半导体装置的制作方法

本公开的实施例涉及一种半导体装置。更具体地，本公开的实施例涉及一种dram装置。

背景技术：

1、在dram装置中，单元电容器可以形成在单元区域中，并且去耦电容器可以形成在外围电路区域中。随着dram装置的集成度提高，每个单元电容器必须具有越来越小的尺寸，以使得能够在单元区域中形成更多的单元电容器。然而，由于使用氟化氩(arf)作为曝光光的arf光刻工艺的低分辨率，用于形成单元电容器的开口通过单个工艺会无法具有足够小的尺寸。

2、因此，可以执行双重图案化工艺以形成具有小尺寸的单元电容器。然而，可以与单元电容器同时形成的去耦电容器也会具有小尺寸，因此去耦电容器的下电极的整个表面可能没有被充分利用，使得总电容会减小。

技术实现思路

1、本公开的实施例提供了一种具有增加的特性的半导体装置。

2、根据本公开的实施例，一种半导体装置包括基底，基底包括单元区域和外围电路区域。栅极结构在基底的单元区域上。每个栅极结构可以在基本平行于基底的上表面的第一方向上延伸。位线结构可以形成在基底的单元区域上，并且每个位线结构可以在基本平行于基底的上表面并与第一方向交叉的第二方向上延伸。接触插塞结构可以在第二方向上设置在基底上的位线结构之间。第一电容器可以分别形成在接触插塞结构上。导电垫可以形成在基底的外围电路区域上，并且可以与基底电绝缘。第二电容器可以形成在导电垫上，并且可以布置在第一方向和第二方向上。

3、每个第一电容器可以包括具有第一杯形形状的第一下电极、在第一下电极的表面上且填充第一下电极的第一杯形形状的内部空间的第一介电图案、以及在第一介电图案的表面上的第一上电极。每个第二电容器可以包括具有第二杯形形状的第二下电极、在第二下电极的表面上的第二介电图案以及在第二介电图案的表面上的第二上电极。第二介电图案和第二上电极可以填充第二下电极的第二杯形形状的内部空间。

4、根据本公开的实施例，一种半导体装置包括基底，基底包括单元区域和外围电路区域。栅极结构在基底的单元区域上。每个栅极结构可以在基本平行于基底的上表面的第一方向上延伸。位线结构可以形成在基底的单元区域上，并且每个位线结构可以在基本平行于基底的上表面并与第一方向交叉的第二方向上延伸。接触插塞结构可以在第二方向上设置在基底上的位线结构之间。第一电容器可以分别形成在接触插塞结构上。导电垫可以形成在基底的外围电路区域上，并且可以与基底电绝缘。第二电容器可以形成在导电垫上，并且可以布置在第一方向和第二方向上。每个第一电容器可以包括具有第一杯形形状的第一下电极、在第一下电极的表面上的第一介电图案、在第一介电图案的表面上的第一上电极、在第一上电极的表面上的第三上电极。每个第二电容器可以包括具有第二杯形形状的第二下电极、在第二下电极的表面上的第二介电图案、在第二介电图案的表面上的第二上电极和在第二上电极的表面上的第四上电极。第二介电图案、第二上电极和第四上电极可以填充第二下电极的第二杯形形状的内部空间。

5、根据本公开的实施例，一种半导体装置包括基底，基底包括单元区域和外围电路区域。栅极结构在基底的单元区域上。每个栅极结构可以在基本平行于基底的上表面的第一方向上延伸。位线结构可以形成在基底的单元区域上，并且每个位线结构可以在基本平行于基底的上表面并与第一方向交叉的第二方向上延伸。接触插塞结构可以在第二方向上设置在基底上的位线结构之间。第一电容器可以分别形成在接触插塞结构上。导电垫可以形成在基底的外围电路区域上，并且可以与基底电绝缘。第二电容器可以形成在导电垫上，并且可以布置在第一方向和第二方向上。每个第一电容器可以包括具有柱形形状的第一下电极、在第一下电极的表面上的第一介电图案、在第一介电图案的表面上的第一上电极和在第一上电极的表面上的第三上电极。每个第二电容器可以包括具有杯形形状的第二下电极、在第二下电极的表面上的第二介电图案、在第二介电图案的表面上的第二上电极和在第二上电极的表面上的第四上电极。第二介电图案、第二上电极和第四上电极可以填充第二下电极的杯形形状的内部空间。

6、在制造根据本公开的实施例的半导体装置的方法中，可以通过euv光刻工艺分别在单元区域和外围电路区域上形成具有不同尺寸的开口，并且可以分别在单元区域和外围电路区域上的开口中形成单元电容器和去耦电容器。因此，单元电容器可以具有高集成度，并且去耦电容器可以具有增大的电容。

技术特征：

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第二下电极的第二杯形形状的宽度大于第一下电极的第一杯形形状的宽度。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中：

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中：

6.根据权利要求3所述的半导体装置，其中：

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中：

8.根据权利要求7所述的半导体装置，所述半导体装置还包括分别设置在所述一对导电垫上并电连接到所述一对导电垫的第一布线和第二布线，

9.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，第二下电极的第二杯形形状的宽度大于第一下电极的第一杯形形状的宽度。

11.根据权利要求9所述的半导体装置，其中：

12.根据权利要求9所述的半导体装置，其中：

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中：

14.根据权利要求13所述的半导体装置，所述半导体装置还包括分别设置在所述一对导电垫上并电连接到所述一对导电垫的第一布线和第二布线，

15.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

16.根据权利要求15所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

17.根据权利要求15所述的半导体装置，其中：

18.根据权利要求15所述的半导体装置，其中：

19.根据权利要求18所述的半导体装置，其中：

20.根据权利要求19所述的半导体装置，所述半导体装置还包括分别设置在所述一对导电垫上并电连接到所述一对导电垫的第一布线和第二布线，

技术总结
提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括栅极结构、位线结构、接触插塞结构、第一电容器和第二电容器。栅极结构形成在包括单元区域和外围电路区域的基底中，并且每个栅极结构在第一方向上延伸。位线结构形成在基底的单元区域上，并且每个位线结构在第二方向上延伸。接触插塞结构沿第二方向设置在基底上的位线结构之间。第一电容器分别形成在接触插塞结构上。导电垫形成在基底的外围电路区域上，并且与基底电绝缘。第二电容器形成在导电垫上，并且设置在第一方向和第二方向上。

技术研发人员：李钟旼
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12