一种改善TCXO带负载能力的晶体谐振器装置的制作方法

一种改善tcxo带负载能力的晶体谐振器装置
技术领域
1.本实用新型是一种改善tcxo带负载能力的晶体谐振器装置，属于晶体谐振器技术领域。


背景技术：

2.smd型tcxo属于高精度电子元件，在产品加工过程中需要在陶瓷基座上刷锡膏后，再贴装晶体谐振器和电容。传统的对角基座加工的晶体谐振器用于smd型tcxo后其带负载能力较差。其测试数据如下表1。
3.表1 对角基座不同负载下的室温频差
[0004][0005]
由以上数据可见传统的对角基座加工的晶体谐振器制造成的tcxo，在不同负载条件下测得的室温频差相差较大，在客户端应用时表现为频率一致性差，散差较大，影响产品合格率。在同等电气参数的情况下，为了寻求较高的良率，客户只能选择较大尺寸的smd型tcxo，或者更大尺寸的产品，故5032型smd tcxo产品的带负载能力急需待改善。


技术实现要素：

[0006]
本实用新型提出的是一种改善5032 smd型tcxo带负载能力的谐振器基座，其目的旨在克服现有5032 tcxo产品带负载能力差的问题，改善5032 tcxo 的带负载能力。
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本实用新型的技术解决方案：
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一种改善smd型tcxo带负载能力的谐振器及其基座，所述谐振器及其基座为同端谐振器和同端基座，所述谐振器和基座依次设有1#脚位、2#脚位、3#脚位、4#脚位共4个脚位，所述谐振器基座电极点设在短边同一侧的1#脚位和
[0009]
4#脚位内部，无需埋线；所述谐振器安装时装载对应的1#脚位和4#脚位。
[0010]
所述基座上设有八个pad，其中f#pad与4#脚位连接，tcxo芯片对应谐振器接入端xtal2接口bonding时与f#pad相连时，谐振器通过1#脚位、4#脚位同端方式接入电路。
[0011]
本实用新型的有益效果：
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1）采用此方法研制的smd型tcxo具有良好的带负载能力。
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2）没有新增工艺过程和工序，便于大批量生产。
附图说明
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附图1是3225 晶体谐振器同端基座结构示意图。
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附图2是3225 晶体谐振器对角基座结构示意图。
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附图3是5032 smd型tcxo结构示意图。
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附图4是tcxo基座结构示意图。
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附图中a是3225晶体谐振器、b是电容、c是陶瓷基座、1234是脚位、abcdefg是pad。
具体实施方式
[0019]
下面结合附图对本实用新型技术方案做进一步解释说明。
[0020]
3225晶体谐振器晶片的电极位于谐振器的1#脚和4#脚。在实际应用晶体谐振器的过程中，使用对角基座的晶体谐振器，需装载晶体谐振器的1#脚和3#脚；而使用同端基座的晶体谐振器，装载晶体谐振器的1#脚和4#脚。
[0021]
由于晶片的电极位于1#脚和4#脚，而实际应用时使用产品的1#脚和3#脚，所以在基座内部需埋线，如附图2所示，埋线将4#脚和3#脚连接起来；对于同端基座，晶片的电极在1#脚和4#脚，实际应用时也是使用1#脚和4#脚，故相较于对角基座，同端基座无需埋线，同端基座的内部结构如下图1所示。由于埋线在实际使用中会产生分布电容，工作过程中频率越高，干扰越大，对于小尺寸的晶体谐振器埋线对于产品的带负载能力影响很大。
[0022]
实施例1
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对照附图3、4，选用3225谐振器同端基座制造3225谐振器，将3225谐振器和电容贴装在已灌胶的陶瓷基座上，经过回流焊高温、降温冷凝。现有技术中，tcxo芯片对应谐振器接入端xtal2与bonding时与e相连时，谐振器通过1、3脚对角方式接入电路。本申请中xtal2与bonding时与f相连时，谐振器通过1、4脚同端方式接入电路（tcxo基座内部f与4相连）。
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对陶瓷基板中的芯片进行写值，检查无误后，上电测试数据如下表2。
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表2同端基座不同负载下的室温频差
[0026][0027]
对比表1与表2可见，使用同端基座谐振器加工出来tcxo产品带负载能力明显增强，50ohm到1m load变化引起的频率变化大为改善。


技术特征：
1.一种改善tcxo带负载能力的晶体谐振器装置，所述晶体谐振器装置包括晶体谐振器及其基座，其特征是所述晶体谐振器及其基座为同端谐振器和同端基座，所述晶体谐振器和基座依次设有1#脚位、2#脚位、3#脚位、4#脚位共4个脚位，所述基座的电极点设在短边同一侧的1#脚位和4#脚位内部，无需埋线；所述晶体谐振器晶片的电极位于1#脚和4#脚，安装时装载对应的1#脚位和4#脚位。2.根据权利要求1所述的一种改善tcxo带负载能力的晶体谐振器装置，其特征是所述基座上设有八个pad，其中f#pad与4#脚位连接，tcxo芯片对应谐振器接入端xtal2接口bonding时与f#pad相连时，谐振器通过1#脚位、4#脚位同端方式接入电路。

技术总结
本实用新型涉及一种改善TCXO带负载能力的晶体谐振器装置，将3225谐振器的基座改善为同端基座，区别于常用的对角基座，采用此方法研制的5032 SMD型TCXO具有较好的带负载能力，同时没有新增工艺过程和工序，便于大批量生产，具有极高的推广价值。具有极高的推广价值。具有极高的推广价值。


技术研发人员：王连生 侯丽 高志祥
受保护的技术使用者：南京中电熊猫晶体科技有限公司
技术研发日：2020.12.19
技术公布日：2022/2/8