一种用于MOS隔离驱动器的气密性封装结构的制作方法

文档序号:34010077发布日期:2023-04-29 22:06阅读:38来源:国知局
一种用于MOS隔离驱动器的气密性封装结构的制作方法

本发明涉及微电子,具体而言,涉及一种用于mos隔离驱动器的气密性封装结构。


背景技术:

1、mos管隔离驱动器是整机系统供电部分的重要组成部分,其主要有数字隔离器与mos管驱动器构成,因整机系统涉及多种供电电压,且要求控制信号与驱动信号电气隔离,因此需要配置多个mos管隔离驱动器,势必影响整机系统体积。

2、目前,mos管隔离驱动器多为塑封多芯片组装结构,在温度变换较快、湿度较大的环境下可靠性降低,甚至失效,造成mos管隔离驱动器功能失效,从而使整机供电系统故障。

3、因此,提出一种可靠、小型化mos管驱动器器件,解决整机系统小型化高可靠的需求。


技术实现思路

1、本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。

2、为此,本发明提供了一种用于mos隔离驱动器的气密性封装结构。

3、本发明提供了一种用于mos隔离驱动器的气密性封装结构,包括:

4、底座;

5、管帽,与所述底座紧密连接,所述底座和所述管帽之间形成安装空间;

6、基板组件,安装至所述安装空间内,且所述基板组件的至少部分与所述底座构成的多点电气连接,其中,所述基板组件的至少部分用于装配mos隔离驱动器提供次级供电的隔离变压器和变压器驱动器、整流稳压线路,以及其余部分用于装配数字隔离器与mos管驱动器;

7、绝缘组件,所述绝缘组件至少设置在所述基板组件和所述底座的连接处。

8、本发明提出的用于mos隔离驱动器的气密性封装结构,包括底座、管帽、基板组件和绝缘组件。其中,管帽、管壳底座构成mos隔离驱动器的管壳,管壳采用可伐镀镍金属管壳,镍层厚度控制在1.3~8.9um,可满足mos隔离驱动器耐湿的要求。在上述基础上,本技术方案增加了基板组件,基板组件的一部分用于装配mos隔离驱动器提供次级供电的隔离变压器和变压器驱动器、整流稳压线路,以及其余部分用于装配数字隔离器与mos管驱动器,以此满足mos隔离驱动器的整合,且基板组件与底座构成电气连接,确保装置的正常使用。此外,为了避免基板组件与底座的其余部分形成绝缘,避免电流紊乱,在基板组件和底座的连接处增加了绝缘组件,以此避免上述问题的发生。由此可见,本发明提出的用于mos隔离驱动器的气密性封装结构,相对于现有技术,能够将mos管隔离驱动器正装密封起来,以此在温度变换较快或湿度较大的环境中,保证装置的可靠性,降低装置失效的可能性。此外,本装置的结构小巧,且便于拆卸和安装,结构整体较为优化,是一种新型、可靠且稳定的mos隔离驱动器密封保护装置。

9、根据本发明上述技术方案的用于mos隔离驱动器的气密性封装结构,还可以具有以下附加技术特征:

10、在上述技术方案中,穿过所述底座设置有若干引线,所述基板组件的至少部分连接所述引线,以构成所述基板组件和所述底座的多点电气连接。

11、在本技术方案中,基板组件和外界通过穿过底座的引线连接,引线为多组,并且通过焊接的方式与基板组件的至少部分构成电气连接,以此实现装配在基板组件上的电气元件的电气连接。

12、在上述技术方案中,所述基板组件包括:

13、第一基板,所述第一基板与所述引线连接,其中,所述第一基板用于装配数字隔离器与mos管驱动器;

14、引针,一端连接至所述第一基板;

15、第二基板,与所述引针的另一端连接,其中,所述第二基板用于装配mos隔离驱动器提供次级供电的隔离变压器和变压器驱动器、整流稳压线路。

16、在本技术方案中,基板组件由第一基板和第二基板构成,且两者通过引针实现电气连接,第二基板上装配mos隔离驱动器提供次级供电的隔离变压器和变压器驱动器、整流稳压线路等器件,实现次级mos管驱动的供电,第一基板上装配数字隔离器与mos管驱动器,实现mos管驱动器外部的初次级隔离,由此实现mos管隔离驱动器的整体功能。引针采用可伐金属引针,表面镀镍、金,镍层厚度控制在1.3~8.9um,金的镀层厚度控制在0.1~1um,可满足引针可焊性、防氧化的需求。

