半导体结构的形成方法及半导体结构与流程

本公开涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构的形成方法及半导体结构。

背景技术：

1、随着动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)集成度提高，对于动态随机存取存储器制程的控制精度的要求越来越高。

2、目前，在动态随机存取存储器制程中，位线结构侧壁覆盖隔离结构的高度无法精确控制，且刻蚀隔离结构时可能损坏位线结构侧壁，对后续制程产生极大的风险，严重影响产品的良率和可靠性。

技术实现思路

1、以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

2、本公开提供一种半导体结构的形成方法及半导体结构。

3、本公开的第一方面提供一种半导体结构的形成方法，所述形成方法包括：

4、提供初始结构，所述初始结构包括衬底以及间隔设置在所述衬底上的位线结构；

5、形成初始保护结构，所述初始保护结构至少覆盖所述位线结构的部分侧壁，所述初始保护结构在平行于所述位线结构的方向上具有第一高度；

6、形成遮挡结构，所述遮挡结构至少覆盖所述初始保护结构的部分侧壁；

7、所述遮挡结构为蚀刻选择层，至少部分去除被所述遮挡结构暴露的所述初始保护结构，形成具有第二高度的保护结构。

8、根据本公开的一些实施例，所述初始保护结构还形成在所述位线结构的顶面和所述衬底的表面，在形成所述初始保护结构之后，在形成所述遮挡结构之前，所述形成方法还包括：

9、去除覆盖所述衬底表面的所述初始保护结构和去除所述位线结构顶面的所述初始保护结构。

10、根据本公开的一些实施例，所述形成遮挡结构，包括：

11、沉积第三材料部分填充所述位线结构之间的沟槽，形成所述遮挡结构，所述遮挡结构在平行于所述位线结构的方向上具有第二高度。

12、根据本公开的一些实施例，所述以所述遮挡结构为蚀刻选择层，至少部分去除被所述遮挡结构暴露的所述初始保护结构，包括：

13、去除被所述遮挡结构暴露出的所述初始保护结构，暴露出第二高度以上的所述位线结构的侧壁。

14、根据本公开的一些实施例，所述形成方法，还包括：

15、移除所述遮挡结构，暴露出所述保护结构和所述衬底的顶面。

16、根据本公开的一些实施例，所述形成所述初始保护结构，包括：

17、沉积第一材料形成第一厚度的所述初始保护结构，所述初始保护结构覆盖所述位线结构以及所述衬底的顶面，所述初始保护结构具有第一致密度。

18、根据本公开的一些实施例，所述形成遮挡结构，包括：

19、沉积第二材料形成第二厚度的所述遮挡结构，所述遮挡结构覆盖所述初始保护结构，所述遮挡结构具有第二致密度；

20、所述第一厚度大于所述第二厚度，所述第一致密度大于所述第二致密度。

21、根据本公开的一些实施例，所述以所述遮挡结构为蚀刻选择层，至少部分去除被所述遮挡结构暴露的所述初始保护结构，包括：

22、采用第一工艺刻蚀去除所述遮挡结构以及部分所述初始保护结构，被保留的所述初始保护结构在平行于所述位线结构的方向上具有第二高度。

23、根据本公开的一些实施例，所述第一工艺对所述第二材料的刻蚀选择比大于对所述第一材料的刻蚀选择比。

24、根据本公开的一些实施例，所述第一工艺为各向异性刻蚀，以所述位线结构的延伸方向为竖直方向，以所述衬底设置方向为水平方向，所述第一工艺在竖直方向的刻蚀速度大于在水平方向的刻蚀速度。

25、根据本公开的一些实施例，所述提供初始结构包括：

26、提供衬底，所述衬底包括有源区；

27、在所述衬底上形成位线结构。

28、根据本公开的一些实施例，所述在所述衬底上形成位线结构，包括：

29、形成接触部，所述接触部与所述有源区接触；

30、形成导电部，所述导电部覆盖所述接触部的顶面；

31、形成隔离部，所述隔离部覆盖所述导电部的顶面。

32、根据本公开的一些实施例，所述保护结构至少覆盖所述接触部的侧壁和所述导电部的侧壁。

33、根据本公开的一些实施例，所述形成方法还包括：

34、形成绝缘结构，所述绝缘结构覆盖所述位线结构的顶面、所述位线结构暴露出的侧壁以及所述保护结构。

35、本公开的第二方面提供一种半导体结构，所述半导体结构包括：初始结构，所述初始结构包括衬底以及间隔设置在所述衬底上的位线结构；

36、保护结构，所述保护结构覆盖所述位线结构的部分侧壁，所述保护结构在平行于所述位线结构的方向上具有第二高度。

37、根据本公开的一些实施例，所述衬底包括有源区，所述位线结构包括依次叠置在所述衬底上的接触部、导电部和隔离部，接触部和所述衬底的有源区接触连接；

38、所述保护结构至少覆盖所述接触部的侧壁和所述导电部的侧壁。

39、根据本公开的一些实施例，所述半导体结构还包括：

40、绝缘结构，所述绝缘结构覆盖所述位线结构的顶面、所述位线结构暴露出的侧壁以及所述保护结构。

41、本公开实施例所提供的半导体结构的形成方法及半导体结构，在半导体结构的制程中，增加遮挡结构，以遮挡结构作为刻蚀选择层，通过调整刻蚀初始保护结构以及遮挡结构的刻蚀选择比实现对位线结构侧面轮廓的定义。

42、在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。

技术特征：

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始保护结构还形成在所述位线结构的顶面和所述衬底的表面，在形成所述初始保护结构之后，在形成所述遮挡结构之前，所述形成方法还包括：

3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成遮挡结构，包括：

4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述以所述遮挡结构为蚀刻选择层，至少部分去除被所述遮挡结构暴露的所述初始保护结构，包括：

5.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成方法，还包括：

6.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成所述初始保护结构，包括：

7.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成遮挡结构，包括：

8.根据权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述以所述遮挡结构为蚀刻选择层，至少部分去除被所述遮挡结构暴露的所述初始保护结构，包括：

9.根据权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一工艺对所述第二材料的刻蚀选择比大于对所述第一材料的刻蚀选择比。

10.根据权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一工艺为各向异性刻蚀，以所述位线结构的延伸方向为竖直方向，以所述衬底设置方向为水平方向，所述第一工艺在竖直方向的刻蚀速度大于在水平方向的刻蚀速度。

11.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述提供初始结构包括：

12.根据权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成位线结构，包括：

13.根据权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护结构至少覆盖所述接触部的侧壁和所述导电部的侧壁。

14.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成方法还包括：

15.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：

16.根据权利要求15所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底包括有源区，所述位线结构包括依次叠置在所述衬底上的接触部、导电部和隔离部，接触部和所述衬底的有源区接触连接；

17.根据权利要求15所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

技术总结
本公开提供了一种半导体结构的形成方法及半导体结构，半导体结构的形成方法包括，提供初始结构，初始结构包括衬底以及间隔设置在衬底上的位线结构；形成初始保护结构，初始保护结构至少覆盖位线结构的部分侧壁，初始保护结构在平行于位线结构的方向上具有第一高度；形成遮挡结构，遮挡结构至少覆盖初始保护结构的部分侧壁；遮挡结构为蚀刻选择层，至少部分去除被遮挡结构暴露的初始保护结构，形成具有第二高度的保护结构。在本公开中，在半导体结构的制程中，增加遮挡结构，以遮挡结构作为刻蚀选择层，通过调整刻蚀初始保护结构以及遮挡结构的刻蚀选择比实现对位线结构侧面轮廓的定义。

技术研发人员：杨鹏,吴公一
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12