纳米粒子膜图案化方法、发光元件的制造方法、显示装置的制造方法、发光元件与流程

本公开涉及纳米粒子膜图案化方法，以及使用了该方法的发光元件的制造方法、显示装置的制造方法、发光元件。

背景技术：

1、以往，在使用量子点等纳米粒子的发光元件等发光装置的制造中，进行包含纳米粒子的纳米粒子膜的图案化。作为纳米粒子膜的图案化方法，使用腐蚀法(蚀刻法)、剥离法等。

2、在腐蚀法中，在支承体上的纳米粒子膜上层叠抗蚀剂层，曝光后进行显影，形成抗蚀剂图案后，将该抗蚀剂图案作为掩模，用腐蚀剂对纳米粒子膜进行腐蚀化。然后，通过剥离抗蚀图案，形成纳米粒子层图案。

3、在剥离法中，在支承体上形成抗蚀剂层，曝光后进行显影，形成抗蚀剂图案后，使用抗蚀溶剂除去抗蚀剂图案，除去(剥离)抗蚀剂图案上的纳米粒子膜，由此在支承体上的未形成抗蚀剂图案的部分形成纳米粒子图案。

4、专利文献1中，作为上述纳米粒子层图案，例如形成发光层时，如果使用腐蚀法，则发光层被暴露于腐蚀中，发光特性等的性能降低，因此，为了抑制这样的性能降低，公开了使用剥离法。

5、现有技术文献

6、专利文献

7、专利文献1:日本国专利特开2009-87760号公报

技术实现思路

1、本发明所要解决的技术问题

2、然而，上述现有的纳米粒子膜的图案化方法无法二次利用被除去的纳米粒子。

3、例如在剥离法中，通过利用抗蚀剂溶剂溶解并除去抗蚀剂图案，从而除去抗蚀剂图案上的纳米粒子膜。因此，废液中含有抗蚀剂材料、纳米粒子和抗蚀溶剂。难以从该纳米粒子与抗蚀剂材料混合而成的废液中取出纳米粒子，进而，由于各种原因而使纳米粒子产生劣化。因此，无法再利用被除去的纳米粒子膜中所含的纳米粒子。

4、另外，在腐蚀法中，被除去的纳米粒子膜中的纳米粒子由于腐蚀化而劣化。因此，在这种情况下，也无法再利用被除去的纳米粒子膜中所含的纳米粒子。

5、本公开的一方面鉴于上述问题点而完成，其目的在于，提供能够在劣化较少的状态下回收并再利用至少一部分被除去的纳米粒子，并形成劣化较少的纳米粒子层图案的纳米粒子膜的图案化方法，以及使用了该方法的发光元件的制造方法、显示装置的制造方法、发光元件。

6、用于解决技术问题的技术方案

7、本实施方式的纳米粒子膜图案化方法是在包含纳米粒子的纳米粒子膜的一部分上形成非分散化配体含有部，并将上述纳米粒子膜中的上述非分散化配体含有部以外的部分用第一有机溶剂除去，由此形成纳米粒子层图案的方法，其中，该非分散化配体含有部包含上述纳米粒子以及通过与上述纳米粒子配位而使得上述纳米粒子不能分散在溶剂中的单齿非分散化配体。

8、为了解决上述课题，本公开的一方面的发光元件的制造方法包括使用本公开的一方面涉及的上述纳米粒子膜图案形成方法来形成纳米粒子层图案的纳米粒子层图案形成工序。

9、为了解决上述课题，本公开的一方面的显示装置的制造方法包含对每个所述子像素形成纳米粒子层图案的纳米粒子层图案形成工序，使用本公开的一方面的纳米粒子膜图案化方法形成所述多个子像素中的至少1个子像素上的纳米粒子层图案。

10、为了解决上述课题，本公开的一方面的发光元件包括含有纳米粒子的纳米粒子层图案，所述纳米粒子层图案具有:非分散化配体含有部，包含通过配位于所述纳米粒子使得所述纳米粒子不能分散在溶剂中的单齿非分散化配体；分散化配体含有部，其至少含有分散化配体，该分散化配体通过配位于所述纳米粒子使得所述纳米粒子分散于极性有机溶剂和无极性有机溶剂中的任一种，所述分散化配体含有部在所述非分散化配体含有部的外缘部的一部分处与所述非分散化配体含有部相邻地形成，包含在所述分散化配体含有部中的所述分散化配体在配位有所述非分散化配体的所述纳米粒子上配位。

