一种大宽带下变频组件的制作方法

本实用新型涉及变频技术领域，具体涉及一种大宽带下变频组件。

背景技术：

目前，下变频组件广泛出现在雷达、微波系统、通讯系统等的接收设备中，下变频组件接收外部的高频信号，将高频信号下变频至合适的频率，送至中频接收机进行处理。通常的下变频组件一般带宽较窄，且采用独立的限幅器、多个数控衰减器和放大器，集成度低、且器件的装配会使得组件体积较大；同时由于器件数量种类繁多，系统的可靠性低。

技术实现要素：

为了解决现有技术中存在的问题，本实用新型提供了一种大宽带下变频组件，使得下变频组件的宽带较大，且整体体积小、集成度高。

本实用新型是通过以下技术方案实现上述技术目的的。

一种大宽带下变频组件，包括依次连接的低噪声放大器a、单刀双掷开关a、下变频通道、带通滤波器a、单刀双掷开关b、低噪声放大器b和带通滤波器b；所述下变频通道包括第一路下变频通道和第二路下变频通道，第一路下变频通道中包括依次连接的开关滤波器a、混频器a、开关滤波器b和混频器b，第二路下变频通道包括依次连接的开关滤波器c、混频器c、开关滤波器d和混频器d。

进一步地，所述混频器a和混频器c均与本振a连接。

进一步地，所述混频器b和混频器d均与本振b连接。

进一步地，所述低噪声放大器a与信号输入端连接。

进一步地，所述带通滤波器b与信号输出端连接。

进一步地，所述开关滤波器包括单刀三掷开关和mems滤波器，mems滤波器并联在两单刀三掷开关之间。

本实用新型的有益效果为：本实用新型采用分段变频，使一次混频后的频率不至于太高；下变频组件的宽带较大，适用范围广；且开关滤波器采用mems滤波器，以减小组件的体积；各元器件直接使用芯片组建，集成度高。

附图说明

图1为本实用新型一种大宽带下变频组件的结构框图；

图2为本实用新型开关滤波器的结构框图。

其中：1-低噪声放大器a，2-单刀双掷开关a，3-开关滤波器a，4-混频器a，5-本振a，6-开关滤波器b，7-混频器b，8-本振b，9-开关滤波器c，10-混频器c，11-开关滤波器d，12-混频器d，13-带通滤波器a，14-单刀双掷开关b，15-低噪声放大器b，16-带通滤波器b。

具体实施方式

为了使

本技术：
实施例中的技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图对本申请的示例性实施例进行进一步详细的说明，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是所有实施例的穷举。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

如图1所示，一种大宽带下变频组件包括依次连接的低噪声放大器a、单刀双掷开关a、下变频通道、带通滤波器a、单刀双掷开关b、低噪声放大器b和带通滤波器b。其中下变频通道包括第一路下变频通道和第二路下变频通道，第一路下变频通道中包括依次连接的开关滤波器a、混频器a、开关滤波器b和混频器b，第二路下变频通道包括依次连接的开关滤波器c、混频器c、开关滤波器d和混频器d；混频器a和混频器c均与本振a连接，混频器b和混频器d均与本振b连接。图1中，低噪声放大器a与信号输入端连接，带通滤波器b与信号输出端连接。

如图2所示，本实用新型下变频组件中的开关滤波器的结构示意图，包括单刀三掷开关和mems滤波器，mems滤波器具有优异的频率选择能力和较低的插入损耗，且在体积上远小于传统微波滤波器，以减小整个组件的体积。图2中，mems滤波器并联在第一单刀三掷开关和第二单刀三掷开关之间，第一单刀三掷开关的输出端、第二单刀三掷开关的输入端分别与mems滤波器连接。

射频信号由信号输入端输入，进入低噪声放大器a进行放大，然后进入单刀双掷开关a进行分类，分成低频段射频信号和高频段射频信号。单刀双掷开关a中根据射频信号是否大于阈值f进行分类，小于阈值f的低频段射频信号经过开关滤波器a滤波后，进入混频器a，混频器a通过本振输入端接收本振a的信号，对滤波信号和本振信号进行混频，混频的信号再经过开关滤波器b进行滤波，再进入混频器b，混频器b通过本振输入端接收本振b的信号，对滤波信号和本振信号进行混频后，形成第一中频。大于阈值f的高频段射频信号经过开关滤波器c滤波后，进入混频器c，混频器c通过本振输入端接收本振a的信号，对滤波信号和本振信号进行混频，混频的信号再经过开关滤波器d进行滤波，再进入混频器d，混频器d通过本振输入端接收本振b的信号，对滤波信号和本振信号进行混频后，形成第二中频。两中频信号进入带通滤波器a，带通滤波器a对中频信号滤除干扰，然后经过单刀双掷开关b，再由低噪声放大器b进行放大，最后经带通滤波器b得到中频信号，由信号输出端输出。

具体的，所述混频器a、混频器b、混频器c和混频器d均采用chm1294-99f，降低转换损耗和本振噪声。所述低噪声放大器a、低噪声放大器b均采用swlna0012031，功耗低。

尽管已描述了本申请的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本申请范围的所有变更和修改。

显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。

技术特征：

1.一种大宽带下变频组件，其特征在于：包括依次连接的低噪声放大器a、单刀双掷开关a、下变频通道、带通滤波器a、单刀双掷开关b、低噪声放大器b和带通滤波器b；所述下变频通道包括第一路下变频通道和第二路下变频通道，第一路下变频通道中包括依次连接的开关滤波器a、混频器a、开关滤波器b和混频器b，第二路下变频通道包括依次连接的开关滤波器c、混频器c、开关滤波器d和混频器d。

2.根据权利要求1所述的大宽带下变频组件，其特征在于：所述混频器a和混频器c均与本振a连接。

3.根据权利要求1所述的大宽带下变频组件，其特征在于：所述混频器b和混频器d均与本振b连接。

4.根据权利要求1所述的大宽带下变频组件，其特征在于：所述低噪声放大器a与信号输入端连接。

5.根据权利要求1所述的大宽带下变频组件，其特征在于：所述带通滤波器b与信号输出端连接。

6.根据权利要求1所述的大宽带下变频组件，其特征在于：所述开关滤波器包括单刀三掷开关和mems滤波器，所述mems滤波器并联在两单刀三掷开关之间。

技术总结
本实用新型公开了一种大宽带下变频组件，包括低噪声放大器A、单刀双掷开关A、两路下变频通道、带通滤波器A、单刀双掷开关B、低噪声放大器B和带通滤波器B，下变频通道中包括两组连接的开关滤波器和混频器，开关滤波器由两单刀三掷开关以及并联在两单刀三掷开关之间的三个MEMS滤波器组成。本实用新型涉及的大宽带下变频组件整体体积较小，下变频组件的宽带较大，可适用范围较广。

技术研发人员：夏一生;沈喜生
受保护的技术使用者：江苏晟嘉微电子科技有限公司
技术研发日：2019.11.06
技术公布日：2020.05.29