一种差分放大电路的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种差分放大电路，该电路包括场效应管、二极管、电感、电阻和电容；本发明通过射级耦合的方式，将两管射级连接在一起，便于直接传递信号，且通过电容和电感等原器件，增加该电路的稳定性，其具有稳定的直流偏置和很强的抑制共模信号的能力，且电路结构简单，元件参数计算简单，易于制作。
【专利说明】—种差分放大电路
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种放大电路，特别涉及一种差分放大电路。
【背景技术】
[0002]差分放大电路是模拟集成电路的重要组成单位，特别是作为集成运放的输入级，它既能放大直流信号，又能放大交流信号，尤其是电源管理类芯片中，广泛应用于振荡器、锁相环和数据转换器等各种模拟和数模混合集成电路中。但其元件参数计算繁琐，电路调试困难，且电阻的阻值和电容器的容值做的过大，使得截止频率低的电路难以制作。
[0003]故需要一种新的技术方案来解决上述问题。
【发明内容】
[0004]发明目的:针对上述现有技术存在的问题和不足，本发明的目的是提供一种差分放大电路，对差模信号具有很强的放大能力。
[0005]技术方案:本发明米用的技术方案为一种差分放大电路，该电路包括场效应管、二极管、电感、电阻和电容，第一场效应管的栅极为电压输入端，其漏极通过第一电阻和第一电容的并联接入正电压，第一场效应管的源极与第一电感的一端相连，第一电感的另一端与第二电感的一端相连，第二电感的另一端与第二场效应管的漏极相连，第二场效应管的源极通过第二电阻和第三电容的并联接入正电压，第二场效应管的栅极与二极管的正极相连，二极管的负极作为电压输出端，第三场效应管的漏极与第一电感的另一端相连，第三场效应管的源极通过第四电阻和第二电容的并联接入负电压，第三场效应管的栅极与负电压相连。
[0006]优选的，第三电阻的一端与第二场效应管的源极相连，其另一端接地。
[0007]优选的，第一场效应管和第二场效应管为P沟道增强型场效应管。
[0008]优选的，第三场效应管为N沟道结型场效应管。
[0009]有益效果:本发明与现有技术相比，其优点是本发明通过射级耦合的方式，将两管射级连接在一起，便于直接传递信号，其具有稳定的直流偏置和很强的抑制共模信号的能力，且电路结构简单，元件参数计算简单，易于制作。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]图1为本发明的电路图。
【具体实施方式】
[0011]如图1所示，本发明包括场效应管、二极管、电感、电阻和电容，第一场效应管Ql的栅极为电压输入端Ui，其漏极通过第一电阻Rl和第一电容Cl的并联接入正电压VCC，第一场效应管Ql的源极与第一电感LI的一端相连,第一电感LI的另一端与第二电感L2的一端相连，第二电感L2的另一端与第二场效应管Q2的漏极相连，第二场效应管Q2的源极通过第二电阻R2和第三电容R3的并联接入正电压VCC，第二场效应管Q2的栅极与二极管Dl的正极相连，二极管(Dl)的负极作为电压输出端Uo，第三场效应管Q3的漏极与第一电感LI的另一端相连，第三场效应管Q3的源极通过第四电阻R4和第二电容C2的并联接入负电压VSS，第三场效应管Q3的栅极与负电压VSS相连，第三电阻R3的一端与第二场效应管Q2的源极相连，其另一端接地。
[0012]第一场效应管Ql和第二场效应管Q2为P沟道增强型场效应管；第三场效应管Q3为N沟道结型场效应管。
[0013]本发明通过射级耦合的方式，将两管射级连接在一起，便于直接传递信号，且通过电容和电感等原器件，增加该电路的稳定性，其具有稳定的直流偏置和很强的抑制共模信号的能力，且电路结构简单，元件参数计算简单，易于制作。
【权利要求】
1.一种差分放大电路，其特征在于:该电路包括场效应管、二极管、电感、电阻和电容，所述第一场效应管(Ql)的栅极为电压输入端(Ui)，其漏极通过第一电阻(Rl)和第一电容(Cl)的并联接入正电压(VCC)，第一场效应管(Ql)的源极与第一电感(LI)的一端相连，所述第一电感(LI)的另一端与第二电感(L2)的一端相连,所述第二电感(L2)的另一端与第二场效应管(Q2)的漏极相连，所述第二场效应管(Q2)的源极通过第二电阻(R2)和第三电容(R3)的并联接入正电压(VCC)，第二场效应管(Q2)的栅极与二极管(Dl)的正极相连，所述二极管(Dl)的负极作为电压输出端(Uo)，所述第三场效应管(Q3)的漏极与第一电感(LI)的另一端相连，第三场效应管(Q3)的源极通过第四电阻(R4)和第二电容(C2)的并联接入负电压(VSS)，第三场效应管(Q3)的栅极与负电压(VSS)相连。
2.根据权利要求1所述的一种差分放大电路，其特征在于:所述第三电阻(R3)的一端与第二场效应管(Q2)的源极相连，其另一端接地。
3.根据权利要求1所述的一种差分放大电路，其特征在于:所述第一场效应管(Ql)和第二场效应管(Q2)为P沟道增强型场效应管。
4.根据权利要求1所述的一种差分放大电路，其特征在于:所述第三场效应管(Q3)为N沟道结型场效应管。
【文档编号】H03F3/45GK103427775SQ201310384609
【公开日】2013年12月4日 申请日期:2013年8月30日 优先权日:2013年8月30日
【发明者】郁彬 申请人:昆山奥德鲁自动化技术有限公司