11、有益效果

12、根据本公开的一方式，能够提供在劣化较少的状态下能够将被除去的纳米粒子的至少一部分回收再利用、并形成劣化较少的纳米粒子层图案的纳米粒子膜的图案化方法，以及使用了该方法的发光元件的制造方法、显示装置的制造方法、发光元件。

技术特征：

1.一种纳米粒子膜图案化方法，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的纳米粒子膜图案化方法，其特征在于，还包括回收工序，回收用所述第一有机溶剂除去的、所述纳米粒子膜中的所述分散化配体含有部以外的部分中含有的所述纳米粒子。

3.根据权利要求1或2所述的纳米粒子膜图案化方法，其特征在于，包括:

4.根据权利要求1或2所述的纳米粒子膜图案化方法，其特征在于，包括:

5.根据权利要求3或4所述的纳米粒子膜图案化方法，其特征在于，

6.根据权利要求3或4所述的纳米粒子膜图案化方法，其特征在于，包括:

7.根据权利要求3至6中任一项所述的纳米粒子膜图案化方法，其特征在于，

8.根据权利要求3至6中任一项所述的纳米粒子膜图案化方法，其特征在于，

9.根据权利要求7或8所述的纳米粒子膜图案化方法，其特征在于，所述无极性有机溶剂是介电常数为1.8以上且6.1以下的溶剂。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的纳米粒子膜图案化方法，其特征在于，所述极性有机溶剂是介电常数大于6.1且50以下的溶剂。

11.根据权利要求3至10中任一项所述的纳米粒子膜图案化方法，其特征在于，还包括第二配体置换步骤，向所述非分散化配体含有部供给包含第二配体和第三有机溶剂的第二配体分散液，将所述非分散化配体更换为所述第二配体。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的纳米粒子膜图案化方法，其特征在于，所述非分散化配体具有能够配位于所述纳米粒子的一个配位性官能团，

13.根据权利要求12所述的纳米粒子膜图案化方法，其特征在于，所述非分散化配体中的所述主链骨架的碳原子数为5以下。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的纳米粒子膜图案化方法，其特征在于，所述非分散化配体选自由乙基硫醇、1-丙硫醇、1-丁硫醇、1-戊硫醇、2-甲基-1-丁硫醇、邻甲苯硫醇、间甲苯硫醇、对甲苯硫醇、2，4-二甲基苯硫醇、3，4-二甲基苯硫醇、2，5-二甲基苯硫醇、3，5-二甲基苯硫醇、3-甲基环戊硫醇、4-叔丁基苯硫醇、4-异丙基苯硫醇、甲胺、甲基戊胺、对甲苯胺、4-丁基苯戊胺、戊酸、苯甲酸、乙基膦酸、三甲基膦组成的组中的至少一种配体。

15.根据权利要求12至14中任一项所述的纳米粒子膜图案化方法，其特征在于，所述非分散化配体为对甲苯硫醇。

16.一种发光元件的制造方法，其特征在于，包括使用权利要求1至15中任一项所述的纳米粒子膜图案化方法形成纳米粒子层图案的纳米粒子层图案形成工序。

17.一种显示装置的制造方法，所述显示装置包括发光颜色互不相同的多个子像素，其特征在于，

18.根据权利要求17所述的显示装置的制造方法，其特征在于，

19.一种发光元件，其特征在于，包括含有纳米粒子的纳米粒子层图案，

技术总结
在包含QD(31R)的QD膜(220R)的一部分上形成非分散化配体含有部(221R)，该非分散化配体含有部(221R)包含配位在上述QD上以使上述QD不能分散在溶剂中的单齿配体(32R)，用溶剂(39R)除去上述QD膜中的上述非分散化配体含有部以外的区域，从而形成QD层图案。

技术研发人员：矢口裕真
受保护的技术使用者：夏普株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/2/21