硫族化物材料和包括硫族化物的半导体存储器件的制作方法

本公开涉及电子器件的材料和电子器件，更具体地，涉及硫族化物材料和包括该硫族化物材料的半导体存储器件。

背景技术：

1、电子器件可以包括用于储存数据的半导体存储器件。半导体存储器件可以包括存储单元，每个存储单元储存两种或更多种类型的逻辑状态。上述半导体存储器件可以包括用于选择存储单元的单独装置，以将数据编程到存储单元中或读取储存在存储单元中的数据。

2、根据电子器件的小型化和高性能化，可以开发用于提高存储单元的集成度和低功率操作速度的各种技术。

3、作为具有改善的集成度和低功率操作速度的半导体存储器件，已经提出了下一代存储器件，例如随机存取存储器(ram)(诸如相变ram(pram)、磁性ram(mram)以及电阻式ram(rram))。最近，正在开发利用有利于改善集成度的硫族化物材料的下一代存储器件。

技术实现思路

1、根据一个实施例，一种硫族化物材料可以包括：具有第一原子百分比的锗(ge)、具有至少是锗的第一原子百分比两倍的第二原子百分比的硒(se)和具有小于锗的第一原子百分比的第三原子百分比的铟(in)。

2、根据实施例，半导体存储器件可以包括：第一导电图案；第二导电图案，其与所述第一导电图案交叉；以及硫族化物材料层，其设置在第一导电图案与第二导电图案之间，其包括具有第一原子百分比的锗(ge)、具有至少是锗的第一原子百分比两倍的第二原子百分比的硒(se)和具有小于锗的第一原子百分比的第三原子百分比的铟(in)。

技术特征：

1.一种硫族化物材料，包括：

2.根据权利要求1所述的硫族化物材料，其中，所述锗的第一原子百分比、所述硒的第二原子百分比和所述铟的第三原子百分比的总和实质上为100％。

3.根据权利要求1所述的硫族化物材料，其中，所述锗的第一原子百分比在从25at％至32at％的范围内。

4.根据权利要求1所述的硫族化物材料，其中，所述硒的第二原子百分比在从50at％至66at％的范围内。

5.根据权利要求1所述的硫族化物材料，其中，所述铟的第三原子百分比在从1at％至12at％的范围内。

6.根据权利要求1所述的硫族化物材料，其中，所述锗的第一原子百分比为[n]at％，

7.根据权利要求1所述的硫族化物材料，其中，所述硒的第二原子百分比在从56at％至66at％的范围内。

8.根据权利要求1所述的硫族化物材料，其中，所述材料在600℃或更低的温度下保持非晶态。

9.根据权利要求1所述的硫族化物材料，其中，所述锗的第一原子百分比在从25at％至32at％的范围内，

10.一种半导体存储器件，包括：

11.根据权利要求10所述的半导体存储器件，其中，所述锗的第一原子百分比、所述硒的第二原子百分比和所述铟的第三原子百分比的总和实质上为100％。

12.根据权利要求10所述的半导体存储器件，其中，所述锗的第一原子百分比在从25at％至32at％的范围内。

13.根据权利要求10所述的半导体存储器件，其中，所述硒的第二原子百分比在从50at％至66at％的范围内。

14.根据权利要求10所述的半导体存储器件，其中，所述铟的第三原子百分比在从1at％至12at％的范围内。

15.根据权利要求10所述的半导体存储器件，其中，所述锗的第一原子百分比为[n]at％，n为整数，以及

16.根据权利要求10所述的半导体存储器件，其中，所述硫族化物材料层在600℃的温度下保持非晶态。

17.根据权利要求10所述的半导体存储器件，其中，所述硒的第二原子百分比在从56at％至66at％的范围内。

18.根据权利要求10所述的半导体存储器件，其中，所述锗的第一原子百分比在从25at％至32at％的范围内，

19.根据权利要求10所述的半导体存储器件，其中，所述硫族化物材料层具有在从至的范围内的厚度。

20.根据权利要求10所述的半导体存储器件，其中，所述硫族化物材料层围绕所述第二导电图案的侧壁。

技术总结
本公开涉及硫族化物材料及包括所述硫族化物材料的半导体存储器件。所述硫族化物材料包括具有第一原子百分比的锗(Ge)、具有至少是锗的第一原子百分比两倍的第二原子百分比的硒(Se)和具有小于锗的第一原子百分比的第三原子百分比的铟(In)。

技术研发人员：林俊英,金亨根
受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/11