有机发光显示装置和薄膜晶体管阵列基板的制作方法

本公开内容涉及有机发光显示装置，并且更特别地，涉及包括混合型薄膜晶体管的有机发光显示装置，在该有机发光显示装置中使用不同类型的半导体材料来形成构成子像素的像素电路部分的多个薄膜晶体管和构成gip电路部分的多个薄膜晶体管，并且该有机发光显示装置能够减小薄膜晶体管的尺寸，例如，使薄膜晶体管的尺寸最小化，以实现高清晰度显示装置。

背景技术：

1、与使用背光的液晶显示装置不同，使用自发光发光元件的有机发光显示装置具有小的厚度，并且表现出高的图像质量。因此，有机发光显示装置是在显示领域中广泛关注的焦点。

2、特别是，由于可以在柔性基板上形成发光元件，因此有机发光显示装置使得能够以各种形式创建屏幕，例如可弯曲屏幕和可折叠屏幕。另外，由于其小的厚度，因此有机发光显示装置适合于小型电子产品，例如智能手表。

3、此外，为了应用于经常显示静止图像的显示装置，例如智能手表，需要包括能够在显示静止图像时防止生成漏电流的新型像素电路部分的发光显示装置。

4、已经提出了使用氧化物半导体作为有源层以获得改善的漏电流阻挡效应的薄膜晶体管。

技术实现思路

1、然而，在使用混合型薄膜晶体管的显示装置中，使用不同类型的半导体层，例如多晶半导体层和氧化物半导体层。因此，彼此分开执行形成多晶半导体层的过程和形成氧化物半导体层的过程，从而使制造过程复杂。此外，多晶半导体层和氧化物半导体层相对于化学气体具有不同的特性，从而使制造过程复杂。

2、尤其是，与氧化物半导体层相比，多晶半导体层的特征在于，例如电子或空穴的载流子以高速移动，并且因此适合于需要能够进行高速操作的驱动薄膜晶体管。因此，多晶半导体层通常用于形成驱动薄膜晶体管。

3、然而，使用多晶半导体层的驱动薄膜晶体管以相对高的速度操作，但是由于由电流应力引起的高电流波动率，从低灰度值的表达方面来说是不利的。因此，本公开内容的一个目的是使用氧化物半导体形成驱动薄膜晶体管并提供由电流应力引起的电流波动率低并且s因子值大的像素电路部分。另外，本公开内容的另一个目的是提供能够根据近来朝向高清晰度显示装置的趋势减小设置在子像素中的多个薄膜晶体管的尺寸(例如，使该尺寸最小化)的结构。

4、为了实现上述和其他目的，根据本公开内容的有机发光显示装置包括：包括显示区和非显示区的基板；以及包括半导体图案的至少一个薄膜晶体管，该半导体图案包括源极区域和漏极区域。源极区域和漏极区域中的每个均包括交替设置在基板上的导电区域和非导电区域。

5、半导体图案可以是氧化物半导体图案。

6、至少一个薄膜晶体管可以包括：与半导体图案交叠的栅极电极；以及分别电连接至源极区域和漏极区域的源极电极和漏极电极。导电区域可以包括接触源极电极或漏极电极的第一导电区域，以及设置在源极电极或漏极电极与栅极电极之间的第二导电区域。

7、可以通过使第一导电区域与离子接触使第一导电区域成为导电的，并且可以通过注入至第二导电区域中的离子而使第二导电区域成为导电的。

8、栅极电极可以被设置在位于源极电极和漏极电极上方的层中。

9、栅极电极可以与源极电极和漏极电极设置在同一层上。

10、至少一个薄膜晶体管可以包括驱动薄膜晶体管和至少一个开关薄膜晶体管。驱动薄膜晶体管可以包括设置在半导体图案下方并连接至源极电极的第一光阻挡图案。

11、驱动薄膜晶体管可以包括：第一半导体图案；与第一半导体图案交叠的第一栅极电极；以及连接至第一半导体图案的第一源极电极和第一漏极电极。开关薄膜晶体管可以包括：第二半导体图案；与第二半导体图案交叠的第二栅极电极；以及连接至第二半导体图案的第二源极电极和第二漏极电极。第一源极电极、第一漏极电极、第二源极电极和第二漏极电极可以被设置在同一层上。

12、第一栅极电极和第二栅极电极可以被设置在同一层上。第一栅极电极和第二栅极电极可以被设置在位于第一源极电极、第一漏极电极、第二源极电极和第二漏极电极上方的层上。

