1.本实用新型涉及mosfet管子的输出防倒灌电路保护技术领域，具体为一种场效应管防倒灌保护电路。
背景技术：
2.在常规的dc/dc电源变换器的28v或270v输出端无防倒灌电路，在后级负载出现电流波动或电压波动时，会造成主功率电路的损坏，增加基于mosfet管子的防倒灌电路可避免产品的损坏。为此需做出改进，提出一种场效应管防倒灌保护电路。
技术实现要素：
3.为了解决上述技术问题，本实用新型提供了如下的技术方案：
4.本实用新型一种场效应管防倒灌保护电路，包括输出防倒灌电路、n沟道场效应管和控制主功率驱动芯片，所述输出防倒灌电路内部设置有输出防倒灌mosfet模块，所述输出防倒灌电路内部设置有drv模块，所述n沟道场效应管内部设置有n沟道mosfet模块，所述控制主功率驱动芯片内部设置有驱动型号drv模块。
5.作为本实用新型的一种优选技术方案，所述输出防倒灌电路与输出防倒灌mosfet模块电性连接，所述输出防倒灌电路与drv模块电性连接。
6.作为本实用新型的一种优选技术方案，所述输出防倒灌mosfet模块与drv模块电性连接，所述输出防倒灌电路设置有正端模块和负端模块，所述输出防倒灌mosfet模块电性连接有ds模块。
7.作为本实用新型的一种优选技术方案，所述n沟道场效应管与n沟道mosfet模块电性连接，所述n沟道mosfet模块与控制主功率驱动芯片电性连接。
8.作为本实用新型的一种优选技术方案，所述控制主功率驱动芯片与drv模块电性连接，所述控制主功率驱动芯片与驱动型号drv模块电性连接。
9.作为本实用新型的一种优选技术方案，所述输出防倒灌电路内部设置有电路保护模块和电源保护模块。
10.本实用新型的有益效果是：本技术的目的是为了提供一种保护作用，它与现有技术相比，能使产品的输出端后级负载的电压电流出现波动时，在输出电压电路快速采集到输出电压，反馈给主功率芯片，进而通过主功率芯片发出的驱动信号断开mosfet管断开输出端的正线或负线，防止倒灌进入主功率电路造成更大的损坏。
附图说明
11.附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。在附图中：
12.图1是本实用新型一种场效应管防倒灌保护电路的主体图；
13.图2是本实用新型一种场效应管防倒灌保护电路的局部放大图；
14.图3是本实用新型一种场效应管防倒灌保护电路的部分放大图。
具体实施方式
15.以下结合附图对本实用新型的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
16.实施例：如图1-3所示，本实用新型一种场效应管防倒灌保护电路，包括输出防倒灌电路、n沟道场效应管和控制主功率驱动芯片，输出防倒灌电路内部设置有输出防倒灌mosfet模块，输出防倒灌电路内部设置有drv模块，n沟道场效应管内部设置有n沟道mosfet模块，控制主功率驱动芯片内部设置有驱动型号drv模块。
17.其中，输出防倒灌电路与输出防倒灌mosfet模块电性连接，输出防倒灌电路与drv模块电性连接。
18.其中，输出防倒灌mosfet模块与drv模块电性连接，输出防倒灌电路设置有正端模块和负端模块，输出防倒灌mosfet模块电性连接有ds模块。
19.其中，n沟道场效应管与n沟道mosfet模块电性连接，n沟道mosfet模块与控制主功率驱动芯片电性连接。
20.其中，控制主功率驱动芯片与drv模块电性连接，控制主功率驱动芯片与驱动型号drv模块电性连接。
21.其中，输出防倒灌电路内部设置有电路保护模块和电源保护模块。
22.工作原理：该种基于mosfet管子的输出防倒灌电路保护技术，区别于现有的技术，结构合理，使用方便，操作简单，能够让使用者简单明了的理解工作原理；使用时，输出端防电流倒灌电路，主要由n沟道场效应管和控制主功率驱动芯片组成，正常情况下，来自主功率驱动芯片的驱动信号drv控制n沟道mosfet导通，当另外模块输出过压情况下或自身模块输出欠压情况下或后级负载不稳定情况下，在输出电压电路快速采集到输出电压，反馈给主功率芯片，主功率芯片发出drv信号控制n沟道场效应关断，输出防倒灌电路放置在产品输出正端或负端，起到二极管的作用。空载时，驱动信号为高，mosfet处于放大区，随着负载的加大，drv逐渐加大，mosfet开通趋与向饱和，完全导通时，压降为输出电流乘以ds间的导通阻抗。当输出电压大于额定输出或低于额定输出时，drv信号为低电平，mosfet处于完全截止状态，体二极管起到隔离的作用，输出防倒灌的mosfet与同步整流管的型号一致，电流能力足够，同时驱动需要增加一组辅助供电，以mosfet的s极为地，由于输出防倒灌mosfet仅起到开通和关闭的作用，在模块工作时仅开通1次，没有处于高频开关状态，且mosfet驱动drv为线性放大，不会发生拍合的现象，可靠性强。
23.最后应说明的是：在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“竖直”、“上”、“下”、“水平”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
24.在本实用新型的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情
况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
25.以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
技术特征：
1.一种场效应管防倒灌保护电路，包括输出防倒灌电路、n沟道场效应管和控制主功率驱动芯片，其特征在于，所述输出防倒灌电路内部设置有输出防倒灌mosfet模块，所述输出防倒灌电路内部设置有drv模块，所述n沟道场效应管内部设置有n沟道mosfet模块，所述控制主功率驱动芯片内部设置有驱动型号drv模块。2.根据权利要求1所述的一种场效应管防倒灌保护电路，其特征在于，所述输出防倒灌电路与输出防倒灌mosfet模块电性连接，所述输出防倒灌电路与drv模块电性连接。3.根据权利要求1所述的一种场效应管防倒灌保护电路，其特征在于，所述输出防倒灌mosfet模块与drv模块电性连接，所述输出防倒灌电路设置有正端模块和负端模块，所述输出防倒灌mosfet模块电性连接有ds模块。4.根据权利要求1所述的一种场效应管防倒灌保护电路，其特征在于，所述n沟道场效应管与n沟道mosfet模块电性连接，所述n沟道mosfet模块与控制主功率驱动芯片电性连接。5.根据权利要求1所述的一种场效应管防倒灌保护电路，其特征在于，所述控制主功率驱动芯片与drv模块电性连接，所述控制主功率驱动芯片与驱动型号drv模块电性连接。6.根据权利要求1所述的一种场效应管防倒灌保护电路，其特征在于，所述输出防倒灌电路内部设置有电路保护模块和电源保护模块。
技术总结
本实用新型公开了一种场效应管防倒灌保护电路，包括输出防倒灌电路、N沟道场效应管和控制主功率驱动芯片，所述输出防倒灌电路内部设置有输出防倒灌MOSFET模块，所述输出防倒灌电路内部设置有DRV模块，所述N沟道场效应管内部设置有N沟道MOSFET模块，所述控制主功率驱动芯片内部设置有驱动型号DRV模块。该种基于MOSFET管子的输出防倒灌电路保护技术，通过主功率芯片发出的驱动信号断开MOSFET管断开输出端的正线或负线，防止倒灌进入主功率电路造成更大的损坏。成更大的损坏。成更大的损坏。
技术研发人员：刘运录 杜俊 唐宝
受保护的技术使用者：贵阳航空电机有限公司
技术研发日：2021.08.03
技术公布日：2022/1/21