一种PI导热片的制作方法

本实用新型涉及一种电子导热领域，特别涉及一种pi导热片。

背景技术：

目前的导热片主要由加成型硅油树脂基体构成，内部合成有玻纤布基材，此种结构的导热片介电性能差，薄片强度低，容易变形撕裂，且由于其具有较大的厚度，因此很难在高要求的导热绝缘类电子产品中使用。

技术实现要素：

本实用新型解决的技术问题是提供一种介电性能优良,薄片强度高的一种pi导热片。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种pi导热片，包括pi层，所述pi层一侧附着有第一导热硅胶层，所述pi层另一侧附着有第二导热硅胶层。

本结构由于复合了pi层，从而提高了产品电绝缘性，同时其具有耐温，防腐蚀防辐射等优良物性。

进一步的是：所述第一导热硅胶层和第二导热硅胶层为高导热脱醇型rtv硅胶层。

进一步的是：所述第一导热硅胶层和第二导热硅胶层为高导热脱肟型rtv硅胶层。

进一步的是：所述pi层的厚度为25-75um。

进一步的是：所述pi导热片的厚度为80-300um。

本实用新型的有益效果是：

本技术：
由于复合了pi层，提高了产品电绝缘性，同时其具有耐温，防腐蚀防辐射等优良物性，此外rtv硅油体系比加成型硅油体系有更好的介电性能，因此可进一步提高了产品介电性能，另外产品强度及柔韧性比一般无基材增强导热硅胶片好，同时增加可操作性，防穿刺性，此外导热性比玻纤布增强硅胶片(矽胶布等)效果好，因此可运用于更高要求的导热绝缘类电子产品中。

附图说明

图1为pi导热片结构示意图。

图中标记为：pi层1；第一导热硅胶层2；第二导热硅胶层3。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型进一步说明。

如图1所示的一种pi导热片，包括pi层1，所述pi层1一侧附着有第一导热硅胶层2，所述pi层1另一侧附着有第二导热硅胶层3，所述第一导热硅胶层2和第二导热硅胶层3为高导热脱醇型rtv硅胶层，上述架构制造步骤为：将rtv导热胶涂布于pi膜上，固化后，表面即形成很薄的附着力极佳的导热涂层，即高导热脱醇型rtv硅胶层，上述rtv导热胶为液态，由烷氧基封端改性107硅油，不同粒径的氧化铝，碳化硅，氮化硼复合导热粉，复配部分助剂搅拌均匀并抽真空排泡密封包装制得，上述制造过程为常规制造过程，因此此处不再过多赘述。本申请由于复合了pi层1，提高了产品电绝缘性，同时其具有耐温，防腐蚀防辐射等优良物性，此外rtv硅油体系比加成型硅油体系有更好的介电性能，因此可进一步提高了产品介电性能，另外产品强度及柔韧性比一般无基材增强导热硅胶片好，同时增加可操作性，防穿刺性，此外导热性比玻纤布增强硅胶片(矽胶布等)效果好，因此可运用于更高要求的导热绝缘类电子产品中。

在上述基础上，所述第一导热硅胶层2和第二导热硅胶层3为高导热脱肟型rtv硅胶层。

在上述基础上，所述pi层1的厚度为25-75um，所述pi导热片的厚度为80-300um，此种厚度使得本高要求的导热绝缘类电子产品中使用，从而加大了本产品的使用范围。

以上所述的具体实施例，对本实用新型的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本实用新型的具体实施例而已，并不用于限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

技术特征：

1.一种pi导热片，其特征在于：包括pi层，所述pi层一侧附着有第一导热硅胶层，所述pi层另一侧附着有第二导热硅胶层，所述第一导热硅胶层和第二导热硅胶层为高导热脱醇型rtv硅胶层或高导热脱肟型rtv硅胶层。

2.如权利要求1所述的一种pi导热片，其特征在于：所述pi层的厚度为25-75um。

3.如权利要求1所述的一种pi导热片，其特征在于：所述pi导热片的厚度为80-300um。

技术总结
本实用新型涉及电子导热领域，公开了一种PI导热片，包括PI层，所述PI层一侧附着有第一导热硅胶层，所述PI层另一侧附着有第二导热硅胶层，所述第一导热硅胶层和第二导热硅胶层为高导热脱醇型RTV硅胶层，本申请由于复合了PI层，提高了产品电绝缘性，同时其具有耐温，防腐蚀防辐射等优良物性，此外RTV硅油体系比加成型硅油体系有更好的介电性能，因此可进一步提高了产品介电性能，另外产品强度及柔韧性比一般无基材增强导热硅胶片好，同时增加可操作性，防穿刺性，此外导热性比玻纤布增强硅胶片(矽胶布等)效果好，因此可运用于更高要求的导热绝缘类电子产品中。

技术研发人员：黎海涛;林秋燕;徐保
受保护的技术使用者：东莞市汉品电子有限公司
技术研发日：2019.04.26
技术公布日：2020.04.21