半导体结构的形成方法与流程

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。

背景技术：

1、随着超大规模集成电路的发展趋势，集成电路特征尺寸持续减小，人们对 集成电路的封装技术的要求相应也不断提高。现有的封装技术包括球栅阵列封 装(ball gridarray，bga)、芯片尺寸封装(chip scale package，csp)、晶圆级封 装(wafer levelpackage，wlp)、三维封装(3d)和系统封装(sip)等。

2、在进行封装的整个工艺流程中，集成电路中包含巨大数量的半导体元件。 随着半导体器件制造技术的进一步发展，半导体器件之间的高性能、高密度连 接不仅在单个互连层中进行，而且要在多层之间进行互连。

技术实现思路

1、本发明实施例解决的问题是提供一种半导体结构的形成方法，有利于提高 半导体结构的性能。

2、为解决上述问题，本发明实施例还提供一种半导体结构的形成方法，包括： 提供衬底，所述衬底包括工作区和互连区，所述工作区的所述衬底上形成有器 件结构；在所述器件结构的顶部、以及所述互连区的所述衬底的顶部形成互连 层，所述互连区的互连层与所述器件结构电连接；在所述互连区的所述互连层 的顶部形成保护层；形成所述保护层之后，去除所述器件结构顶部的所述互连 层；去除所述器件结构顶部的所述互连层之后，去除所述保护层。

3、与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：

4、本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法，在所述互连区的所述互连 层的顶部形成保护层，所述保护层能对所述互连区的互连层的顶面起到保护作 用，在后续去除所述器件结构顶部的互连层的工艺过程中，所述保护层使得所 述互连层的顶面不易与相关湿法工艺所采用的溶液相接触，相应的，也就降低 了在所述互连层的顶面出现聚集析出现象的概率，同时，也降低了在互连层中 出现空洞的概率，从而提高了所述互连层顶面形貌的完整性，进而提高了所述 半导体结构的性能，同时，通过后续对工作区进行减薄处理的工艺中去除保护 层，简化了工艺流程。

技术特征：

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述器件结构顶部的所述互连层的步骤包括：在所述互连区的所述保护层的顶部形成掩膜层；以所述掩膜层为掩膜，去除所述器件结构顶部的所述互连层；去除所述器件结构顶部的所述互连层之后，去除所述掩膜层。

3.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述互连区的所述互连层的顶部形成保护层的步骤中，所述保护层还形成在所述工作区的所述互连层的顶部；

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺，去除所述保护层。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述提供衬底的步骤中，所述器件结构的顶部还形成有钝化层；

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成方法还包括：进行钝化层减薄处理，去除部分厚度的所述钝化层；

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述钝化层减薄处理的步骤包括：以无掩膜方式，刻蚀所述保护层和钝化层。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述器件结构顶部的所述互连层的工艺包括干法刻蚀工艺。

9.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的材料包括光刻胶、旋涂碳和旋涂玻璃中的一种或多种。

10.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述掩膜层的工艺包括湿法工艺或者干法刻蚀工艺。

11.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，进行钝化层减薄处理的步骤中，去除的所述钝化层的厚度与去除的所述保护层的厚度比值为850：800至1200：1000。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述保护层的步骤中，所述保护层的厚度为100埃至1000埃。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为钛、氮化钛、氮化铝和钼中的一种或多种。

14.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述钝化层的材料为氮化硅、氧化硅和磷硅玻璃中的一种或多种。

15.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述互连层的材料包括cu、alcu合金、au和sncu合金中的一种或多种。

16.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述器件结构包括smr、fbar和saw滤波器中的一种或多种。

技术总结
一种半导体结构的形成方法，形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括工作区和互连区，所述工作区的所述衬底上形成有器件结构；在所述器件结构的顶部、以及所述互连区的所述衬底的顶部形成互连层，所述互连区的互连层与所述器件结构电连接；在所述互连区的所述互连层的顶部形成保护层；形成所述保护层之后，去除所述器件结构顶部的所述互连层；去除所述器件结构顶部的所述互连层之后，去除所述保护层。所述保护层降低了在所述互连层的顶面出现聚集析出现象的概率，同时，也降低了在互连层中出现空洞的概率，从而提高了所述互连层顶面形貌的完整性，进而提高了所述半导体结构的性能。

技术研发人员：时亚南,齐飞
受保护的技术使用者：中芯集成电路（宁波）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12