半导体装置及半导体装置的制造方法与流程

本实施方式涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。

背景技术：

1、作为半导体装置及半导体装置的制造方法的一例，已知有层叠器件芯片和层叠器件芯片的制造方法。

技术实现思路

1、本发明提供一种能够实现半导体装置的窄间距化的半导体装置及半导体装置的制造方法。

2、本实施方式的半导体装置具备：基底基板，其包含布线层；第一芯片，其设置在所述基底基板之上；第二芯片，其设置在所述第一芯片之上；以及树脂膜，其设置在所述第一芯片的侧面、所述第一芯片的与朝向所述基底基板的面相反一侧的面、以及所述第二芯片的侧面，从所述第一芯片的侧面起沿着第一方向的所述树脂膜的厚度大于从所述第二芯片的侧面起沿着所述第一方向的所述树脂膜的厚度，其中所述第一方向是垂直于所述第一芯片的侧面的方向。

技术特征：

1.一种半导体装置，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

7.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

8.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，

13.一种半导体装置的制造方法，在所述制造方法中，

14.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其中，

15.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其中，

16.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其中，

17.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其中，

技术总结
本发明提供一种能够实现半导体装置的窄间距化的半导体装置及半导体装置的制造方法。本实施方式的半导体装置具备：基底基板，其包含布线层；第一芯片，其设置在所述基底基板之上；第二芯片，其设置在所述第一芯片之上；以及树脂膜，其设置在所述第一芯片的侧面、所述第一芯片的与朝向所述基底基板的面相反一侧的面、以及所述第二芯片的侧面，从所述第一芯片的侧面起沿着第一方向的所述树脂膜的厚度大于从所述第二芯片的侧面起沿着所述第一方向的所述树脂膜的厚度，其中所述第一方向是垂直于所述第一芯片的侧面的方向。

技术研发人员：本郷悟史,右田达夫,丰田现
受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15