用于具有高压竖直盘状套圈的高压连接器组件的电磁干扰(EMI)保护的方法与流程

文档序号:33953673发布日期:2023-04-26 13:41阅读:29来源:国知局
用于具有高压竖直盘状套圈的高压连接器组件的电磁干扰(EMI)保护的方法与流程


背景技术:

1、电磁干扰(emi)由于来自源的干扰、通过电磁感应、静电耦合或传导而影响电路。emi可能降低电路的性能,或者甚至可能使其停止工作。在电路包括数据路径的情况下,由于错误率相对于数据总损失的增加,emi可能影响数据路径的有效性。可以产生可能引起emi的变化的电流和电压的源可以包括例如汽车喷射系统、移动电话蜂窝网络等。因此,有必要管理emi的产生以避免由其引起的不利影响;从而最大限度地提高可能易受emi的不利影响的电路的有效性。

2、避免或减少emi的不利影响的方式包括传导、屏蔽等。通过传导的emi保护由处于物理接触的导电元件或导体之间传导emi来实现,而通过屏蔽的emi保护通过由感应(即,不存在导体的物理接触)屏蔽辐射的emi来实现。在连接器组件中,传导的emi被引导通过邻接的导电元件或导体的路径并朝向连接器组件被附接或安装到其上的设备,该设备用作接地。

3、因此,期望在本发明的高压连接器中采用的套圈的结构或结构布置可以通过覆盖相应的壳体中的孔来提供完全或基本的emi覆盖,这允许了完全覆盖在与套圈一起使用的相应的连接器壳体的开口内部,以及当套圈与线编织屏蔽件附接时,不需要二次切割,因此最小化或降低了线编织屏蔽件(接地电路)的杂散股线接触线芯(电源电路)的可能性,并且提供了宽容的卷取(take up)或公差以增强其组装方法的套圈。


技术实现思路

1、本发明涉及一种用于通过向高压连接器组件提供emi保护来减小电磁干扰(emi)的影响的方法,该高压连接器组件采用具有不同实施例的高压竖直盘状套圈。所述高压连接器组件的所述高压竖直盘状套圈是竖直(或称垂直)盘状结构;盘状结构主要由平坦表面制成,并且其外缘、边缘或竖直形状或约束不一定是圆形的或不一定具有任何圆度。高压连接器的高压竖直盘状套圈是在其中心处具有孔或开口的导电装置。孔口或孔位于线芯和线编织屏蔽件之上,线编织屏蔽件的端部固定到高压竖直盘状套圈或者固定在套圈之间,使得线编织屏蔽件的一部分张开并且基本上垂直于线芯的方向。高压竖直盘状套圈的中心处的孔口或孔在其中容纳线芯、线芯绝缘部和/或线编织屏蔽件;所述线编织屏蔽件位于所述线芯绝缘部之上。

2、高压连接器组件的竖直盘状套圈一旦固定到线编织屏蔽件上,就在芯绝缘部上朝向外绝缘体被切割(外绝缘体的垂直(或称竖直)表面)的点或位置滑动。线编织屏蔽件被推回并允许线编织屏蔽件产生抵靠竖直盘状套圈的自然弹簧力,并且线编织屏蔽件变为其已经压缩、弯叠、打褶或折叠抵靠自身的状况或状态,并且因此在推动电线时逆着套圈沿着线芯行进的方向推回(向后推动)线编织屏蔽件,以便向前推动竖直盘状套圈(朝向附接到其上的电线或端子的切割端)。该力将允许高压连接器组件的高压竖直盘状套圈或线编织屏蔽件(如果在它们之间)在使用时保持与高压连接器组件的接地结构接触,或者当作为单个高压竖直盘状套圈时,在使用时该力推动线编织屏蔽件抵靠壳体或套圈。

3、在不同的实施例中,高压连接器组件的高压竖直盘状套圈的高压盘状结构的结构布置呈现出的其可以被冲压成的任何形状的能力允许其与可能需要特定形状的相应的金属连接器壳体一起使用时提供完全或接近完全的电磁干扰(emi)覆盖,并且与可能允许emi逸出的常规套圈和常规冲压屏蔽件不同,当与电线或端子插入其中的这种相应的金属连接器壳体一起使用时,其通过覆盖电线或端子被放置在其中的孔口或孔来进一步允许很少或没有emi逸出的路径。

4、本发明的高压连接器组件的高压竖直盘状套圈还在线芯或端子(电源电路)与线编织屏蔽件或套圈(接地电路)之间提供足够的间隙,同时还通过还限制线编织屏蔽件的杂散股线接触电源电路的可能性来限制在该过程中电源电路与接地电路之间接触的可能性。



技术特征:

1.一种用于减小电磁干扰(emi)的影响以向具有至少一个竖直盘状套圈的连接器组件提供emi保护的方法,所述方法的特征在于以下步骤:

2.根据权利要求1所述的用于减小电磁干扰(emi)的影响以向具有至少一个竖直盘状套圈的连接器组件提供emi保护的方法,其特征在于,向所述连接器组件提供所述编织屏蔽件的所述步骤包括向所述线编织屏蔽件提供至少第一部分和第二部分的步骤。

3.根据权利要求2所述的用于减小电磁干扰(emi)的影响以向具有至少一个竖直盘状套圈的连接器组件提供emi保护的方法,其特征在于,其中,所述线编织屏蔽件的所述第一部分是扩口部,并且其中,所述线编织屏蔽件的所述第二部分是弯叠的、打褶的或折叠的部分。

