存储器装置和操作存储器装置的方法与流程

各种实施方式总体上涉及存储器装置，并且更具体地，涉及三维存储器装置和存储器装置的操作方法。

背景技术：

1、存储器装置可以分为当电力供应受阻时丢失所存储的数据的易失性存储器装置以及即使在电力供应受阻时也保留所存储的数据的非易失性存储器装置。

2、非易失性存储器装置可以包括nand闪存存储器、nor闪存存储器、电阻式随机存取存储器(reram)、相变随机存取存储器(pram)、磁阻式随机存取存储器(mram)、铁电随机存取存储器(fram)和自旋传递力矩随机存取存储器(stt-ram)。

3、在这些存储器当中，nand闪存存储器中所包括的存储器单元可以联接在字线和位线之间，并可以通过施加到字线和位线的电压进行编程或读取。

技术实现思路

1、根据实施方式，一种存储器装置可以包括：第一主插塞，该第一主插塞在垂直方向上形成在基板上方并布置在第一方向上；第二主插塞，该第二主插塞与所述第一主插塞基本上平行地布置；第三主插塞，该第三主插塞在所述第一主插塞和所述第二主插塞之间布置在所述第一方向上，所述第三主插塞在斜向方向上与所述第一主插塞和所述第二主插塞相邻；以及位线，该位线在所述第一主插塞至所述第三主插塞上方彼此分隔开，其中，第一主插塞至第三主插塞中的每一个包括在与所述第一方向基本上正交的第二方向上彼此面对的第一子插塞和第二子插塞，其中，所述第一主插塞和所述第三主插塞中的每一个中所包括的所述第一子插塞的部分和所述第二子插塞的部分联接到不同的选择线，并且其中，所述第二主插塞和所述第三主插塞中的每一个中所包括的所述第一子插塞的部分和所述第二子插塞的部分联接到不同的选择线。

2、根据实施方式，一种操作存储器装置的方法可以包括以下步骤：将m位的页数据划分为均包括m/2位的页数据的第一数据组和第二数据组，其中，m为正整数；将所述第一数据组编程到与所选字线联接的第一存储器单元中；以及将所述第二数据组编程到与所选字线联接的第二存储器单元中。

3、根据实施方式，一种操作存储器装置的方法可以包括以下步骤：将m位的页数据划分为第一数据组和第二数据组，其中，m为正整数；将所述第一数据组中所包括的逻辑页数据划分为第一逻辑页数据组和第二逻辑页数据组；将所述第二数据组中所包括的逻辑页数据划分为第三逻辑页数据组和第四逻辑页数据组；将所述第一逻辑页数据组编程到通过第一选择线选择的第一存储器单元中；将所述第二逻辑页数据组编程到通过与所述第一选择线形成一对的第二选择线选择的第二存储器单元中；将所述第三逻辑页数据组编程到通过第三选择线选择的第三存储器单元中；以及将所述第四逻辑页数据组编程到通过与所述第三选择线形成一对的第四选择线选择的第四存储器单元中。

技术特征：

1.一种存储器装置，该存储器装置包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述位线包括：

3.根据权利要求2所述的存储器装置，该存储器装置还包括：

4.根据权利要求2所述的存储器装置，该存储器装置还包括在所述垂直方向上将所述第一子插塞和所述第二子插塞分离的沟道隔离图案。

5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，所述第一子插塞和所述第二子插塞中的每一个包括：

6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，所述沟道隔离图案在所述垂直方向上将所述第一子插塞中所包括的所述沟道层和所述芯柱与所述第二子插塞中所包括的所述沟道层和所述芯柱分离。

7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，所述沟道隔离图案还在所述垂直方向上将所述第一子插塞中所包括的所述隧道隔离层、所述电荷捕获层和所述阻挡层与所述第二子插塞中所包括的所述隧道隔离层、所述电荷捕获层和所述阻挡层分离。

8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一主插塞中所包括的所述第一子插塞联接到第一选择线，

9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，所述第一选择线至所述第三选择线形成在同一层上。

10.根据权利要求8所述的存储器装置，该存储器装置还包括在所述第一选择线至所述第三选择线与所述基板之间层叠并彼此分隔开的源极线、第四选择线和字线。

11.根据权利要求10所述的存储器装置，其中，所述源极线、所述第四选择线和所述字线共同接触所述第一主插塞至所述第三主插塞。

12.一种操作存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：

13.根据权利要求12所述的方法，其中，将所述第一数据组或所述第二数据组编程到所述第一存储器单元或所述第二存储器单元中的步骤是通过将所述m/2位的页数据编程到一个存储器单元中来执行的。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，将所述第一数据组编程到与所述所选字线联接的所述第一存储器单元中的步骤包括以下步骤：

15.根据权利要求12所述的方法，其中，将所述第二数据组编程到与所述所选字线联接的所述第二存储器单元中的步骤包括以下步骤：

16.根据权利要求12所述的方法，其中，在读取所述m位的页数据的操作期间，分别执行所述第一存储器单元的读取操作和所述第二存储器单元的读取操作。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，通过读取所述m/2位的页数据来执行所述第一存储器单元和所述第二存储器单元中的一个的所述读取操作。

18.一种操作存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：

19.根据权利要求18所述的方法，其中，将所述第一逻辑页数据组至所述第四逻辑页数据组编程到所述第一存储器单元至所述第四存储器单元的步骤是通过将m/2位的页数据编程到一个存储器单元中来执行的。

20.根据权利要求18所述的方法，其中，包括所述第一存储器单元的第一子串和包括所述第二存储器单元的第二子串共享位线，

21.根据权利要求18所述的方法，其中，包括所述第三存储器单元的第三子串和包括所述第四存储器单元的第四子串共享位线，

技术总结
本公开提供了存储器装置和操作存储器装置的方法。该存储器装置包括：第一主插塞，其在垂直方向上形成在基板上方并布置在第一方向上；第二主插塞；第三主插塞，其布置在第一主插塞和第二主插塞之间，所述第三主插塞与所述第一主插塞和所述第二主插塞相邻；以及位线，其在所述第一主插塞至所述第三主插塞上方，其中，所述第一主插塞至第三主插塞中的每一个包括彼此面对的第一子插塞和第二子插塞，其中，所述第一主插塞和所述第三主插塞中的每一个中所包括的所述第一子插塞和所述第二子插塞的部分联接到不同的选择线，并且其中，所述第二主插塞和所述第三主插塞中的每一个中所包括的所述第一子插塞和所述第二子插塞的部分联接到不同的选择线。

技术研发人员：张晶植,朴寅洙,郑羽杓,崔正达,金在雄,金定焕
受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13