少一个弹性边界波元件的第二电介质层的声 速不同于其他弹性边界波元件的第二电介质层的声速。
5. 如权利要求2所述的弹性边界波装置，其特征在于，所述串联连接的弹性边界波元件中的至少一个的第二电介质层的声速和所述并联连 接的弹性边界波元件中的至少一个弹性边界波元件的第二电介质层的声速不同于其他弹 性边界波元件的第二电介质层的声速。
6. 如权利要求2所述的弹性边界波装置，其特征在于，所述串联连接的弹性边界波元件中的至少一个弹性边界波元件的第二电介质层的声 速不同于其他弹性边界波元件的第二电介质层的声速。
7. 如权利要求1所述的弹性边界波装置，其特征在于， 所述压电材料层由LiNb03或TiTa03形成。
8. 如权利要求1所述的弹性边界波装置，其特征在于， 所述第一电介质层将Si02作为主成分来包含。
9. 如权利要求1所述的弹性边界波装置，其特征在于，所述第二电介质层将从下述组中选出的任一个作为主成分来包含，所述组由氧化铝、 SiN、SiC以及类金刚石墨组成。
10. 如权利要求1所述的弹性边界波装置，其特征在于，所述多个弹性边界波元件中的至少一个弹性边界波元件的第二电介质层的形成方法 不同于其他弹性边界波元件的第二电介质层的形成方法。
全文摘要
本发明的弹性边界波装置包括多个弹性边界波元件，所述弹性边界波装置的特征在于，所述弹性边界波元件包括压电材料层；电极，所述电极配置在所述压电材料层之上；第一电介质层，所述第一电介质层以覆盖所述电极的方式形成在所述压电材料层之上；以及第二电介质层，所述第二电介质层形成在所述第一电介质层之上；所述第二电介质层的声速比所述第一电介质层的声速快，所述多个弹性边界波元件中的至少一个弹性边界波元件的第二电介质层的声速不同于其他弹性边界波元件的第二电介质层的声速。由此，能够改善弹性边界波装置的作为滤波器的抑制度。
文档编号H03H9/25GK101796727SQ20078010026
公开日2010年8月4日 申请日期2007年8月14日 优先权日2007年8月14日
发明者三浦道雄, 松田聪, 松田隆志 申请人:太阳诱电株式会社