用于翘曲校正的方法和设备与流程

本公开内容的实施例总体上涉及用于处理基板的方法和设备，并且更具体地，涉及配置用于在(例如，用于翘曲校正的)处理期间控制基板温度的方法和设备。

背景技术：

1、随着技术的快速发展，微芯片有增加的趋势变得越来越小，但在密集的集成电路中封装越来越多的晶体管，例如由于对更小的占地面积的需求。生产线可以包括一个或多个生产线前端(feol)和生产线后端(beol)工艺，诸如物理气相沉积(pvd)、化学气相沉积(cvd)、光刻、固化、成型(例如，对于扇出晶片级封装(fowlp)和集成扇出(info)两者)、翘曲校正等。此类工艺通常在相对较高的温度下发生以促进化学反应，以实现例如基板结构的改变、薄膜生长和材料去除，从而提供更稳健的基板。

2、因此，在此类高温工艺期间，基板的热管理是必不可少的，以避免可能在微观层面发生的缺陷，从而影响整体良率。例如，由于等离子体处理温度可能高于200℃，因此基板的热管理可以在实现可接受的接触电阻(rc)方面发挥关键作用。此外，基板的热管理对于防止(例如由于热膨胀系数(cte)不匹配而导致的)基板翘曲和介电膜的缺陷产生至关重要，基板翘曲会使应力水平增加，介电膜的缺陷产生会使器件性能退化。此外，无法控制整个基板上的温度梯度会使基板发生塑性变形，因为应力水平可能超过临界极限，进而会导致图案错误配准、图案错误配准，并最终导致器件故障。

3、被配置用于在上述工艺中的一个或多个工艺中对基板进行热管理的常规方法/设备可以包括用于冷却基板的压缩机、低温泵、冷却器等。然而，此类方法/设备包括许多移动部件，这些移动部件有时可能具有旋转和/或振动问题、相对较大、具有相对较长或延长的冷却周期、并且不能提供足够或精确的温度控制。

技术实现思路

1、本文提供了用于处理基板的方法和设备。在一些实施例中，设备可包括一种用于处理基板的系统，所述系统包括：处理腔室，所述处理腔室包括第一处理空间与第二处理空间；载体，所述载体设置在第一处理空间中，所述载体包括第一热电模块(tem)，并且所述载体被配置成在基板被加热或冷却时支撑基板；以及吸盘，所述吸盘设置在第二处理空间中，所述吸盘包括第二tem，并且所述吸盘被配置成从载体接收基板并在基板被加热或冷却时支撑基板；以及系统控制器，所述系统控制器被配置成在操作期间监测基板、载体或吸盘中的至少一者的温度，并基于基板、载体或吸盘中的至少一者的温度来供应电流至第一tem或第二tem中的至少一者。

2、根据本公开内容的至少一些实施例，一种处理基板的方法包括以下步骤：将基板定位在设置在第一处理空间中的载体或设置在第二处理空间内的吸盘中的至少一者上，载体包括第一热电模块(tem)，吸盘包括第二tem；以及在操作期间监测基板、载体或吸盘中的至少一者的温度，并基于基板、载体或吸盘中的至少一者的温度来供应电流至第一tem或第二tem中的至少一者。

3、根据本公开内容的至少一些实施例，一种非瞬时性计算机可读存储介质，其上存储有指令，所述指令在由处理器执行时执行处理基板的方法，所述方法包括以下步骤：将基板定位在设置在第一处理空间中的载体或设置在第二处理空间内的吸盘中的至少一者上，载体包括第一热电模块(tem)，吸盘包括第二tem；以及在操作期间监测基板、载体或吸盘中的至少一者的温度，并基于基板、载体或吸盘中的至少一者的温度来供应电流至第一tem或第二tem中的至少一者。

4、下面进一步说明本公开内容的其他与进一步的实施例。

技术特征：

1.一种用于处理基板的系统，包括：

2.如权利要求1所述的系统，其中所述第一tem与所述第二tem中的每一者包括多个p型掺杂和n型掺杂的半导体元件。

3.如权利要求1或2中的任一项所述的系统，其中所述多个p型掺杂和n型掺杂的半导体元件以阵列布置，其中所述p型掺杂和n型掺杂的半导体元件彼此串联电连接并且彼此并联热连接。

