一种P波段后置放大器的制作方法

一种p波段后置放大器
技术领域
1.本实用新型涉及放大器技术领域，具体涉及一种p波段后置放大器。


背景技术：

2.随着现代卫星通信技术的快速发展，p波段电磁环境越来越复杂，对功率的精度要求越来越高。现代通信中，电磁干扰越来越成为一个重要的问题，通过控制功率的输出可在保证通信质量的情况下，减小电磁之间的相互干扰。在现代通信中，功率的大小可控制通信的传输距离，我们可以在保证通信质量的情况下，最大程度的通过控制功率来达到通信调节的需求，因此可控的高精度放大电路对于减少电磁干扰，提高通信质量至关重要。因此针对以上问题提供一种p波段后置放大器具有重要意义。


技术实现要素：

3.本实用新型的目的在于提供一种p波段后置放大器，以解决上述背景技术中所提出的问题。
4.为解决上述技术问题，本实用新型采用了以下方案：
5.一种p波段后置放大器，包括第一电阻衰减器，所述第一电阻衰减器与第一放大器、第二电阻衰减器、第二放大器、第三电阻衰减器、第一温补衰减器、第三放大器、第四电阻衰减器、第二温补衰减器、第四放大器、第五电阻衰减器依次串联。
6.优选地，所述第一温补衰减器和第二温补衰减器为砷化镓温补衰减器。
7.优选地，所述第一电阻衰减器连接输入接口。
8.优选地，所述第五电阻衰减器连接输出接口。
9.优选地，所述输入接口采用sma-k型号。
10.优选地，所述输出接口采用sma-k型号。
11.优选地，所述输入端的驻波比小于等于2.0。
12.优选地，所述输出端的驻波比小于等于1.5。
13.优选地，所述第一电阻衰减器、第二电阻衰减器、第三电阻衰减器、第四电阻衰减器和第五电阻衰减器均采用pi型，电阻衰减器的电阻值根据衰减量和阻抗匹配来确定。
14.本实用新型具有的有益效果：
15.1、本实用新型的放大器电路结构简单、实现方便；
16.2、通过衰减器来调节不同衰减量，衰减范围可调、衰减精度高、稳定性好，应用范围更广；
17.3、该放大器功率控制精度高、增加高、稳定性好。
附图说明
18.图1为本实用新型的电路原理框图。
具体实施方式
19.下面结合实施例及附图，对本实用新型作进一步的详细说明，但本实用新型的实施方式不限于此。
20.在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖向”、“纵向”、“侧向”、“水平”、“内”、“外”、“前”、“后”、“顶”、“底”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该实用新型产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
21.在本实用新型的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“开有”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
22.实施例
23.一种p波段后置放大器，包括第一电阻衰减器，所述第一电阻衰减器与第一放大器、第二电阻衰减器、第二放大器、第三电阻衰减器、第一温补衰减器、第三放大器、第四电阻衰减器、第二温补衰减器、第四放大器、第五电阻衰减器依次串联。所述第一电阻衰减器、第二电阻衰减器、第三电阻衰减器、第四电阻衰减器和第五电阻衰减器均采用pi型，电阻衰减器的电阻值根据衰减量和阻抗匹配来确定。所述第一温补衰减器和第二温补衰减器为砷化镓温补衰减器。所述第一电阻衰减器连接输入接口，输入接口采用sma-k型号。所述第五电阻衰减器连接输出接口，输出接口采用sma-k型号。所述输入端的驻波比小于等于2.0，所述输出端的驻波比小于等于1.5。
24.通过电阻衰减器控制衰减量来控制增益，增加放大器的工作范围，放大器是实现小信号的放大，从而达到末级功率放大器所需的输入功率，本电路所用温补衰减器是集成在一个芯片里面，其外形尺寸小，易于装配，衰减精度高，稳定性好；第一温补衰减器和第二温补衰减器为均是由集成在砷化镓芯片构成，利用其在其高增益性能，输出功率大的特点，可以很好地实现本电路的高增益，高功率的指标。该电路小信号增益高，输出功率大，并且输出功率可控的作用。使得电路的性能得到了进一步提高。
25.本放大器的主要技术指标如下表所示：
[0026][0027]
以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，依据本实用新型的技术实质，在本实用新型的精神和原则之内，对以上实施例所作的任何简单的修改、等同替换与改进等，均仍属于本实用新型技术方案的保护范围之内。


技术特征：
1.一种p波段后置放大器，其特征在于：包括第一电阻衰减器，所述第一电阻衰减器与第一放大器、第二电阻衰减器、第二放大器、第三电阻衰减器、第一温补衰减器、第三放大器、第四电阻衰减器、第二温补衰减器、第四放大器、第五电阻衰减器依次串联。2.根据权利要求1所述的一种p波段后置放大器，其特征在于：所述第一温补衰减器和第二温补衰减器为砷化镓温补衰减器。3.根据权利要求1所述的一种p波段后置放大器，其特征在于：所述第一电阻衰减器与输入端连接。4.根据权利要求1所述的一种p波段后置放大器，其特征在于：所述第五电阻衰减器与输出端连接。5.根据权利要求3所述的一种p波段后置放大器，其特征在于：所述输入端接口采用sma-k型号。6.根据权利要求4所述的一种p波段后置放大器，其特征在于：所述输出端接口采用sma-k型号。7.根据权利要求3所述的一种p波段后置放大器，其特征在于：所述输入端的驻波比小于等于2.0。8.根据权利要求4所述的一种p波段后置放大器，其特征在于：所述输出端的驻波比小于等于1.5。9.根据权利要求1所述的一种p波段后置放大器，其特征在于：所述第一电阻衰减器、第二电阻衰减器、第三电阻衰减器、第四电阻衰减器和第五电阻衰减器均采用pi型。

技术总结
本实用新型公开了一种P波段后置放大器，包括第一电阻衰减器，所述第一电阻衰减器与第一放大器、第二电阻衰减器、第二放大器、第三电阻衰减器、第一温补衰减器、第三放大器、第四电阻衰减器、第二温补衰减器、第四放大器、第五电阻衰减器依次串联。本实用新型的放大电路结构简单、实现方便，通过衰减器来调节不同衰减量，衰减范围可调、衰减精度高、稳定性好，应用范围更广，该放大器功率控制精度高、增加高、稳定性好。好。好。


技术研发人员：黄俊淮 宋崇刚
受保护的技术使用者：成都金武科技有限公司
技术研发日：2021.11.19
技术公布日：2022/5/10