杂环化合物、包括其的发光装置和电子设备的制作方法

一个或多个实施方式涉及杂环化合物、包括杂环化合物的发光装置和包括发光装置的电子设备。

背景技术：

1、在发光装置中，有机发光装置为自发射装置，其与现有技术中的装置相比，具有宽视角、高对比度、短响应时间以及/或者在亮度、驱动电压和/或响应速度方面的优异或适当的特性。

2、有机发光装置可包括位于基板上的第一电极，以及依次堆叠在第一电极上的空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极。从第一电极提供的空穴通过空穴传输区朝向发射层移动，并且从第二电极提供的电子通过电子传输区朝向发射层移动。载流子，比如空穴和电子，在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁到基态，从而生成光。

技术实现思路

1、根据描述的一个或多个实施方式的方面涉及具有低驱动电压、优异或适当的发光效率和/或长寿命的杂环化合物以及利用该杂环化合物的发光装置。

2、另外的方面将部分地在如下的描述中陈述，并且部分地将从描述中显而易见，或可通过本公开呈现的实施方式的实践而了解到。

3、根据一个或多个实施方式，杂环化合物可由式1表示：

4、式1

5、

6、其中，在式1中，

7、l1和l2可各自独立地为单键、未取代的或被至少一个r10a取代的c3-c60碳环基或者未取代的或被至少一个r10a取代的c1-c60杂环基，

8、a1和a2可各自独立地为选自0至5的整数，

9、数量为a1的l1可各自彼此相同或不同，

10、数量为a2的l2可各自彼此相同或不同，

11、r1至r8可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个r10a取代的c1-c60烷基、未取代的或被至少一个r10a取代的c2-c60烯基、未取代的或被至少一个r10a取代的c2-c60炔基、未取代的或被至少一个r10a取代的c1-c60烷氧基、未取代的或被至少一个r10a取代的c3-c60碳环基、未取代的或被至少一个r10a取代的c1-c60杂环基、未取代的或被至少一个r10a取代的c6-c60芳氧基、未取代的或被至少一个r10a取代的c6-c60芳硫基、-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-p(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)、-p(＝o)(q1)(q2)或-p(＝s)(q1)(q2)，

12、b2和b5可各自独立地为选自0至4的整数，

13、b3和b4可各自独立地为选自0至3的整数，

14、数量为b2的r2可各自彼此相同或不同，

15、数量为b3的r3可各自彼此相同或不同，

16、数量为b4的r4可各自彼此相同或不同，

17、数量为b5的r5可各自彼此相同或不同，

18、在b2为2或更大的情况下，两个r2任选地彼此结合以形成未取代的或被至少一个r10a取代的c3-c60碳环基或者未取代的或被至少一个r10a取代的c1-c60杂环基；在b3为2或更大的情况下，两个r3任选地彼此结合以形成未取代的或被至少一个r10a取代的c3-c60碳环基或者未取代的或被至少一个r10a取代的c1-c60杂环基；在b4为2或更大的情况下，两个r4任选地彼此结合以形成未取代的或被至少一个r10a取代的c3-c60碳环基或者未取代的或被至少一个r10a取代的c1-c60杂环基；在b5为2或更大的情况下，两个r5任选地彼此结合以形成未取代的或被至少一个r10a取代的c3-c60碳环基或者未取代的或被至少一个r10a取代的c1-c60杂环基；或者选自r6至r8中的两个基团任选地彼此结合以形成未取代的或被至少一个r10a取代的c3-c60碳环基或者未取代的或被至少一个r10a取代的c1-c60杂环基，

19、r10a可为：

20、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基，

21、各自未被取代或被以下取代的c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基或c1-c60烷氧基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c3-c60碳环基、c1-c60杂环基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c7-c60芳基烷基、c2-c60杂芳基烷基、-si(q11)(q12)(q13)、-n(q11)(q12)、-b(q11)(q12)、-p(q11)(q12)、-c(＝o)(q11)、-s(＝o)(q11)、-s(＝o)2(q11)、-p(＝o)(q11)(q12)、-p(＝s)(q11)(q12)或其任意组合，

22、各自未被取代或被以下取代的c3-c60碳环基、c1-c60杂环基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c7-c60芳基烷基或c2-c60杂芳基烷基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c60碳环基、c1-c60杂环基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c7-c60芳基烷基、c2-c60杂芳基烷基、-si(q21)(q22)(q23)、-n(q21)(q22)、-b(q21)(q22)、-p(q21)(q22)、-c(＝o)(q21)、-s(＝o)(q21)、-s(＝o)2(q21)、-p(＝o)(q21)(q22)、-p(＝s)(q21)(q22)或其任意组合，或

23、-si(q31)(q32)(q33)、-n(q31)(q32)、-b(q31)(q32)、-p(q31)(q32)、-c(＝o)(q31)、-s(＝o)(q31)、-s(＝o)2(q31)、-p(＝o)(q31)(q32)或-p(＝s)(q31)(q32)，

24、其中q1至q3、q11至q13、q21至q23和q31至q33可各自独立地为：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基；氰基；硝基；c1-c60烷基；c2-c60烯基；c2-c60炔基；c1-c60烷氧基；各自未被取代或被氘、-f、氰基、c1-c60烷基、c1-c60烷氧基、苯基、联苯基或其任意组合取代的c3-c60碳环基或c1-c60杂环基；c7-c60芳基烷基；或c2-c60杂芳基烷基。

25、根据一个或多个实施方式，发光装置可包括由式1表示的杂环化合物。

26、根据一个或多个实施方式，电子设备可包括发光装置。

1.一种发光装置，包括：

2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述由式1表示的杂环化合物包括在所述夹层中。

3.如权利要求1所述的发光装置，其中所述由式1表示的杂环化合物包括在所述发射层中。

4.如权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层包括：

5.如权利要求1所述的发光装置，其中：

6.如权利要求5所述的发光装置，其中：

7.如权利要求5所述的发光装置，其中：

8.如权利要求1所述的发光装置，进一步包括：

9.如权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层发射具有450nm或更大且475nm或更小的最大发射波长的蓝光。

10.一种电子设备，包括如权利要求1至9中任一项所述的发光装置。

11.如权利要求10所述的电子设备，进一步包括薄膜晶体管，

12.如权利要求10所述的电子设备，进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任意组合。

13.一种由式1表示的杂环化合物：

14.如权利要求13所述的杂环化合物，其中l1和l2各自独立地为单键；或者未取代的或被至少一个r10a取代的富π电子的c3-c60环状基团。

15.如权利要求13所述的杂环化合物，其中l1和l2各自独立地为单键；或由式l-1至式l-3中的一个表示的基团：

16.如权利要求13所述的杂环化合物，其中：

17.如权利要求13所述的杂环化合物，其中r1和r6至r8各自独立地为：

18.如权利要求13所述的杂环化合物，其中所述由式1表示的杂环化合物由式1-1至式1-5中的一个表示：

19.如权利要求13所述的杂环化合物，其中所述由式1表示的杂环化合物选自化合物1至60：

20.如权利要求13所述的杂环化合物，其中所述由式1表示的杂环化合物具有2.8ev或更大且3.5ev或更小的三重态能级。