4.如权利要求2所述的系统，其中所述第一tem与所述第二tem中的每一者包括两个陶瓷基板，所述多个p型掺杂和n型掺杂的半导体元件被设置在所述两个陶瓷基板之间并且被连接至电互连件，所述电互连件连接至所述两个陶瓷基板。

5.如权利要求1、2或4中的任一项所述的系统，其中所述第一tem与所述第二tem中的每一者经由所述电互连件连接至电源。

6.如权利要求1所述的系统，进一步包括多个第一tem与第二tem，所述多个第一tem与第二tem各自以阵列设置在所述载体与所述吸盘上。

7.如权利要求1、2、4或6中的任一项所述的系统，其中所述载体与所述吸盘中的每一者包括多个通道，所述多个通道被配置成接收冷却剂以用于冷却所述基板。

8.一种处理基板的方法，所述方法包括以下步骤：

9.如权利要求8所述的方法，其中所述第一tem与所述第二tem中的每一者包括多个p型掺杂和n型掺杂的半导体元件。

10.如权利要求8或9中的任一项所述的方法，其中所述多个p型掺杂和n型掺杂的半导体元件以阵列布置，其中所述p型掺杂和n型掺杂的半导体元件彼此串联电连接并且彼此并联热连接。

11.如权利要求8所述的方法，其中所述第一tem与所述第二tem中的每一者包括两个陶瓷基板，所述多个p型掺杂和n型掺杂的半导体元件被设置在所述两个陶瓷基板之间并且被连接至电互连件，所述电互连件连接至所述两个陶瓷基板。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述第一tem与所述第二tem中的每一者经由所述电互连件连接至电源。

13.如权利要求12所述的方法，进一步包括多个第一tem与第二tem，所述多个第一tem与第二tem各自分别以阵列设置在所述载体与所述吸盘上，并且所述方法进一步包括以下步骤中的至少一个步骤：

14.如权利要求8、9或11至13中的任一项所述的方法，进一步包括提供冷却剂至所述载体或所述吸盘中的至少一者上的多个通道。

15.一种非瞬时性计算机可读存储介质，其上存储有指令，所述指令在由处理器执行时执行处理基板的方法，所述方法包括以下步骤：

16.如权利要求15所述的非瞬时性计算机可读存储介质，其中所述第一tem与所述第二tem中的每一者包括多个p型掺杂和n型掺杂的半导体元件。

17.如权利要求15或16中的任一项所述的非瞬时性计算机可读存储介质，其中所述多个p型掺杂和n型掺杂半导体元件以阵列布置，其中所述p型掺杂和n型掺杂的半导体元件彼此串联电连接并且彼此并联热连接。

18.如权利要求15所述的非瞬时性计算机可读存储介质，其中所述第一tem与所述第二tem中的每一者包括两个陶瓷基板，所述多个p型掺杂和n型掺杂的半导体器件被设置在所述两个陶瓷基板之间并且被连接至电互连件，所述电互连件连接至所述两个陶瓷基板。

19.如权利要求18所述的非瞬时性计算机可读存储介质，其中所述第一tem与所述第二tem中的每一者经由所述电互连件连接至电源。

20.如权利要求15、16、18或19中的任一项所述的非瞬时性计算机可读存储介质，进一步包括多个第一tem与第二tem，所述多个第一tem与第二tem中各自分别以阵列设置在所述载体与所述吸盘上，并且进一步包括以下步骤中的至少一个步骤：

技术总结
本文提供了用于处理基板的方法和设备。例如，一种用于处理基板的系统包括：处理腔室，所述处理腔室包括第一处理空间与第二处理空间；载体，所述载体设置在第一处理空间中，所述载体包括第一热电模块(TEM)，并且所述载体被配置成在基板被加热或冷却时支撑基板；以及吸盘，所述吸盘设置在第二处理空间中，所述吸盘包括第二TEM，并且所述吸盘被配置成从载体接收基板并在基板被加热或冷却时支撑基板；以及系统控制器，所述系统控制器被配置成在操作期间监测基板、载体或吸盘中的至少一者的温度，并基于基板、载体或吸盘中的至少一者的温度来供应电流至第一TEM或第二TEM中的至少一者。

技术研发人员：S·斯如纳乌卡拉苏,陈培翰,K·帕拉西塔森,苏俊良,F·J·林,陈正玮,W·J·D·张
受保护的技术使用者：应用材料公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14