本公开涉及一种显示装置及其制造方法。更具体而言,本公开涉及一种具有高分辨率的显示装置及其制造方法。
背景技术:
1、显示装置是指通过组合从多个像素中的每个像素发射的光来显示图像的装置。显示装置可以包括多个像素设置在其中以显示图像的显示区域。
2、在显示装置中,显示区域的尺寸可能受到限制。为了显示高分辨率图像,需要增加设置在有限区域中的像素的数量。也就是说,需要减小每个像素的面积。
技术实现思路
1、本公开的目的是提供一种能够显示高分辨率图像的显示装置。
2、本公开的另一目的是提供一种制造能够显示高分辨率图像的显示装置的方法。
3、然而,本公开的目的不限于上述目的,并且可以在不脱离本公开的思想和范围的情况下被不同地扩展。
4、为了实现本公开的上述目的,根据实施例的一种显示装置可以包括:第一半导体层;第一导电层,设置在第一半导体层上,并且包括在平面图中与第一半导体层至少部分地重叠以构成第一晶体管的第一电容器电极;第二电容器电极,设置在第一导电层上,并且在平面图中与第一电容器电极重叠以构成第一电容器;第二半导体层,设置在第二电容器电极上,并且包括在平面图中与第二电容器电极重叠以构成第二电容器的第三电容器电极;第二导电层,设置在第二半导体层上,并且与第二半导体层至少部分地重叠;以及第三导电层,设置在第二导电层上。
5、在一个实施例中,第二电容器电极可以包括与第一电容器电极的上表面的一部分重叠的第一通孔,并且第三电容器电极可以包括与第一通孔重叠以与第一电容器电极的上表面的这一部分重叠的第二通孔。
6、在一个实施例中,第三导电层可以包括将与第一通孔和第二通孔重叠的第一电容器电极的上表面的这一部分与第二半导体层连接的第一桥电极。
7、在一个实施例中,第三电容器电极可以包括与第二电容器电极的上表面的一部分重叠的第三通孔。
8、在一个实施例中,第三导电层可以包括将与第三通孔重叠的第二电容器电极的上表面的这一部分与第二半导体层连接的第二桥电极。
9、在一个实施例中,第二半导体层和第二导电层可以构成第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管和第五晶体管,并且第一半导体层和第一导电层可以构成第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管和第九晶体管。
10、在一个实施例中,第三导电层可以包括:第一初始化电压线,连接到第四晶体管的输入端子;以及第二初始化电压线,连接到第七晶体管的输入端子,同时与第一初始化电压线间隔开。
11、在一个实施例中,在平面图中,第二电容器电极的面积可以大于第一电容器电极的面积,并且第二电容器电极完全覆盖第一电容器电极。
12、在一个实施例中,第一重叠区域的尺寸可以与第二重叠区域的尺寸相同,第一重叠区域是在平面图中第一电容器电极与第二电容器电极之间的重叠区域,第二重叠区域是在平面图中第二电容器电极与第三电容器电极之间的重叠区域。
13、在一个实施例中,第二半导体层可以包括氧化物半导体。
14、在一个实施例中,第二半导体层可以包括:第一氧化物半导体图案以及与第一氧化物半导体图案间隔开的第二氧化物半导体图案。
15、在一个实施例中,在平面图中,第三电容器电极可以被设置在第一氧化物半导体图案与第二氧化物半导体图案之间。
16、为了实现本公开的上述目的,根据实施例的一种显示装置可以包括:第一半导体层;第一导电层,设置在第一半导体层上,并且包括在平面图中与第一半导体层至少部分地重叠以构成第一晶体管的第一电容器电极;第二电容器电极,设置在第一导电层上,并且包括在平面图中与第一电容器电极重叠以构成第一电容器的重叠区域;第二电容器电极进一步包括从重叠区域突出的突出区域;第二半导体层,设置在第二电容器电极上,并且包括在平面图中与第二电容器电极重叠以构成第二电容器的第三电容器电极,第三电容器电极在平面图中与突出区域间隔开;第二导电层,设置在第二半导体层上,并且与第二半导体层至少部分地重叠;以及第三导电层,设置在第二导电层上。
17、在一个实施例中,第二半导体层可以包括氧化物半导体。
18、在一个实施例中,第二半导体层可以包括在第一方向上与第三电容器电极间隔开的第一氧化物半导体图案。
19、在一个实施例中,第三导电层可以包括连接到第一氧化物半导体图案以及第二电容器电极的突出区域的第一桥电极。
20、在一个实施例中,第二电容器电极的突出区域可以在垂直于第一方向的第二方向上从第二电容器电极的重叠区域突出。
21、为了实现本公开的另一目的,根据实施例的一种制造显示装置的方法可以包括:在基板上形成第一半导体层;形成用于覆盖第一半导体层的第一绝缘层;在第一绝缘层上形成第一导电层,第一导电层包括与第一半导体层至少部分地重叠以构成第一晶体管的第一电容器电极;形成用于覆盖第一导电层的第二绝缘层;在第二绝缘层上形成第二电容器电极,第二电容器电极与第一电容器电极重叠以构成第一电容器;形成用于覆盖第二电容器电极的第三绝缘层;在第三绝缘层上形成第二半导体层,第二半导体层包括与第二电容器电极重叠以构成第二电容器的第三电容器电极;形成用于覆盖第二半导体层的第四绝缘层;以及形成第二导电层,第二导电层设置在第四绝缘层上,并且与第二半导体层至少部分地重叠。
22、在一个实施例中,第二半导体层可以包括氧化物半导体。
23、在一个实施例中,制造显示装置的该方法可以进一步包括:在形成第二导电层之后,通过使用第二导电层作为掩模,来将杂质注入到第二半导体层中。
24、在本公开的上述实施例中,通过使用包括在第二半导体层中的第三电容器电极来形成第二电容器的一个电极,第一电容器电极、第二电容器电极和第三电容器电极在平面图中可以彼此重叠。因此,包括在显示装置中的像素的面积在平面图中可以相对减小,并且可以相对提高显示装置的分辨率。
25、在本公开的上述实施例中,可以通过使用包括在第二半导体层中的第三电容器电极来形成第二电容器的一个电极,使得可以以第一电容器电极、第二电容器电极和第三电容器电极在平面图中可以彼此重叠的方式来制造显示装置。相应地,包括在显示装置中的像素的面积在平面图中可以相对减小,并且可以相对提高显示装置的分辨率。
26、然而,本公开的效果不限于上述效果,并且可以在不脱离本公开的思想和范围的情况下被不同地扩展。
1.一种显示装置,包括:
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,
8.一种显示装置,包括:
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,