改善光刻机硅片背面静电分布的方法与流程

1.本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种改善光刻机硅片背面静电分布的方法。


背景技术：

2.涂胶是指在集成电路、分立器件制造中对芯片表面进行涂光刻胶的一种工艺，属于光刻工序，与显影、曝光系统共同构成整个ic制造工艺过程中最关键、重复次数最多的一道工艺过程。作为大规模集成电路生产前道工序的关键工艺对于提高产品集成度和成品率有着重要影响。
3.硅片在涂胶机涂布时，背面氧化层与不导电液体摩擦，会产生静电。由于喷嘴位置固定，如图1所示，静电会在固定位置聚集，产生特殊分布。当硅片传到光刻机时，背面的静电会加速光刻机载片平台的磨损，导致固定位置出现凹坑，产生的凹坑最终会对光刻机曝光的聚焦和套刻精度产生影响。


技术实现要素：

4.针对上述情况，为了克服现有技术的缺陷，本发明提供一种改善光刻机硅片背面静电分布的方法。
5.本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题的：一种改善光刻机硅片背面静电分布的方法，其特征在于，其包括以下步骤：
6.步骤一，将静电消除器安装在光刻机预对准单元侧面；
7.步骤二，通过压缩空气将等离子风吹到硅片表面；
8.步骤三，预对准时，硅片旋转，等离子风中的正负粒子均匀的中和硅片表面电荷。
9.优选地，所述光刻机预对准单元包含一个可升降的温控平台，当硅片做预对准时，光刻机预对准温控平台会降下，露出硅片下表面。
10.优选地，所述静电消除器包括多个喷嘴，喷嘴安装在光刻机预对准温控平台侧面，调节静电消除器的喷嘴出风口角度，对准硅片下表面。
11.优选地，所述步骤二使用光刻机内部经过控温的压缩洁净空气作为气源，通过气管引入到静电消除器，使用至少一个电磁阀控制压缩空气，当压缩空气经过静电消除器时，部分会被内部的高压电极电离，压缩空气形成等离子风并从喷嘴喷出，中和硅片下表面电荷。
12.优选地，所述气管的直径为六毫米。
13.优选地，所述温控平台的侧面设有微动开关，检测和调整温控平台状态。
14.优选地，所述光刻机预对准单元做预对准时，温控平台下降，微动开关被触发闭合，驱动电磁阀导通，压缩空气形成等离子风，等离子风吹向硅片下表面，静电中和过程开始。
15.优选地，所述步骤三在预对准结束后，温控平台会上升紧贴硅片，微动开关断开，
电磁阀关闭，等离子风被关闭，静电中和过程结束。
16.优选地，硅片在做预对准时会绕其圆心旋转。
17.本发明的积极进步效果在于：本发明可减缓光刻机曝光载片台的磨损，寿命由原先的50万片提升到100万片以上。
附图说明
18.图1为现有技术涂布后硅片静电沿硅片直径方向的分布示意图。
19.图2为本发明改善光刻机硅片背面静电分布的方法的结构示意图。
20.图3为本发明涂布后硅片静电沿硅片直径方向的分布示意图。
具体实施方式
21.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
22.如图2所示，本发明改善光刻机硅片背面静电分布的方法包括以下步骤：
23.步骤一，将静电消除器安装在光刻机预对准单元侧面；光刻机预对准单元包含一个可升降的温控平台(tsu)，当硅片做预对准时，光刻机预对准温控平台会降下，露出硅片下表面。静电消除器包括多个喷嘴，喷嘴安装在光刻机预对准温控平台侧面，调节静电消除器的喷嘴出风口角度，对准硅片下表面，方便后续吹风中和。
24.步骤二，通过压缩空气将等离子风吹到硅片表面；使用光刻机内部经过控温(22℃)的压缩洁净空气作为气源，通过气管引入到静电消除器，使用至少一个电磁阀控制压缩空气，当压缩空气经过静电消除器时，部分会被内部的高压电极电离，压缩空气形成等离子风并从喷嘴喷出，中和硅片下表面电荷。其中，气管的直径为六毫米，方便通气和后续压缩。
25.步骤三，预对准时，硅片旋转，等离子风中的正负粒子均匀的中和硅片表面电荷。
26.温控平台侧面设有微动开关，检测和调整温控平台状态。光刻机预对准单元做预对准时，温控平台下降，微动开关被触发闭合，驱动电磁阀导通，压缩空气形成等离子风，等离子风吹向硅片下表面，静电中和过程开始。为找到硅片固定位置的缺口，硅片在做预对准时会绕其圆心旋转。由于静电消除器的喷嘴出风口位置固定不变，硅片在旋转过程中，等离子气流可以均匀的吹到整个硅片的下表面，整个预对准过程三秒。在预对准结束后，温控平台会上升紧贴硅片，微动开关断开，电磁阀关闭，等离子风被关闭，静电中和过程结束。如图3所示，静电的电压平均值由86.3v降低为0.4v，硅片内电压差值由20v降低为5v。
27.上述具体实施方式为本发明的优选实施例，并不能对本发明进行限定，其他的任何未背离本发明的技术方案而所做的改变或其它等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。


