半导体装置和该半导体装置的制造方法与流程

本公开总体上涉及电子装置，更具体地，涉及一种半导体装置和该半导体装置的制造方法。

背景技术：

1、非易失性存储器装置是即使供电中断时所存储的数据也原样保留的存储器装置。随着存储器单元以单层形式形成在基板上方的二维非易失性存储器装置的集成度的改进达到极限，最近提出了存储器单元垂直地层叠在基板上方的三维非易失性存储器装置。

2、三维非易失性存储器装置包括交替层叠的层间绝缘层和栅电极以及穿透层间绝缘层和栅电极的沟道层，并且存储器单元沿着沟道层层叠。已开发了各种结构和各种制造方法以改进具有三维结构的这种非易失性存储器装置的操作可靠性。

技术实现思路

1、根据本公开的实施方式，提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：栅极结构，其包括交替层叠的导电层和绝缘层；多个沟道结构，其穿透栅极结构，所述多个沟道结构布置在第一方向上；多个切割结构，各个切割结构在分别穿透多个沟道结构中的每一个的同时分别将多个沟道结构中的每一个隔离成多个分割沟道结构；以及多条互连线，其位于栅极结构上方并在第一方向上延伸，其中，多个切割结构中的每一个具有包括在倾斜于第一方向的方向上延伸的延伸部的大致十字(+)形状。

2、根据本公开的另一实施方式，提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：栅极结构，其包括交替层叠的导电层和绝缘层；多个沟道结构，其穿透栅极结构，所述多个沟道结构布置在第一方向上；以及多条互连线，其设置在多个沟道结构的顶部，所述多条互连线在第一方向上延伸，其中，多个沟道结构中的每一个包括多个分割沟道结构以及将所述多个分割沟道结构彼此隔离的切割结构，并且其中，切割结构包括在倾斜于第一方向的方向上延伸的延伸部。

3、根据本公开的另一实施方式，提供了一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：形成层叠结构；形成穿透层叠结构的沟道结构，所述沟道结构布置在第一方向上；以及形成多个切割结构，其中，所述多个切割结构中的每一个在垂直方向上分别穿透各个沟道结构，将各个沟道结构隔离成多个分割沟道结构，并且各个切割结构包括在倾斜于第一方向的方向上延伸的延伸部。

技术特征：

1.一种半导体装置，该半导体装置包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在垂直方向上延伸的所述多个切割结构中的每一个分别穿透所述多个沟道结构中的每一个，并且通过在倾斜方向上延伸的所述延伸部将所述多个沟道结构中的每一个隔离成第一分割沟道结构、第二分割沟道结构、第三分割沟道结构和第四分割沟道结构。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第一分割沟道结构关于所述切割结构在所述倾斜方向上与和所述第一分割沟道结构相邻的所述第二分割沟道结构对称，并且

4.根据权利要求1所述的半导体装置，该半导体装置还包括分别连接到所述多个分割沟道结构的上表面的多个触点。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述多个触点将所述多个分割沟道结构和所述多条互连线彼此电连接。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述多个触点设置在第二方向的不同高度处，所述第二方向是所述第一方向的垂直方向。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，该半导体装置还包括在穿透交替层叠的导电层当中的设置在最上部的至少一个导电层的同时在所述第二方向上延伸的漏极选择线隔离结构。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，各个所述沟道结构包括通过所述切割结构彼此隔离的多个沟道层。

9.一种半导体装置，该半导体装置包括：

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述切割结构具有y形状。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，在垂直方向上延伸的所述切割结构通过允许第一分割沟道结构、第二分割沟道结构和第三分割沟道结构被在倾斜方向上延伸的所述延伸部彼此间隔开来将所述第一分割沟道结构、所述第二分割沟道结构和所述第三分割沟道结构彼此隔离。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述第一分割沟道结构关于所述切割结构在所述倾斜方向上与和所述第一分割沟道结构相邻的所述第二分割沟道结构对称。

13.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述切割结构具有星号形状。

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，在垂直方向上延伸的所述切割结构通过允许六个分割沟道结构被在倾斜方向上延伸的所述延伸部彼此间隔开来将所述六个分割沟道结构彼此隔离。

15.一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：

16.根据权利要求15所述的方法，其中，在形成所述层叠结构的步骤中，多个第一材料层和多个第二材料层交替地层叠。

17.根据权利要求16所述的方法，该方法还包括以下步骤：

18.根据权利要求17所述的方法，该方法还包括以下步骤：

19.根据权利要求15所述的方法，该方法还包括以下步骤：

20.根据权利要求19所述的方法，该方法还包括以下步骤：

技术总结
提供了一种半导体装置和该半导体装置的制造方法。该半导体装置包括：栅极结构，其包括交替层叠的导电层和绝缘层；多个沟道结构，所述多个沟道结构穿透栅极结构，所述多个沟道结构布置在第一方向上；多个切割结构，各个切割结构在分别穿透所述多个沟道结构中的每一个的同时将所述多个沟道结构中的每一个分别隔离成多个分割沟道结构；以及多条互连线，其位于栅极结构上方并且在第一方向上延伸。所述多个切割结构中的每一个具有包括在倾斜于第一方向的方向上延伸的延伸部的大致十字(+)形状。

技术研发人员：郑盛旭,白智希,郑帐喜
受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15