半导体封装基板及其制造方法、半导体封装结构与流程

本公开涉及半导体，具体而言，涉及一种半导体封装基板、半导体封装基板的制造方法及半导体封装结构。

背景技术：

1、金手指是在印刷电路板上靠近板边的位置布置的金属触片，可以用于印刷电路板之间的连接，能够起到传输信号的作用。

2、在半导体封装打线过程中，金手指表面需要焊接金线。随着封装要求的提升，金手指的表面宽度逐渐减小，金线的直径也随之减小。

3、然而，金线的直径减小，必然导致焊点的结合面积变小，结合力降低，焊接质量下降。

4、需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

1、本公开的目的在于克服上述现有技术中的不足，提供一种半导体封装基板、半导体封装基板的制造方法及半导体封装结构，以提高金手指与金线之间焊点的结合力。

2、根据本公开的一个方面，提供一种半导体封装基板，包括：基板；金手指本体，形成于所述基板上；其中，所述金手指本体的表面上形成有凹陷区域，所述凹陷区域用于压合金线。

3、本公开的一种示例性实施方式中，所述凹陷区域包括至少一个过蚀孔。

4、本公开的一种示例性实施方式中，所述过蚀孔的深度小于3um。

5、本公开的一种示例性实施方式中，所述过蚀孔为阶梯状结构。

6、本公开的一种示例性实施方式中，所述阶梯状结构包括第一深度孔和第二深度孔，所述第一深度孔的深度大于所述第二深度孔的深度。

7、本公开的一种示例性实施方式中，所述第一深度孔的深度小于或等于1/3倍的所述金线的直径。

8、本公开的一种示例性实施方式中，所述阶梯状结构的阶梯位置位于压头着力点下方。

9、本公开的一种示例性实施方式中，所述过蚀孔的截面形状为圆形、星形、三角形和多边形中的一种。

10、本公开的一种示例性实施方式中，所述过蚀孔有多个，多个所述过蚀孔阵列排布。

11、本公开的一种示例性实施方式中，所述凹陷区域位于所述金手指本体的焊点处。

12、根据本公开的一个方面，提供一种半导体封装基板的制作方法，包括：提供基板；在所述基板上形成金手指本体；在所述金手指本体的表面刻蚀凹陷区域，所述凹陷区域用于压合金线；在刻蚀有所述凹陷区域的所述金手指本体的表面镀镍、镀金。

13、本公开的一种示例性实施方式中，所述在所述金手指本体的表面刻蚀凹陷区域，包括：在所述金手指本体的表面涂覆光阻；在所述光阻上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层具有第一开孔，所述第一开孔的形状与所述凹陷区域的形状相同；对所述第一掩膜层曝光，使所述光阻显影，暴露所述金手指本体与所述第一开孔对应的区域；对所述金手指本体与所述第一开孔对应的区域进行蚀刻，形成所述凹陷区域。

14、本公开的一种示例性实施方式中，所述凹陷区域包括阶梯状结构的刻蚀孔，所述阶梯状结构包括第一深度孔和第二深度孔，所述第一深度孔的深度大于所述第二深度孔的深度。

15、本公开的一种示例性实施方式中，所述在所述金手指本体的表面刻蚀凹陷区域，包括：在所述金手指本体的表面涂覆光阻；在所述光阻上形成第二掩膜层，所述第二掩膜层具有第二开孔，所述第二开孔的形状与所述第一深度孔的形状相同；对所述第二掩膜层曝光，使所述光阻显影，暴露所述金手指本体与所述第二开孔对应的区域；对所述金手指本体与所述第二开孔对应的区域进行蚀刻，形成所述第一深度孔的部分区域；去除所述第二掩膜层，在所述光阻上形成第三掩膜层，所述第三掩膜层具有第三开孔，所述第三开孔用于暴露所述第一深度孔和所述第二深度孔对应的区域；对所述第三掩膜层曝光，使所述光阻显影，暴露所述金手指本体与所述第三开孔对应的区域；对所述金手指本体与所述第三开孔对应的区域进行蚀刻，形成所述凹陷区域。

16、本公开的一种示例性实施方式中，对所述金手指本体与所述第二开孔对应的区域进行蚀刻的蚀刻深度为所述第一深度孔和所述第二深度孔的深度差值；对所述金手指本体与所述第三开孔对应的区域进行蚀刻的蚀刻深度为所述第二深度孔的深度。

17、根据本公开的一个方面，提供一种半导体封装结构，包括：封装基板，所述封装基板包括基板和形成于所述基板上的金手指，所述金手指的表面上形成有凹陷区域，所述凹陷区域用于压合金线的一端；芯片堆叠结构，设置在所述封装基板上，所述金线的另一端压焊在所述芯片堆叠结构上。

18、在本公开示例性实施方式中，通过在金手指本体的表面形成凹陷区域，在将金线压合于凹陷区域后，可以增大金线与金手指表面的结合面积，进而增大金线与金手指表面的结合力，从而可以提高半导体封装基板的品质。

19、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

技术特征：

1.一种半导体封装基板，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体封装基板，其特征在于，所述凹陷区域包括至少一个过蚀孔。

3.根据权利要求2所述的半导体封装基板，其特征在于，所述过蚀孔的深度小于3um。

4.根据权利要求2所述的半导体封装基板，其特征在于，所述过蚀孔为阶梯状结构。

5.根据权利要求4所述的半导体封装基板，其特征在于，所述阶梯状结构包括第一深度孔和第二深度孔，所述第一深度孔的深度大于所述第二深度孔的深度。

6.根据权利要求5所述的半导体封装基板，其特征在于，所述第一深度孔的深度小于或等于1/3倍的所述金线的直径。

7.根据权利要求4所述的半导体封装基板，其特征在于，所述阶梯状结构的阶梯位置位于压头着力点下方。

8.根据权利要求2所述的半导体封装基板，其特征在于，所述过蚀孔的截面形状为圆形、星形、三角形和多边形中的一种。

9.根据权利要求2所述的半导体封装基板，其特征在于，所述过蚀孔有多个，多个所述过蚀孔阵列排布。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的半导体封装基板，其特征在于，所述凹陷区域位于所述金手指本体的焊点处。

11.一种半导体封装基板的制作方法，其特征在于，包括：

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述在所述金手指本体的表面刻蚀凹陷区域，包括：

13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述凹陷区域包括阶梯状结构的刻蚀孔，所述阶梯状结构包括第一深度孔和第二深度孔，所述第一深度孔的深度大于所述第二深度孔的深度。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述在所述金手指本体的表面刻蚀凹陷区域，包括：

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，对所述金手指本体与所述第二开孔对应的区域进行蚀刻的蚀刻深度为所述第一深度孔和所述第二深度孔的深度差值；

16.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

技术总结
本公开提供一种半导体封装基板、半导体封装基板的制造方法及半导体封装结构。该半导体封装基板包括：基板；金手指本体，形成于所述基板上；其中，所述金手指本体的表面上形成有凹陷区域，所述凹陷区域用于压合金线。本公开可以提高金手指与金线之间焊点的结合力。

技术研发人员：王海林
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/4