17、在上述技术方案中,所述绝缘组件为绝缘基板,所述绝缘基板设置在所述第一基板和所述底座之间。

18、在本技术方案中,绝缘组件为绝缘基板的构造。绝缘基板厚度为0.3mm,材料为使用fr4高tg板材,隔离板上通孔直径为0.9mm,可有效的使第一基板与管壳底座间电气隔离。

19、在上述技术方案中,所述底座形成若干第一通孔,所述绝缘基板形成若干第二通孔,所述第一基板形成若干第三通孔,所述引线穿过所述第一通孔、所述第二通孔并在第三通孔与所述第一基板构成连接。

20、在本技术方案中,引线可以为若干根,例如8根,可以根据实际工况进行调整,对应地,第一通孔、第二通孔和第三通孔的数量与其对应。

21、在上述技术方案中,所述第三通孔直径尺寸大于所述第二通孔直径尺寸大于所述第一通孔直径尺寸。

22、在本技术方案中,对各个通孔的尺寸进行了限定,上述限定为了防止焊接第基板引脚时漏焊锡到管壳上。

23、在上述技术方案中,所述引线通过绝缘子与所述第一通孔形成绝缘。

24、在本技术方案中,引线通过玻璃绝缘子与底座连接,绝缘电阻可满足500vdc,单根引线与壳体间绝缘电阻≥1×1010ω,实现引线与壳体间的绝缘。

25、在上述技术方案中,所述第一基板形成若干第一装配孔位;以及

26、所述第二基板形成若干第二装配孔位。

27、在本技术方案中,在第一基板和第二基板上均形成有装配孔位或装配工位,以满足安装各个电气元件的要求。其尺寸不做具体限定,以实际工况确定即可。

28、本发明的附加方面和优点将在下面的描述部分中变得明显,或通过本发明的实践了解到。



技术特征:

1.一种用于mos隔离驱动器的气密性封装结构,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的用于mos隔离驱动器的气密性封装结构,其特征在于,穿过所述底座设置有若干引线,所述基板组件的至少部分连接所述引线,以构成所述基板组件和所述底座的多点电气连接。

3.根据权利要求2所述的用于mos隔离驱动器的气密性封装结构,其特征在于,所述基板组件包括:

4.根据权利要求3所述的用于mos隔离驱动器的气密性封装结构,其特征在于,所述绝缘组件为绝缘基板,所述绝缘基板设置在所述第一基板和所述底座之间。

5.根据权利要求4所述的用于mos隔离驱动器的气密性封装结构,其特征在于,所述底座形成若干第一通孔,所述绝缘基板形成若干第二通孔,所述第一基板形成若干第三通孔,所述引线穿过所述第一通孔、所述第二通孔并在第三通孔与所述第一基板构成连接。

6.根据权利要求5所述的用于mos隔离驱动器的气密性封装结构,其特征在于,所述第三通孔直径尺寸大于所述第二通孔直径尺寸大于所述第一通孔直径尺寸。

7.根据权利要求6所述的用于mos隔离驱动器的气密性封装结构,其特征在于,所述引线通过绝缘子与所述第一通孔形成绝缘。

8.根据权利要求7所述的用于mos隔离驱动器的气密性封装结构,其特征在于,所述第一基板形成若干第一装配孔位;以及


技术总结
本发明提供了一种用于MOS隔离驱动器的气密性封装结构,包括底座;管帽,与所述底座紧密连接,所述底座和所述管帽之间形成安装空间;基板组件,安装至所述安装空间内,且所述基板组件的至少部分与所述底座构成的多点电气连接,其中,所述基板组件的至少部分用于装配MOS隔离驱动器提供次级供电的隔离变压器和变压器驱动器、整流稳压线路,以及其余部分用于装配数字隔离器与MOS管驱动器;绝缘组件,所述绝缘组件至少设置在所述基板组件和所述底座的连接处。本发明提出的用于MOS隔离驱动器的气密性封装结构,能够将MOS管隔离驱动器正装密封起来,以此在温度变换较快或湿度较大的环境中,保证装置的可靠性,降低装置失效的可能性。

技术研发人员:武春风,周树静,杨俊川
受保护的技术使用者:航天科工微电子系统研究院有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/11
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