4.根据权利要求1所述的用于减小电磁干扰(emi)的影响以向具有至少一个竖直盘状套圈的连接器组件提供emi保护的方法,其特征在于,将由至少所述金属连接器壳体产生的所述emi传导到所述至少一个竖直盘状套圈的所述步骤包括将所述emi从所述金属连接器壳体传导到两个竖直盘状套圈中的第一个的步骤。

5.根据权利要求4所述的用于减小电磁干扰(emi)的影响以向具有至少一个竖直盘状套圈的连接器组件提供emi保护的方法,其特征还在于将所述emi从所述第一盘状套圈传导到所述线编织屏蔽件的步骤。

6.根据权利要求3所述的用于减小电磁干扰(emi)的影响以向具有至少一个竖直盘状套圈的连接器组件提供emi保护的方法,其特征在于,从所述竖直盘状套圈中的所述至少一个传导所述emi的所述步骤包括将所述emi从所述竖直盘状套圈中的所述至少一个传导到所述线编织屏蔽件的所述扩口部,然后传导到所述线编织屏蔽件的所述弯叠的、打褶的或折叠的部分的步骤。

7.根据权利要求3所述的用于减小电磁干扰(emi)的影响以向具有至少一个竖直盘状套圈的连接器组件提供emi保护的方法,其特征在于,将所述emi从所述线编织屏蔽件传导到所述地的所述步骤包括将所述emi从所述线编织屏蔽件的所述弯叠的、打褶的或折叠的部分传导到所述地的步骤。

8.根据权利要求3所述的用于减小电磁干扰(emi)的影响以向具有至少一个竖直盘状套圈的连接器组件提供emi保护的方法,其特征在于,提供所述连接器组件的所述步骤包括以下步骤:将所述线编织屏蔽件的所述扩口部夹置在两个竖直盘状套圈之间,并且将所述线编织屏蔽件的所述弯叠的、打褶的或折叠的部分提供在所述竖直盘状套圈和所述电线的所述外绝缘体之间。

9.根据权利要求8所述的用于减小电磁干扰(emi)的影响以向具有至少一个竖直盘状套圈的连接器组件提供emi保护的方法,其特征在于,夹置所述线编织屏蔽件的所述扩口部的所述两个竖直盘状套圈接触或邻接所述金属连接器壳体,并且被设置在所述金属连接器壳体和所述线编织屏蔽件的所述弯叠的、打褶的或折叠的部分之间。

10.根据权利要求3所述的用于减小电磁干扰(emi)的影响以向具有至少一个竖直盘状套圈的连接器组件提供emi保护的方法,其特征在于,提供所述连接器组件的所述步骤包括以下步骤:将所述竖直盘状套圈接触或邻接到所述金属连接器壳体上,并且将所述线编织屏蔽件的所述扩口部放置在所述竖直盘状套圈和所述线编织屏蔽件的所述弯叠的、打褶的或折叠的部分之间,所述线编织屏蔽件的所述弯叠的、打褶的或折叠的部分被放置在所述线编织屏蔽件的所述扩口部和所述电线的所述外绝缘体之间。

11.一种用于减小电磁干扰(emi)的影响以向具有至少一个竖直盘状套圈的连接器组件提供emi保护的方法,所述方法的特征在于以下步骤:

12.根据权利要求10所述的用于减小电磁干扰(emi)的影响以向具有至少一个竖直盘状套圈的连接器组件提供emi保护的方法,其特征在于,所述线编织屏蔽件的所述第一部分是扩口部,并且其中,所述线编织屏蔽件的所述第二部分是弯叠的、打褶的或折叠的部分。

13.根据权利要求1所述的用于减小电磁干扰(emi)的影响以向具有至少一个竖直盘状套圈的连接器组件提供emi保护的方法,其特征还在于通过所述线编织屏蔽件提供弹簧力,以确保所述竖直盘状套圈被压靠并接触所述金属连接器壳体的步骤。

14.根据权利要求1所述的用于减小电磁干扰(emi)的影响以向具有至少一个竖直盘状套圈的连接器组件提供emi保护的方法,其特征还在于通过所述线编织屏蔽件提供弹簧力,以确保所述线编织屏蔽件的扩口部被压靠并接触所述竖直盘状套圈的步骤。

15.根据权利要求10所述的用于减小电磁干扰(emi)的影响以向具有至少一个竖直盘状套圈的连接器组件提供emi保护的方法,其特征还在于通过所述线编织屏蔽件提供弹簧力,以确保所述线编织屏蔽件的扩口部被压靠并接触所述金属连接器壳体的步骤。

16.根据权利要求10所述的用于减小电磁干扰(emi)的影响以向具有至少一个竖直盘状套圈的连接器组件提供emi保护的方法,其特征还在于通过所述线编织屏蔽件提供弹簧力,以确保所述竖直盘状套圈被压靠并接触所述线编织屏蔽件的扩口部的步骤。


技术总结
一种用于减小电磁干扰(EMI)的影响以向使用至少一个竖直盘状套圈的连接器组件提供EMI保护的方法。该方法包括以下步骤:将线屏蔽件的扩口部、第一部分提供给至少一个竖直盘状套圈,或者固定在两个所述竖直盘状套圈之间。此外,以下步骤中的一个:提供具有直接接触金属连接器壳体的表面的套圈;或者提供直接接触所述金属连接器壳体的线屏蔽件的扩口部;其中,所述EMI从所述金属连接器壳体传导到所述套圈或扩口部,进一步将所述EMI传导到所述电线屏蔽件的所述扩口部,进一步将所述EMI传导通过所述电线屏蔽件的第二部分,进一步将所述EMI传导到地;所述EMI至少由所述金属连接器壳体产生。

技术研发人员:大卫·狄马拉图斯,约书亚·泰勒
受保护的技术使用者:J.S.T.公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/11
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