光电器件的处理方法及光电装置与流程

本申请涉及光电器件领域，具体涉及一种光电器件的处理方法及光电装置。

背景技术：

1、光电器件是基于有机或无机材料的半导体器件，在新能源、传感、通信、显示、照明等领域具有广泛的应用。

2、qled(quantum dots light-emitting diode，量子点发光二极管)是一种新兴的光电器件，结构与oled(organic light-emitting diode，有机发光显示器)相似，即空穴传输层、发光层以及电子传输层组成的三明治结构，这是一项介于液晶和oled之间的新型技术，qled核心技术为“quantum dot(量子点)”，量子点由锌、镉、硒和硫原子构成，是一种粒子直径不足10nm的颗粒，由锌、镉、硫、硒原子组成。这种物质有一个极其特别的性质：当量子点受到光电刺激时，就会发出有色的光线，颜色是由组成量子点的材料和它的大小、形状决定。因为它有这种特性，所以能够改变光源发出的光线的颜色。量子点的发光波长范围非常窄，颜色又比较的纯粹，还可以调节，因此量子点显示器的画面会比液晶显示器的画面更加的清晰明亮。

3、然而，以qled为例的光电器件，在研发过程中依旧存在着很多问题。例如在实验开发或工业生产中，空穴注入层、空穴传输层、发光层以及电子传输层在制备时存在成膜性不佳的问题。

技术实现思路

1、本申请提供一种光电器件的处理方法及光电装置，旨在提高光电器件的性能。

2、本申请实施例提供一种光电器件的处理方法，所述方法包括：提供一光电器件的膜层，利用液态二氧化碳，和/或，固态二氧化碳处理所述膜层表面。

3、可选的，所述利用液态二氧化碳处理所述膜层表面，包括：利用液态二氧化碳对所述膜层进行涂覆或浸泡，然后静置至二氧化碳气化挥发。

4、可选的，所述利用固态二氧化碳处理所述膜层表面，包括：将固态二氧化碳喷射至所述膜层表面，使所述固态二氧化碳的颗粒冲击所述膜层的表面。

5、可选的，所述将固态二氧化碳喷射至所述膜层表面，使所述固态二氧化碳的颗粒冲击所述膜层的表面，包括：将高压二氧化碳气体从喷嘴喷出，喷射出的高压二氧化碳气体在空气中转变为固态的二氧化碳并冲击所述膜层的表面。

6、可选的，在所述固态二氧化碳的颗粒冲击所述膜层的表面的过程中，还对所述膜层进行超声处理。

7、可选的，在所述超声处理的过程中，超声波频率为200khz至250khz，和/或，超声波垂直作用于所述膜层，和/或，超声处理的时间为15s至30s。

8、可选的，所述固态二氧化碳颗粒的直径为0.1μm至1μm。

9、可选的，所述光电器件的膜层的制备过程中，利用到有机溶剂。

10、相应的，本申请还提供一种光电装置，包括光电器件，所述光电器件的膜层是经过利用液态二氧化碳，和/或，固态二氧化碳处理所述膜层表面所得到的膜层，所述膜层为阳极、空穴传输层、空穴注入层、发光层或电子传输层中的至少一层。

11、可选的，所述阳极材料选自：金属或非金属材料、掺杂或未经掺杂的金属氧化物；所述金属或非金属材料选自镍、铂、金、银、铱或碳纳米管中的至少一种，所述掺杂的或未经掺杂的金属氧化物选自氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟锡锌、氧化铟铜、氧化锡、氧化铟、镉:氧化锌、氟:氧化锡、铟:氧化锌、镓:氧化锡或锌:氧化铝中的至少一种；和/或，

12、所述发光层材料包括：ii-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的至少一种，所述ii-vi族化合物选自cdse、cds、cdte、znse、zns、cdte、znte、cdzns、cdznse、cdznte、znses、znsete、zntes、cdses、cdsete、cdtes；cdznses、cdznsete和cdznste中的至少一种；所述iii-v族化合物选自inp、inas、gap、gaas、gasb、aln、alp、inasp、innp、innsb、gaalnp和inalnp中的至少一种；所述i-iii-vi族化合物选自cuins2、cuinse2及agins2中的至少一种，和/或，

13、所述空穴注入层材料包括：pedot:pss、cupc、f4-tcnq、hatcn、过渡金属氧化物及过渡金属硫系化合物中的至少一种，和/或，

14、所述空穴传输层材料包括：聚(9,9-二辛基芴-co-n-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚乙烯咔唑、聚(n,n'双(4-丁基苯基)-n,n'-双(苯基)联苯胺)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-n,n-苯基-1,4-苯二胺)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)联苯、n,n’-二苯基-n,n’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺、15n,n’-二苯基-n,n’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺、石墨烯、c60中的至少一种，和/或，

15、所述电子传输层材料包括：zno、tio2、sno2、ta2o3、zro2、nio、tilio、znalo、znmgo、znsno、znlio及insno中的至少一种。

16、有益效果：

17、本申请利用液态二氧化碳，和/或，固态二氧化碳对光电器件的膜层表面进行处理，以去除膜层在制备过程中表面的残留有机物以及颗粒杂质，在液态和固态二氧化碳挥发后会带走有机物且不会有额外的杂质残留，如此可提高后制备的膜层的成膜性，从而提高器件的性能；此外，本申请是利用低温状态的液态和固态二氧化碳对膜层表面进行处理，避免使用高温快速热退火来去除杂质的方法，防止高温对器件产生的不利的影响。

技术特征：

1.一种光电器件处理方法，其特征在于，所述方法包括：提供一光电器件的膜层，利用液态二氧化碳，和/或，固态二氧化碳处理所述膜层表面。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用液态二氧化碳处理所述膜层表面，包括：利用液态二氧化碳对所述膜层进行涂覆或浸泡，然后静置至二氧化碳气化挥发。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用固态二氧化碳处理所述膜层表面，包括：将固态二氧化碳喷射至所述膜层表面，使所述固态二氧化碳的颗粒冲击所述膜层的表面。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述将固态二氧化碳喷射至所述膜层表面，使所述固态二氧化碳的颗粒冲击所述膜层的表面，包括：将二氧化碳气体从喷嘴喷出，喷射出的二氧化碳气体在空气中转变为固态的二氧化碳并冲击所述膜层的表面。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述固态二氧化碳的颗粒冲击所述膜层的表面的过程中，还对所述膜层进行超声处理。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述超声处理的过程中，超声波频率为200khz至250khz，和/或，超声波垂直作用于所述膜层，和/或，超声处理的时间为15s至30s。

7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述固态二氧化碳颗粒的直径为0.1μm至1μm。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述光电器件的膜层的制备过程中，利用到有机溶剂。

9.一种光电装置，其特征在于，包括光电器件，所述光电器件的膜层是经过利用液态二氧化碳，和/或，固态二氧化碳处理所述膜层表面所得到的膜层，所述膜层为阳极、空穴传输层、空穴注入层、发光层或电子传输层中的至少一层。

10.根据权利要求9所述的光电装置，其特征在于，

技术总结
本申请提供一种光电器件处理方法及光电装置，利用液态，和/或，固态二氧化碳去除光电器件膜层在制备过程中表面的残留有机物以及杂质，在液态和固态二氧化碳挥发后会带走有机物且不会有额外的杂质残留，提高后制备的膜层的成膜性，从而提高器件的性能。

技术研发人员：敖资通,张建新,严怡然,洪佳婷,杨帆,莫新娣
受保护的技术使用者：TCL科技集团股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13