13、第一栅极电极和第二栅极电极可以与第一源极电极、第一漏极电极、第二源极电极和第二漏极电极设置在同一层上。

14、第一栅极电极和第二栅极电极可以被设置在彼此不同的层上。第一栅极电极与第一半导体图案之间的竖直距离可以长于第二栅极电极与第二半导体图案之间的竖直距离。

15、开关薄膜晶体管可以包括第二光阻挡图案。第二半导体图案与第二光阻挡图案之间的竖直距离可以长于第一半导体图案与第一光阻挡图案之间的竖直距离。

16、驱动薄膜晶体管可以被设置在显示区中，并且开关薄膜晶体管可以被设置在显示区和非显示区中的至少一个中。

17、根据本公开内容的薄膜晶体管阵列基板包括：包括半导体图案的至少一个薄膜晶体管，该半导体图案包括源极区域、漏极区域以及设置在源极区域与漏极区域之间的沟道区域。源极区域和漏极区域中的每个均包括至少两个导电区域以及设置在至少两个导电区域之间的非导电区域。

18、导电区域和非导电区域可以在源极区域和漏极区域中的每个中交替设置。

19、导电区域可以包括与沟道区域间隔开的第一导电区域以及与沟道区域相邻设置的第二导电区域。

20、可以通过使第一导电区域与离子接触使第一导电区域成为导电的，并且可以通过注入至第二导电区域中的离子而使第二导电区域成为导电的。

21、根据本公开内容的薄膜晶体管阵列基板还可以包括：分别连接至源极区域和漏极区域的源极电极和漏极电极；以及设置在半导体图案下方的并连接至源极电极的光阻挡图案。

22、半导体图案可以是氧化物半导体图案。

23、至少一个薄膜晶体管可以是驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管中的至少一个。

技术特征：

1.一种有机发光显示装置，包括：

2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述半导体图案是氧化物半导体图案。

3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述至少一个薄膜晶体管包括：

4.根据权利要求3所述的有机发光显示装置，其中，通过使所述第一导电区域与离子接触而使所述第一导电区域成为导电的，以及

5.根据权利要求3所述的有机发光显示装置，其中，所述栅极电极被设置在位于所述源极电极和所述漏极电极上方的层中。

6.根据权利要求3所述的有机发光显示装置，其中，所述栅极电极与所述源极电极和所述漏极电极设置在同一层上。

7.根据权利要求3所述的有机发光显示装置，其中，所述至少一个薄膜晶体管包括驱动薄膜晶体管和至少一个开关薄膜晶体管，以及

8.根据权利要求7所述的有机发光显示装置，其中，所述驱动薄膜晶体管包括：

9.根据权利要求8所述的有机发光显示装置，其中，所述第一栅极电极和所述第二栅极电极被设置在同一层上，并且其中，所述第一栅极电极和所述第二栅极电极被设置在位于所述第一源极电极上方的层上。

10.根据权利要求8所述的有机发光显示装置，其中，所述第一栅极电极和所述第二栅极电极与所述第一源极电极设置在同一层上。

11.根据权利要求8所述的有机发光显示装置，其中，所述第一栅极电极和所述第二栅极电极被设置在彼此不同的层上，以及

12.根据权利要求11所述的有机发光显示装置，其中，所述开关薄膜晶体管包括第二光阻挡图案，以及

13.根据权利要求7所述的有机发光显示装置，其中，所述驱动薄膜晶体管被设置在所述显示区中，以及

14.根据权利要求12所述的有机发光显示装置，其中，所述第二光阻挡图案与所述第二栅极电极电连接。

15.一种薄膜晶体管阵列基板，包括：

16.根据权利要求15所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述导电区域和所述非导电区域在所述源极区域和所述漏极区域中的每个中交替设置。

17.根据权利要求15所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述至少两个导电区域包括与所述沟道区域间隔开的第一导电区域以及与所述沟道区域相邻设置的第二导电区域。

18.根据权利要求17所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，通过使所述第一导电区域与离子接触而使所述第一导电区域成为导电的，以及

19.根据权利要求15所述的薄膜晶体管阵列基板，还包括：

20.根据权利要求15所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述半导体图案是氧化物半导体图案。

21.根据权利要求15所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述至少一个薄膜晶体管是驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管中的至少一个。

22.一种有机发光显示装置，包括根据权利要求15至21中任一项所述的薄膜晶体管阵列基板。

技术总结
公开了一种有机发光显示装置和薄膜晶体管阵列基板。该有机发光显示装置能够减小设置在子像素中的薄膜晶体管的尺寸，以实现高清晰度有机发光显示装置。导电区域和非导电区域在源极区域和漏极区域中的每个中组合，使得沟道的尺寸增加，例如显著增加。因此，可以实现高清晰度有机发光显示装置。并且，驱动薄膜晶体管的s因子值增加，并且开关薄膜晶体管的操作速度增加。

技术研发人员：金张大,金炅秀
受保护的技术使用者：乐金显示有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13