技术特征：
1.一种改善光刻机硅片背面静电分布的方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤一，将静电消除器安装在光刻机预对准单元侧面；步骤二，通过压缩空气将等离子风吹到硅片表面；步骤三，预对准时，硅片旋转，等离子风中的正负粒子均匀的中和硅片表面电荷。2.如权利要求1所述的改善光刻机硅片背面静电分布的方法，其特征在于，所述光刻机预对准单元包含一个可升降的温控平台，当硅片做预对准时，光刻机预对准温控平台会降下，露出硅片下表面。3.如权利要求2所述的改善光刻机硅片背面静电分布的方法，其特征在于，所述静电消除器包括多个喷嘴，喷嘴安装在光刻机预对准温控平台侧面，调节静电消除器的喷嘴出风口角度，对准硅片下表面。4.如权利要求3所述的改善光刻机硅片背面静电分布的方法，其特征在于，所述步骤二使用光刻机内部经过控温的压缩洁净空气作为气源，通过气管引入到静电消除器，使用至少一个电磁阀控制压缩空气，当压缩空气经过静电消除器时，部分会被内部的高压电极电离，压缩空气形成等离子风并从喷嘴喷出，中和硅片下表面电荷。5.如权利要求4所述的改善光刻机硅片背面静电分布的方法，其特征在于，所述气管的直径为六毫米。6.如权利要求5所述的改善光刻机硅片背面静电分布的方法，其特征在于，所述温控平台的侧面设有微动开关，检测和调整温控平台状态。7.如权利要求6所述的改善光刻机硅片背面静电分布的方法，其特征在于，所述光刻机预对准单元做预对准时，温控平台下降，微动开关被触发闭合，驱动电磁阀导通，压缩空气形成等离子风，等离子风吹向硅片下表面，静电中和过程开始。8.如权利要求6所述的改善光刻机硅片背面静电分布的方法，其特征在于，所述步骤三在预对准结束后，温控平台会上升紧贴硅片，微动开关断开，电磁阀关闭，等离子风被关闭，静电中和过程结束。9.如权利要求1所述的改善光刻机硅片背面静电分布的方法，其特征在于，所述硅片在做预对准时会绕其圆心旋转。

技术总结
本发明公开了一种改善光刻机硅片背面静电分布的方法，其包括以下步骤：步骤一，将静电消除器安装在光刻机预对准单元侧面；步骤二，通过压缩空气将等离子风吹到硅片表面；步骤三，预对准时，硅片旋转，等离子风中的正负粒子均匀的中和硅片表面电荷。本发明可减缓光刻机曝光载片台的磨损。曝光载片台的磨损。曝光载片台的磨损。


技术研发人员：吴海华 高中原
受保护的技术使用者：华虹半导体（无锡）有限公司
技术研发日：2021.11.15
技术公布日：2022/2/6